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La_(1-x)Pr_xMnO_3(x=0·1,0·2)薄膜庞磁电阻性质的研究

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物理学报 2006年第3期55卷 1441-1446页

作者：段苹陈正豪戴守愚周岳亮吕惠宾天津大学应用物理系天津300072 中国科学院物理研究所北京100080

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La_(1-x)Pr_xMnO_3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO_3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电... 详细信息

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La_(1-x)Pr_xMnO_3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO_3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.

关键词：脉冲激光沉积 La1-xPrxMnO3 电子掺杂庞磁电阻

溶胶凝胶法制备La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜庞磁电阻效应和电流诱导电阻特性

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功能材料 2005年第4期36卷 549-551页

作者：陈钊陈长乐高国棉温晓莉李潭王永仓金克新赵省贵西北工业大学理学院陕西西安710072

采用溶胶凝胶法成功制备了La0.7 Ca0.3MnO3块材和单晶薄膜,研究了薄膜的电阻随温度的变化特性,以及在不同的恒定电流下,薄膜的电阻的变化特性,实验发现在同一温度下,电阻随着电流的增大而变小,在同一稳恒电流下,在T>Tc 时,电阻随着温度... 详细信息

采用溶胶凝胶法成功制备了La0.7 Ca0.3MnO3块材和单晶薄膜,研究了薄膜的电阻随温度的变化特性,以及在不同的恒定电流下,薄膜的电阻的变化特性,实验发现在同一温度下,电阻随着电流的增大而变小,在同一稳恒电流下,在T>Tc 时,电阻随着温度的升高而变小;并且出现了双极值现象。这些输运特性可以采用双交换作用和晶格畸变产生的小极化子的机制来解释。

关键词：庞磁电阻溶胶-凝胶法甩胶涂覆法浸渍法电流诱导

择优掺杂的La-Ca-Na-Mn-O体系的庞磁电阻效应

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中国稀土学报 2009年第6期27卷 791-795页

作者：张国庆姜勇北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

利用溶胶-凝胶法制备出择优掺杂的名义组分为La1-x(Ca1-yNay)xMnO3(LCNM)的多晶样品。XRD测试表明样品均为钙钛矿结构。电输运测试表明所有样品均发生金属-绝缘体转变和顺磁-铁磁转变(转变温度分别用Tm和TC表示),转变温度随Na含量的增... 详细信息

利用溶胶-凝胶法制备出择优掺杂的名义组分为La1-x(Ca1-yNay)xMnO3(LCNM)的多晶样品。XRD测试表明样品均为钙钛矿结构。电输运测试表明所有样品均发生金属-绝缘体转变和顺磁-铁磁转变(转变温度分别用Tm和TC表示),转变温度随Na含量的增加而增加,但是由于Ca,Na离子间价态的不同引起的磁不均匀性,同时含Ca和Na的样品电输运曲线在Tm温度以下出现肩型鼓包,同时表现出增宽的顺磁-铁磁转变过程,磁电阻测量发现所有样品均表现出庞磁电阻(CMR)效应,但是由于磁不均匀性,y约为0.25的样品表现出两个CMR峰。

关键词：钙钛矿择优掺杂磁不均匀庞磁电阻稀土

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜庞磁电阻(CMR)现象的分析

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中国稀土学报 2003年第4期21卷 391-394页

作者：任世伟王爱坤孙敬伟赵慈李志清白海力河北科技大学理学院物理系河北石家庄050018 河北工业大学物理系天津300130 天津大学物理系天津300072

针对La0.7Ca0.3MnO3薄膜材料中磁团簇的特性及其对材料庞磁电阻(CMR)现象的影响进行了研究。根据实验数据,利用Wagner等提出的数学模型,对La0.7Ca0.3MnO3薄膜中的磁团簇随温度的变化行为特性进行了研究;通过对La0.7Ca0.3MnO3薄膜相关实... 详细信息

针对La0.7Ca0.3MnO3薄膜材料中磁团簇的特性及其对材料庞磁电阻(CMR)现象的影响进行了研究。根据实验数据,利用Wagner等提出的数学模型,对La0.7Ca0.3MnO3薄膜中的磁团簇随温度的变化行为特性进行了研究;通过对La0.7Ca0.3MnO3薄膜相关实验数据的拟合,发现La0.7Ca0.3MnO3薄膜的居里温度范围应当在245～250K之间,从而进一步缩小了该材料居里温度的误差范围;还通过计算MR随磁团簇总角量子数J的变化,研究了制约和影响MR值的主要因素,发现磁团簇尺寸在La0.7Ca0.3MnO3薄膜的CMR现象中扮演了重要角色。

关键词：凝聚态物理磁性材料庞磁电阻 Wagner模型磁团簇稀土

La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/La_(0.75)MnO_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3庞磁电阻三层膜的制备及结构形貌和性能

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稀有金属 2004年第2期28卷 334-337页

作者：李合琴何晓雄方前锋合肥工业大学材料科学与工程学院安徽合肥230009 中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷重点实验室安徽合肥230031

用磁控溅射法在 (0 0 1)取向的LaAlO3单晶基片上制备了La0 .6 7Sr0 .33MnO3/La0 .75MnO3/La0 .6 7Sr0 .33MnO3外延三层膜。结果表明 ,与La0 .6 7Sr0 .33MnO3单层膜相比较 ,外延三层膜的X射线衍射图上出现 3级衍射峰 ,每级衍射峰由 3个... 详细信息

用磁控溅射法在 (0 0 1)取向的LaAlO3单晶基片上制备了La0 .6 7Sr0 .33MnO3/La0 .75MnO3/La0 .6 7Sr0 .33MnO3外延三层膜。结果表明 ,与La0 .6 7Sr0 .33MnO3单层膜相比较 ,外延三层膜的X射线衍射图上出现 3级衍射峰 ,每级衍射峰由 3个峰组成 :其中强度最高的衍射峰代表衬底的衍射 ;次强的代表上下两层La0 .6 7Sr0 .33MnO3膜 ;最弱的代表中间La0 .75MnO3层。三层膜的二维原子力表面形貌为均匀的小颗粒状 ,表明其三维形貌为外延岛状柱状晶。这种三层膜的巨磁电阻效应与中间层La0 .75MnO3的厚度有关 ,当中间层厚度为 70nm时 ,其最大磁电阻值可达到 3 2 % ,这个结果优于La0 .6 7Sr0 .33MnO3单层膜的巨磁电阻效应。其可能的原因是电子在界面上的散射、层间的交互作用 ,以及点阵错配导致的内应力的综合结果。

关键词：材料工程三层膜 X射线衍射原子力显微镜庞磁电阻磁控溅射

铁电性、高温超导电性和庞磁电阻(CMR)效应的共性特征探讨

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材料导报 2002年第4期16卷 16-18,63页

作者：汪春昌朱静清华大学材料科学与工程研究院纳米结构研究室北京100084

从结构和相变两个方面探讨了铁电性、高温超导电性和庞磁电阻(CMR)效应的共性,指出这类性质是集体电子行为,是由各种结构层次(晶体结构、电子结构及自旋结构)相互作用、相互耦合共同引起的。

关键词：材料学铁电性高温超导电性庞磁电阻结构相变 CMR效应凝聚态物理

基于庞磁电阻效应的磁测量技术及其在智能电网的应用

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电力与电工 2013年第4期33卷 70-72页

作者：盛兴王昕国家电网公司信息通信分公司北京100761 国网福建水口发电集团有限公司福建福州350004

介绍了庞磁电阻技术及其特性;基于该技术磁电阻率高的庞磁电阻效应,设计了一套磁场测量装置。提高了智能电网各种电流、电压、频率、位移和开关等参数分布式测量的准确性。

关键词：庞磁电阻传感器智能电网

Pr_(0.5)Ba_(0.1)Sr_(0.4)MnO_3的电磁性能及其庞磁电阻效应

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北京印刷学院学报 2010年第6期18卷 82-84页

作者：杨少波席忠飞北京印刷学院北京102600

用固态反应法制备了半掺杂锰氧化合物Pr0.5Ba0.1Sr0.4MnO3块材,结果显示,当温度从5K增加到300K时,样品依次由反铁磁绝缘体转变为铁磁半导体、铁磁金属、顺磁半导体。在发生反铁磁-铁磁和铁磁-顺磁两种转变时,样品在较低的磁场(1T)作用下... 详细信息

用固态反应法制备了半掺杂锰氧化合物Pr0.5Ba0.1Sr0.4MnO3块材,结果显示,当温度从5K增加到300K时,样品依次由反铁磁绝缘体转变为铁磁半导体、铁磁金属、顺磁半导体。在发生反铁磁-铁磁和铁磁-顺磁两种转变时,样品在较低的磁场(1T)作用下,都表现出了较强的庞磁电阻效应。

关键词：半掺杂锰氧化物电磁性能庞磁电阻

Pr_(0.5)La_(0.2)Sr_(0.3)MnO_3的电磁性能及其庞磁电阻效应

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北京印刷学院学报 2015年第6期23卷 59-60,64页

作者：杨少波北京印刷学院北京102600

锰氧化合物在计算机硬盘和磁头等领域有着广泛的应用。本实验用高温烧结法制备了半掺杂锰氧化合物Pr_(0.5)La_(0.2)Sr_(0.3)MnO_3陶瓷,测试结果表明,在温度从5K增加到300K的过程中,样品依次由反铁磁绝缘体转变为铁磁半导体、铁磁金属、... 详细信息

锰氧化合物在计算机硬盘和磁头等领域有着广泛的应用。本实验用高温烧结法制备了半掺杂锰氧化合物Pr_(0.5)La_(0.2)Sr_(0.3)MnO_3陶瓷,测试结果表明,在温度从5K增加到300K的过程中,样品依次由反铁磁绝缘体转变为铁磁半导体、铁磁金属、顺磁半导体。在发生反铁磁-铁磁和铁磁-顺磁两种转变温度处,样品在较低的外加磁场作用下,都表现出了较强的庞磁电阻效应。

关键词：半掺杂锰氧化物电磁性能庞磁电阻