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应变层超晶格界面电荷转移效应和应变效应的能带计算

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厦门大学学报（自然科学版） 1993年第S2期32卷 15-18页

作者：黄美纯柯三黄王仁智厦门大学物理学系厦门361005

利用冻结势LMTO方法计算应变层超晶格(SLS)的电子结构,发现平均键能E_m主要由界面电荷转移效应决定,而E_m和价带顶能量E_m之差△E_n^m主要由应变效应决定,用应变材料的E_m为参考能级,可以由应变体材料的△E_n^m值直接给出SLS的价带能量... 详细信息

利用冻结势LMTO方法计算应变层超晶格(SLS)的电子结构,发现平均键能E_m主要由界面电荷转移效应决定,而E_m和价带顶能量E_m之差△E_n^m主要由应变效应决定,用应变材料的E_m为参考能级,可以由应变体材料的△E_n^m值直接给出SLS的价带能量偏移△E_n,所用到的不同应变状态下的△E_n^m(a∥)图可作为能带裁剪和设计特殊性能的SLS系统的重要参考标准。

关键词：应变层超晶格电子结构能带裁剪

InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结构

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功能材料 2005年第9期36卷 1316-1319,1323页

作者：邱永鑫李美成赵连城哈尔滨工业大学材料科学与工程学院黑龙江哈尔滨150001

介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象。同时,总结了分子束外延生长过程中控制InAs/GaInSb超晶格界面结构的生长工艺,指出采用原子迁移增强(M... 详细信息

介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象。同时,总结了分子束外延生长过程中控制InAs/GaInSb超晶格界面结构的生长工艺,指出采用原子迁移增强(MEE)外延生长技术,可以有效地抑制界面处原子的置换和扩散现象。

关键词：应变层超晶格 InAs/GaInSb 界面结构分子束外延

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应变层超晶格晶体结构分析

辽宁教育行政学院学报 1995年第5期13卷 45-47页

作者：于兴君

本文分析了应变层超晶格晶体材料的结构特征，得到在平行于超晶格生长方向的内平面上，每个应变层的晶格常数都是相同的结论，并利用错配度的概念推导了晶格常数的表达式。

关键词：应变层超晶格晶体结构错配度晶格常数

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应变层超晶格GaN-AlN的电子结构

固体电子学研究与进展 1999年第1期19卷 13-19页

作者：何国敏王仁智郑永梅厦门大学物理系

采用有效质量理论６带模型，计算了应变层超晶格ＧａＮＡｌＮ（００１）的电子结构，具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态以及重轻空穴和自旋轨道分裂带相互作用对子带结构的影响。

关键词：有效质量理论空穴子带应变层超晶格

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Ⅱ－Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射分析

发光学报 1996年第3期17卷 261-265页

作者：李梅葛中久关郑平范希武中国科学院长春物理研究所中国科学院激发态物理开放研究实验室

本文报导了用计算机控制的衍射仪（ＣｕＫα辐射）测量的金属有机化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）方法生长的Ⅱ－Ⅵ族应变层超晶格的Ｘ射线衍射曲线，观察到了超晶格结构的多级卫星峰，且卫星峰的强度随角度呈周期性变化．对这种卫星峰形成... 详细信息

本文报导了用计算机控制的衍射仪（ＣｕＫα辐射）测量的金属有机化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）方法生长的Ⅱ－Ⅵ族应变层超晶格的Ｘ射线衍射曲线，观察到了超晶格结构的多级卫星峰，且卫星峰的强度随角度呈周期性变化．对这种卫星峰形成包络的衍射曲线，用Ｘ射线运动学衍射理论进行了分析和讨论，这种讨论有助于理解Ｘ射线衍射曲线中卫星峰的形成．同时用光致发光和包络峰宽度的方法估算了样品的结构参数．

关键词： X射线衍射应变层超晶格 Ⅱ-Ⅵ族半导体

ZnS-ZnSe应变层超晶格远红外反射谱研究

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科学通报 1991年第4期36卷 265-267页

作者：崔捷陈云良王海龙干福熹中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物超晶格是最有潜力的制做短波长光电器件的半导体材料.ZnS-ZnSe、ZnSe-ZnTe应变层超晶格由于每层中含有较大的应力,因此有许多特殊的性质,已有许多人用Raman光谱法、光致荧光法研究这种超晶格.我们用远红外反射光谱... 详细信息

Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物超晶格是最有潜力的制做短波长光电器件的半导体材料.ZnS-ZnSe、ZnSe-ZnTe应变层超晶格由于每层中含有较大的应力,因此有许多特殊的性质,已有许多人用Raman光谱法、光致荧光法研究这种超晶格.我们用远红外反射光谱方法研究这种超晶格材料的声子模.

关键词： ZnS-ZnSe 应变层超晶格反射谱

ZnS-ZnSe应变层超晶格的纵声学声子折叠模

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光学学报 1991年第8期11卷 767-768页

作者：崔捷王海龙干福熹中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

本文报道室温下ZnS-ZnSe应变层超晶格的纵声学声子折叠模的喇曼光谱测量,在10～90cm^(-1)范围内得到三级双峰结构。

关键词：应变层超晶格纵声学声子 ZnS ZnSe

(GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构

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Journal of Semiconductors 2005年第10期26卷 1934-1938页

作者：王新华王玲玲王怀玉邓辉球黄维清湖南大学应用物理系长沙410082 清华大学物理系北京100086

以FreeStanding条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAORecursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中... 详细信息

以FreeStanding条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAORecursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中存在空位时,带隙中将形成缺陷能级.最后分析了在超晶格中引入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响.

关键词： Recursion方法 (GaN)n/(AlN)n 应变层超晶格电子结构缺陷能级

Ge_xSi_(1-x)/Si和Ge/Si应变层超晶格

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物理 1989年第1期18卷 21-26页

作者：陈可明张翔九王迅复旦大学表面物理实验室

ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ和Ｇｅ／Ｓｉ应变层超晶格是半导体超晶格中新发展起来的一种类型．本文简要地介绍了这类超晶格在生长和物理特性方面的一些基本问题，列举了它在器件应用方面的例子．给出了共度生长时超晶格的临界厚度值，超晶... 详细信息

ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ和Ｇｅ／Ｓｉ应变层超晶格是半导体超晶格中新发展起来的一种类型．本文简要地介绍了这类超晶格在生长和物理特性方面的一些基本问题，列举了它在器件应用方面的例子．给出了共度生长时超晶格的临界厚度值，超晶格中ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金层能隙随成分的变化，以及界面处的能带失配值等．最后介绍了由Ｇｅ，Ｓｉ原子层有序排列而组成的新晶体．

关键词：应变层超晶格 GexSi1-x/Si Ge/Si