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文献类型

  • 8 篇 期刊文献

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  • 8 篇 电子文献
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学科分类号

  • 8 篇 工学
    • 8 篇 电子科学与技术（可...
    • 6 篇 材料科学与工程（可...
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 8 篇 库仑振荡
  • 4 篇 单电子晶体管
  • 2 篇 库仑阻塞
  • 1 篇 模/数转换器
  • 1 篇 自对准技术
  • 1 篇 量子尺寸效应
  • 1 篇 单电子a/d转换器
  • 1 篇 互补单电子晶体管...
  • 1 篇 md电路
  • 1 篇 库仑台阶
  • 1 篇 硅单电子晶体管
  • 1 篇 库仑阻塞效应
  • 1 篇 平面栅型
  • 1 篇 改进的mib模型
  • 1 篇 多阈值周期性传输
  • 1 篇 spice宏模型
  • 1 篇 单电子效应
  • 1 篇 点接触
  • 1 篇 负微分电阻器件
  • 1 篇 硅量子线

机构

  • 2 篇 中国科学院物理研...
  • 2 篇 南京大学
  • 2 篇 空军工程大学
  • 1 篇 国防科技大学
  • 1 篇 海军航空工程学院
  • 1 篇 无锡华润华晶微电...
  • 1 篇 中国科学院微电子...

作者

  • 2 篇 陈学军
  • 2 篇 蔡理
  • 2 篇 王太宏
  • 1 篇 黄信凡
  • 1 篇 钱昕晔
  • 1 篇 陈坤基
  • 1 篇 方粮
  • 1 篇 郑有炓
  • 1 篇 李芹
  • 1 篇 隋兵才
  • 1 篇 张贤高
  • 1 篇 刘明
  • 1 篇 陈杰智
  • 1 篇 刘广元
  • 1 篇 孟锋
  • 1 篇 孙劲鹏
  • 1 篇 龙世兵
  • 1 篇 张超
  • 1 篇 何飞
  • 1 篇 张志勇

语言

  • 8 篇 中文
检索条件"主题词=库仑振荡"
共 8 条 记 录，以下是1-10 订阅
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双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应
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物理学报 2011年 第2期60卷 626-630页
作者： 张贤高 方忠慧 陈坤基 钱昕晔 刘广元 徐骏 黄信凡 何飞 南京大学物理系 固体微结构国家实验室南京210093 无锡华润华晶微电子有限公司 无锡214061
基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调... 详细信息
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一种新型的单电子A/D转换器
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物理学报 2003年 第8期52卷 2041-2045页
作者： 张志勇 王太宏 中国科学院物理研究所 北京100080
传统的A D转换器结构复杂 ,利用一种改进的V PADOX工艺可以制成性能均匀的互补的单电子晶体管 ,工艺重复性好 .用互补SET对结构实现了多阈值周期性传输功能 ,这可以用来简化A D转换电路 .提出了一种利用该互补SET对结构实现的新型 3位A ... 详细信息
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单岛单电子晶体管的电导分析
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物理学报 2011年 第7期60卷 655-662页
作者： 隋兵才 方粮 张超 国防科技大学计算机学院重点实验室 长沙410073
基于单电子经典理论,本文通过分析得出了单岛单电子晶体管的源漏电导模型,并对其进行了详细的分析讨论.单岛单电子晶体管的源漏电导随着源漏电压的变化发生周期性的振荡衰减,并随着源漏电压的增大逐渐收敛于本征电导值.源漏电导的这种... 详细信息
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高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性
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Journal of Semiconductors 2007年 第1期28卷 69-72页
作者： 陈杰智 施毅 濮林 龙世兵 刘明 郑有炓 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京210093 中国科学院微电子研究所纳米技术与新器件集成技术实验室 北京100029
为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度,提高增益调节系数,发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化的制备工艺.在室温下对器件的电学特性进行测量,观察到了典型的库仑振荡效应和负微分电导效应.基于量... 详细信息
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混合SETMOS结构单元及其仿真实现方法
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微电子学与计算机 2005年 第7期22卷 24-26,30页
作者： 李芹 蔡理 孟锋 空军工程大学工程学院 陕西西安710038 空军工程大学理学院 陕西西安710051
阐述了SETMOS的结构、特性及应用。基于正统理论,分析了几种仿真混合SETMOS电路模型各自的优缺点,并给出了改进的MIB模型的仿真方法,该模型对于混合SETMOS模拟和数字电路的仿真及设计都较为精确。
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一种基于SET的A/D转换电路设计新方法
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微电子学与计算机 2006年 第1期23卷 153-155页
作者： 陈学军 潘崇黎 海军航空工程学院青岛分院航空电子系 山东青岛266041
文章基于单电子晶体管SET(SINGLEELECTRONTRANSISTOR)提出了一个A/D转换电路,这种电路完全利用了SET库仑振荡效应,能够在室温度下正常工作。说明了采用该方法设计N-BITA/D转换电路仅需要一个电容分配器(由2N-2个电容构成)和2N个SET。同... 详细信息
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点接触平面栅型硅单电子晶体管
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微纳电子技术 2002年 第4期39卷 8-10,36页
作者： 孙劲鹏 王太宏 中国科学院物理研究所 北京100080
设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加... 详细信息
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单电子晶体管及其基本特性的仿真分析
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青岛大学学报（工程技术版） 2003年 第2期18卷 5-8页
作者： 陈学军 蔡理 空军工程大学工程学院 陕西西安710038
提出了一种应用PSpice仿真SET的方法,该方法通过所设计的宏模型可实现SET的基本特性仿真。仿真结果表明,所设计的宏模型具有合理的精确度。
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