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常压烧结ZrB2-SiC复相材料的抗氧化行为研究

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无机材料学报 2009年第3期24卷 631-635页

作者：闫永杰张辉黄政仁刘学建中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100049

以溶胶-凝胶法合成的超细ZrB2粉体为主要原料,研究了不同含量Mo和Mo-B4C为烧结助剂时,ZrB2-SiC体系的常压烧结工艺,测试了其力学性能,并系统研究了分别以4wt%Mo和4wt%Mo-2wt%B4C为烧结助剂制备的ZrB2-20wt%SiC复相陶瓷在不同温度下的静... 详细信息

以溶胶-凝胶法合成的超细ZrB2粉体为主要原料,研究了不同含量Mo和Mo-B4C为烧结助剂时,ZrB2-SiC体系的常压烧结工艺,测试了其力学性能,并系统研究了分别以4wt%Mo和4wt%Mo-2wt%B4C为烧结助剂制备的ZrB2-20wt%SiC复相陶瓷在不同温度下的静态抗氧化行为,研究表明:仅以Mo作为烧结助剂时,在1300℃以上材料表面开始出现ZrO2颗粒析出而迅速氧化.当添加Mo-B4C复合烧结助剂时,液相保护层在1300℃开始出现,并随着温度升高逐步变厚且均匀,材料在1500℃氧化30min后,抗弯强度仍有室温强度的86%,表现出良好的抗氧化性能.

关键词：超高温陶瓷常压烧结抗氧化

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常压烧结法制备ZnO陶瓷靶材

中国有色金属学报 2015年第6期25卷 1625-1633页

作者：孙文燕王日初王小锋彭超群中南大学材料科学与工程学院长沙410083

采用凝胶注模成型技术制备ZnO陶瓷坯体,并在较低温度下常压烧结后获得相对密度达98.6%、晶粒尺寸为1.35μm的陶瓷靶材,研究工艺参数对ZnO陶瓷靶材的相对密度、晶粒生长和电阻率的影响。结果表明:ZnO陶瓷靶材的相对密度随烧结温度升高而... 详细信息

采用凝胶注模成型技术制备ZnO陶瓷坯体,并在较低温度下常压烧结后获得相对密度达98.6%、晶粒尺寸为1.35μm的陶瓷靶材,研究工艺参数对ZnO陶瓷靶材的相对密度、晶粒生长和电阻率的影响。结果表明:ZnO陶瓷靶材的相对密度随烧结温度升高而增大,在1050℃时达到最大值。适当增大升温速率或延长保温时间都有利于提高其相对密度。晶粒尺寸随升温速率的升高而减小,随保温时间的延长而增大。提高烧结温度和增加保温时间都可降低ZnO陶瓷靶材的电阻率。ZnO陶瓷靶材经1400℃烧结3 h后,获得的电阻率最小(为1.75×10-2?·cm)。

关键词： ZnO陶瓷靶材凝胶注模常压烧结相对密度晶粒尺寸电阻率

常压烧结Mg_2SiO_4-SiC复相材料的微波衰减性能

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人工晶体学报 2011年第4期40卷 973-977页

作者：杜磊李晓云丘泰南京工业大学材料科学与工程学院南京210009

以Mg2SiO4和SiC为原料,Al2O3-BaO-SiO2作为复合烧结助剂,H2气氛下在1450℃下保温1 h常压烧结制备出了Mg2SiO4-SiC复相微波衰减材料;采用X射线衍射、扫描电子显微镜对复相材料的相组成、显微结构进行表征。研究了SiC添加量对复相材料X波... 详细信息

以Mg2SiO4和SiC为原料,Al2O3-BaO-SiO2作为复合烧结助剂,H2气氛下在1450℃下保温1 h常压烧结制备出了Mg2SiO4-SiC复相微波衰减材料;采用X射线衍射、扫描电子显微镜对复相材料的相组成、显微结构进行表征。研究了SiC添加量对复相材料X波段(8～12 GHz)微波衰减性能的影响。结果表明:通过加入一定量的Al2O3-BaO-SiO2复合烧结助剂能有效促进烧结致密化,复相材料的显气孔率均在0.5%以下;SiC含量从0增加到10%,复相材料谐振频率由11.8 GHz递减到10.0 GHz,衰减峰值的绝对值由3.62 dB递减到1.18 dB,有效衰减带宽由0.48 GHz递增到1.03 GHz,随着SiC含量的增加,谐振频率向低频移动,衰减峰绝对值降低,有效衰减带宽增大。

关键词：常压烧结复相材料微波衰减性能

常压烧结 Si_3N_4 陶瓷的阻力(R-曲线)特性

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西安交通大学学报 1998年第2期32卷 62-65页

作者：王红洁王永兰金志浩周惠久西安交通大学

文章利用压痕微裂纹法测试了３种Ｓｉ３Ｎ４基陶瓷的Ｒ曲线．结果发现：添加Ｙ２Ｏ３和Ａｌ２Ｏ３的Ｓｉ３Ｎ４材料（１号）具有明显上升的Ｒ曲线；添加ＺｒＯ２的材料（２号）次之；添加ＡｌＮ的材料（３号）的Ｒ曲线变化幅度最小．并... 详细信息

文章利用压痕微裂纹法测试了３种Ｓｉ３Ｎ４基陶瓷的Ｒ曲线．结果发现：添加Ｙ２Ｏ３和Ａｌ２Ｏ３的Ｓｉ３Ｎ４材料（１号）具有明显上升的Ｒ曲线；添加ＺｒＯ２的材料（２号）次之；添加ＡｌＮ的材料（３号）的Ｒ曲线变化幅度最小．并结合断口形貌分析发现，材料的Ｒ曲线行为与其微观结构密切相关．

关键词：烧结常压烧结氮化硅阻力行为陶瓷

氟化钙对常压烧结Si3N4/BN复相陶瓷结构与性能的影响

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硅酸盐学报 2012年第8期40卷 1163-1168页

作者：李永锋刘萍刘桂武史忠旗乔冠军西安邮电大学电子工程学院西安710121 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室西安710049

以微米级Si3N4和h-BN粉末为原料,CaF2–Al2O3–Y2O3为烧结助剂,采用常压烧结工艺制备了BN体积含量为25%的Si3N4/BN复相陶瓷。研究了CaF2添加量对Si3N4/BN复相陶瓷材料力学性能的影响,并通过X射线衍射和场发射扫描电镜分析了复相陶瓷的... 详细信息

以微米级Si3N4和h-BN粉末为原料,CaF2–Al2O3–Y2O3为烧结助剂,采用常压烧结工艺制备了BN体积含量为25%的Si3N4/BN复相陶瓷。研究了CaF2添加量对Si3N4/BN复相陶瓷材料力学性能的影响,并通过X射线衍射和场发射扫描电镜分析了复相陶瓷的物相组成和显微组织。结果表明:随着CaF2添加量增加,制备的Si3N4/BN复相陶瓷材料气孔率逐渐增大,收缩率变小,相对密度减小。添加量为2%(质量分数)时,Si3N4/BN复相陶瓷的室温抗弯强度达145.5MPa。添加适量的CaF2可在Si3N4/BN复相陶瓷材料常压烧结过程中较大程度地破坏h-BN的卡片房式结构,将微米级的h-BN颗粒变成纳米级颗粒。

关键词：氮化硅六方氮化硼常压烧结氟化钙–氧化铝–氧化钇

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常压烧结制备ZrB2-SiC复相陶瓷材料

稀有金属材料与工程 2009年第S2期38卷 916-919页

作者：张辉闫永杰黄政仁刘学建中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院研究生院

以溶胶凝胶法合成的亚微米级和市售微米级ZrB2粉体为原料,B4C和Mo为烧结助剂,在氩气气氛下,常压烧结制得ZrB2-SiC复相超高温陶瓷材料。研究结果表明,亚微米级ZrB2超细粉体的加入对ZrB2-SiC复相陶瓷的常压烧结致密化有一定的促进作用,但... 详细信息

以溶胶凝胶法合成的亚微米级和市售微米级ZrB2粉体为原料,B4C和Mo为烧结助剂,在氩气气氛下,常压烧结制得ZrB2-SiC复相超高温陶瓷材料。研究结果表明,亚微米级ZrB2超细粉体的加入对ZrB2-SiC复相陶瓷的常压烧结致密化有一定的促进作用,但对材料性能的影响不太明显。当超细粉体占到粉体质量的30%时,材料的相对密度约为97%。复相材料的三点抗弯强度为(327±56)MPa,弹性模量为(365±30)GPa,维氏硬度和断裂韧性分别为(12.30±0.75)GPa和(3.39±0.35)MPa.m1/2。另外,从材料的SEM照片明显看出,在压痕棱角尖端出现裂纹分叉现象,同时在裂纹延伸过程中发生偏转,断裂模式多为穿晶断裂,较少为沿晶断裂。

关键词： ZrB2-SiC 常压烧结力学性能显微结构

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无铅压电陶瓷KNN常压烧结及其电学性能

无机材料学报 2013年第9期28卷 967-970页

作者：张东升田爱芬西安交通大学机械工程学院西安710049 西安科技大学材料科学与工程学院西安710054

用常压烧结法制备 K0.5Na0.5NbO3陶瓷。研究烧结温度与陶瓷密度和电学性能的关系。研究表明在1065 ℃~1120 ℃范围内, 温度对陶瓷的密度有显著影响。当烧结温度为 1100 ℃时, 密度达到 4.35 g/cm3（占理论密度的 95%）; 1100 ℃烧结的... 详细信息

用常压烧结法制备 K0.5Na0.5NbO3陶瓷。研究烧结温度与陶瓷密度和电学性能的关系。研究表明在1065 ℃~1120 ℃范围内, 温度对陶瓷的密度有显著影响。当烧结温度为 1100 ℃时, 密度达到 4.35 g/cm3（占理论密度的 95%）; 1100 ℃烧结的陶瓷表现出最好的电学性能, 压电常数最大 118 pC/N, 相对介电常数最大538, 介电损耗最小 4.7%, 剩余极化强度为 15.37 μC/cm2, 矫顽场为 13.16 kV/cm。陶瓷样品在 206 ℃从正交结构转变到四方结构, 居里温度为 410 ℃。

关键词：铌酸钾钠无铅压电陶瓷常压烧结

无铅压电陶瓷铌酸钾钠的常压烧结及其电学性能

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硅酸盐学报 2007年第1期35卷 1-5页

作者：张利民张波萍李敬锋王轲张海龙北京科技大学材料科学与工程学院清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084

用常压烧结方法制备了Na0.5K0.5NbO3(NKN)无铅压电陶瓷。研究了烧结温度与NKN陶瓷的密度、结构以及电学性能的关系。结果表明:NKN陶瓷与KNbO3相似为正交结构,烧结温度超过1080℃时,出现无压电性第二相。在很小的温度范围内(1020～1100℃... 详细信息

用常压烧结方法制备了Na0.5K0.5NbO3(NKN)无铅压电陶瓷。研究了烧结温度与NKN陶瓷的密度、结构以及电学性能的关系。结果表明:NKN陶瓷与KNbO3相似为正交结构,烧结温度超过1080℃时,出现无压电性第二相。在很小的温度范围内(1020～1100℃)烧结体密度有显著不同,当烧结温度为1080℃时,NKN陶瓷烧结密度达到最大值(4.22g/cm3,相对密度为92%)。经1060℃烧结的NKN陶瓷其压电常数最高,达到122pC/N;Curie温度为409℃;矫顽场为9kV/cm;剩余极化强度为15μC/cm2。

关键词：铌酸钾钠陶瓷无铅压电陶瓷常压烧结

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低温常压烧结SiC陶瓷的结构与性能

材料热处理学报 2015年第7期36卷 7-12页

作者：张龙张磊张明何新农汤文明合肥工业大学材料科学与工程学院安徽合肥230009 安徽德润工业设备有限公司安徽池州242800

采用Al2O3-Y2O3-CaO烧结助剂体系,低于1600℃无保护气氛条件下常压烧结制备SiC陶瓷。研究了粘结剂含量、压制压力、SiC原料粒径级配、烧结温度、烧结助剂含量等对SiC陶瓷结构与性能的影响,优化低温常压烧结SiC陶瓷工艺参数。结果表明,在... 详细信息

采用Al2O3-Y2O3-CaO烧结助剂体系,低于1600℃无保护气氛条件下常压烧结制备SiC陶瓷。研究了粘结剂含量、压制压力、SiC原料粒径级配、烧结温度、烧结助剂含量等对SiC陶瓷结构与性能的影响,优化低温常压烧结SiC陶瓷工艺参数。结果表明,在SiC陶瓷烧结过程中,烧结体中的助烧熔体能充分填充孔隙,并在随后的冷却过程中大多转化为晶态氧化物,有效促进SiC陶瓷的烧结致密化,并赋予其良好的结构与性能。采用3.5μm和0.5μm粒径的粉体按3∶1质量比级配,烧结助剂含量为30%(质量分数),1575℃烧结制备的SiC陶瓷的密度为2.93 g/cm3,抗弯强度为359 MPa。

关键词： SiC陶瓷常压烧结烧结助剂结构与性能