检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电沉积氧化锌纳米柱的带隙和近带边发射蓝移

材料研究学报 2020年第11期34卷 875-880页

作者：汤洋国家能源集团绿色能源与建筑研究中心北京102211 北京低碳清洁能源研究院北京102211

用电化学沉积方法制备了ZnO纳米柱阵列。在Zn(NO3)2基础电解液中加入新电解质并引入NH4NO3和Ga(NO3)3,实现了对ZnO纳米柱阵列的带隙、近带边发射、斯托克斯位移、直径、密度等物理性质的设计和裁剪。可在63~77 nm操控纳米柱的直径。增... 详细信息

用电化学沉积方法制备了ZnO纳米柱阵列。在Zn(NO3)2基础电解液中加入新电解质并引入NH4NO3和Ga(NO3)3,实现了对ZnO纳米柱阵列的带隙、近带边发射、斯托克斯位移、直径、密度等物理性质的设计和裁剪。可在63~77 nm操控纳米柱的直径。增加电解液中的Ga(NO3)3浓度,阵列的密度可降低到7.0×109/cm2。新加入电解液中的盐类使ZnO纳米柱的带隙蓝移~50 meV并使光致发光图谱中的近带边发射蓝移53~73 meV以及斯托克斯位移蓝移23 meV,表明可对其非辐射复合进行抑制设计和裁剪。

关键词：无机非金属材料氧化锌电沉积硝酸镓带隙蓝移近带边发射

硝酸铟诱导的电沉积氧化锌纳米柱光学性质裁剪

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

发光学报 2020年第5期41卷 571-578页

作者：汤洋国家能源集团绿色能源与建筑研究中心北京102211 北京低碳清洁能源研究院北京102211

为在新型太阳能电池等光电器件中应用ZnO纳米结构,需要对ZnO纳米结构阵列的几何形貌及光电物理性质进行裁剪与操控。采用电化学沉积路线制备ZnO纳米柱阵列,In(NO3)3与NH4NO3两种盐类被溶入在传统Zn(NO3)2主电解液中。对ZnO纳米柱阵列进... 详细信息

为在新型太阳能电池等光电器件中应用ZnO纳米结构,需要对ZnO纳米结构阵列的几何形貌及光电物理性质进行裁剪与操控。采用电化学沉积路线制备ZnO纳米柱阵列,In(NO3)3与NH4NO3两种盐类被溶入在传统Zn(NO3)2主电解液中。对ZnO纳米柱阵列进行扫描电子显微镜、透射反射光谱、光致发光光谱测试,分析其形貌与光电物理性质。随着引入的In(NO3)3浓度的增加,ZnO纳米柱阵列的平均直径随之由57 nm减小至30 nm。同时ZnO纳米柱的阵列密度也可降低,进而增大纳米柱间距至41 nm。由于新的盐类的引入,ZnO纳米柱的光学带隙由3.46 eV蓝移至3.55 eV。随着电解液中In(NO3)3的增加,ZnO纳米柱的斯托克斯位移由198 meV减小至154 meV,ZnO纳米柱中的非辐射复合可以得到一定程度的抑制。通过在主电解液中引入In(NO3)3与NH4NO3两种盐类,可对ZnO纳米柱的直径、密度、间距、透射反射率、光学带隙、近带边发射与非辐射复合进行操控与裁剪。

关键词：氧化锌硝酸铟电沉积带隙蓝移非辐射复合

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

气－液界面Q－态CdS的生长

仪器仪表学报 1996年第S1期17卷 150-152页

作者：潘志宇宋经章顾建华刘举正东南大学

通过对不同形成阶段气一液界面Ｌａｎｇｍｕｉｒ膜诱导下的ＣｄＳ粒子的研究，证实了气一液界面ＣｄＳ粒子点→网→片→交叠的形成过程，紫外可见吸收光谱分析表明这种ＣｄＳ粒子具有量子尺寸效应，相对于体相带隙蓝移０．１５ｅｖ．

关键词：气-液界面量子尺寸效应半导体纳米粒子可见吸收光谱形成过程半导体粒子生长过程带隙蓝移谱分析相表面

磷离子注入诱导InGaAsP/InP量子阱结构混合的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

磷离子注入诱导InGaAsP/InP量子阱结构混合的研究

作者：陈杰天津师范大学

学位级别：硕士

光子集成(PIC)及光电集成(OEIC)器件的制备中，量子阱混合技术(QWI)，作为一种十分有效的单片集成工艺手段，以其工艺简单、又能有效地调整量子阱材料的带隙而成为人们研究的热点。量子阱混合技术主要包括以下几种方法：杂质诱导扩散(I... 详细信息

光子集成(PIC)及光电集成(OEIC)器件的制备中，量子阱混合技术(QWI)，作为一种十分有效的单片集成工艺手段，以其工艺简单、又能有效地调整量子阱材料的带隙而成为人们研究的热点。量子阱混合技术主要包括以下几种方法：杂质诱导扩散(IID)，离子注入诱导无序(IICD)，光吸收诱导无序(PAID)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)。为了比较IICD和IFVD对诱导量子阱无序的效果，本文首先采用磷离子(P)注入诱导量子阱无序的方法研究了具有相同发射波长的InGaAsP／InP多量子阱。为了研究IICD技术中离子注入深度对QWI的影响，本文设计了具有不同发射波长的InGaAsP／InP双量子阱结构，并用IICD研究了材料带隙变化的情况。首先，在离子注入诱导InGaAsP／InP多量子阱混合的实验中，为了比较IICD和IFVD的效果，我们准备了三组样品：纯离子注入样品;先用磷离子注入后，再用PECVD生长200nm SiO作为退火覆盖层的样品和先用PECVD生长200nmSiO作为离子注入的掩膜后，再用磷离子注入的样品。根据TRIM-2000模拟计算，离子注入的能量采用160keV，然后在高纯N的保护下进行780℃快速热退火(RTA)30秒。用光荧光(PL)方法测试带隙兰移，结果表明：先离子注入再镀200nm SiO方法得到的带隙蓝移较纯离子注入方法大，而纯离子注入方法又较先镀200nm SiO膜，再进行离子注入的方法得到的蓝移大。三种方法得到的样品带隙蓝移都随注入剂量的增大而增大，然后趋于饱和，并发现，对应样品带隙蓝移量最大的离子注入剂量约为10。实验结果同时说明，两种方法相结合，带隙蓝移主要是由离子注入诱导引起，但SiO电介质膜对量子阱混合也起到促进作用。为了研究离子注入深度对量子阱混合的影响，我们在距离样品表面不同深度处生长发射波长不同的双量子阱结构，一种样品距离表面较近的浅阱波长为1.52μm，深阱波长为1.59μm，另一种样品中，两个量子阱发射波长顺序与之相反。当用某一确定能量的离子注入诱导量子阱混合时，由于两个阱深度不同，所以得到的混合效应不同。根据TRIM-2000模拟计算，离子注入的能量为120keV，

关键词：磷离子注入量子阱混合带隙蓝移光致发光谱透射电子显微镜

InGaAs/InP量子阱材料生长后置无序技术的研究

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

天津师大学报（自然科学版） 2000年第1期20卷 26-32页

作者：王永晨赵杰范懿武丽天津师范大学物理系天津300074

研究了氖离子注入诱导 In Ga As/In P量子阱材料带隙变化的规律 .研究结果表明 ,由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移 .蓝移的大小与量子阱的宽度 ,阱距表面深度 ,注入离子剂量 ,能量 ,及退火条件有关 .

关键词：量子阱离子注入带隙蓝移量子光学

离子注入结合无杂质空位诱导量子阱混合的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国材料科技与设备 2006年第2期3卷 22-24页

作者：陈杰杨格丹王永晨赵杰天津师范大学物理与电子信息学院天津300074

离子注入诱导无序（IICD）和无杂质空住扩散（IFVD）方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合（QWI）的重要方法。本文采用磷离子注入（注入能量为160keV，剂量分别为1×10^11，1×10^12，1×10^13，3×10^13，7×10^... 详细信息

离子注入诱导无序（IICD）和无杂质空住扩散（IFVD）方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合（QWI）的重要方法。本文采用磷离子注入（注入能量为160keV，剂量分别为1×10^11，1×10^12，1×10^13，3×10^13，7×10^14ion／cm^2）和用无杂质空位扩散（PECVD 200nm SiO2电介质膜）相结合的方法来实现InGaAsP／InP多量子阱的混合（高纯氮保护下进行快速热退火，退火温度为780℃，退火时间为30s）。同时，和相同条件下纯磷离子注入诱导混和结果进行了比较。试验发现，先用PECVD镀200nm的SiO2电介质膜再进行磷离子注入的方法造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法小，而先进行磷离子注入在用覆盖200nm的SiO2电介质膜造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法稍大。说明，离子注入造成的缺陷比介质膜SiO2中的缺陷多。带隙兰移主要由离子注入引起。但用两种方法结合时，SiO2中的缺陷也起到促进作用。

关键词：岛子注入诱导无序(IICD) 无杂质空位扩散(IFVD) 量子阱混合带隙蓝移