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检索条件"主题词=巨磁阻材料"
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在温和条件下巨磁阻材料La_(0.5)Ba_(0.5)MnO_3的水热合成与表征
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高等学校化学学报 1998年 第2期19卷 165-168页
作者: 王丹 于然波 冯守华 郑文君 庞广生 赵辉 吉林大学化学系无机合成与材料制备开放实验室
报道了在温和条件下巨磁阻材料La0.5Ba0.5MnO3的水热合成.系统地研究了原料配比、碱度、时间和温度对产物合成的影响,在最佳合成条件下得到了结晶度较高的纯相,并通过XRD、DTA-TG、化学分析及碘量法对产物进... 详细信息
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用于自组装巨磁阻材料的铁磁性纳米Co粒子的研制
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化工新型材料 2002年 第9期30卷 8-10页
作者: 龚晓钟 杨钦鹏 汤皎宁 陈文苑 陈柏青 深圳大学理学院 广东深圳518060
采用化学液相法合成可控制尺寸的六方晶形Co纳米粒子 ,对其形状和大小进行了透射电镜及激光散射分析 ,确认Co纳米粒子为球形 ,平均粒径为 4 0 0nm。在正己烷中基本无团聚。本文着重探索了制备纳米级钴粒子的工艺流程 ,通过改变反应物浓... 详细信息
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压力对巨磁阻材料La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_(3+δ)物性的影响
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高压物理学报 2000年 第3期14卷 161-165页
作者: 刘振兴 费扬 孟宪仁 黄康权 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心 北京100080 香港中文大学物理系 北京师范大学物理系 北京100875
研究了不同含氧量LaCaMnO的压力效应 ,发现随压力的增加富氧样品电阻率的变化和相变温度的改变都比较小。同时还对照研究了压力与磁场对材料的影响 ,发现压力对整个温区的电阻都有明显的影响 ,而磁场仅对相变温度附近温区有明显的影响 ... 详细信息
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La_(1-x)Ca_xMnO_3多晶材料磁阻特性
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扬州大学学报(自然科学版) 1998年 第2期1卷 52-54页
作者: 毛翔宇 陈小兵 高维山 陆文峰 黄建华 傅昭明 扬州大学师范学院物理系 高雄国立师范大学物理系
用传统的电子陶瓷工艺制备了La1-xCaxMnO3(x=0.15,0.3,0.4,0.5,0.67,0.7)的系列多晶样品,测量了样品的直流电阻率随温度(4300K)、磁场的变化(08T).结果表明:x=0.3的样品... 详细信息
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稀土基本知识(十三) 稀土巨磁阻材料及应用
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四川稀土 2007年 第4期 31-32页
作者: 刘蓉生 四川大学材料科学与工程学院 四川成都610065
前面已介绍了稀土磁性材料这一大类材料中的稀土永磁材料、稀土磁制冷材料、稀土超磁致伸缩材料及其应用。下面简单谈谈稀土巨磁阻材料及其应用。
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定量会聚束衍射方法研究巨磁阻材料(La_(1-x)Ca_x)MnO_3中的晶格畸变
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电子显微学报 2002年 第5期21卷 598-598页
作者: 冯方 张爱华 朱静 清华大学材料科学与工程系 北京100084
在钙钛矿结构的材料中,相继发现了铜氧化物高温超导体的锰氧化物中巨磁阻材料,使对过渡金属氧化物的研究成为21世纪凝聚态物理学最重要的研究方向之一。在这种绝缘体-导体、超导体的转变中,电荷、轨道电子和自旋的涨落与有序化,及... 详细信息
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先进磁电子材料和器件
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仪表技术与传感器 2009年 第B11期 96-101页
作者: 钱正洪 白茹 黄春奎 吴建得 杭州电子科技大学 浙江杭州310018 东方微磁科技有限责任公司 湖北宜昌443003
总结了包括磁阻传感器、磁电耦合器件和磁性存储器件在内的几类主要的先进磁电子器件。分别介绍了这几类器件的材料、结构、工作原理和器件性能,以及它们的用途。在此基础之上,展望了磁电子材料和器件领域的发展前景和发展方向。
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逾渗模型在计算材料学中的研究进展
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材料科学与工程学报 2004年 第1期22卷 123-127页
作者: 齐共金 张长瑞 曹英斌 吉洪亮 刘希从 国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室 国防科技大学材料工程与应用化学系 湖南长沙410073
逾渗理论是处理强无序和随机几何结构系统的最好理论方法之一 ,它为描述空间随机过程提供了一个明确、清晰、直观的模型 ,广泛应用于相变和临界现象的研究。本文简要介绍了逾渗理论 ,综述了近年来逾渗模型在计算材料学中的应用 ,特别是... 详细信息
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Er低掺杂(0.0≤x≤0.20)对La0.67Sr0.33MnO3输运行为的影响
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低温物理学报 2004年 第2期26卷 120-125页
作者: 彭振生 刘宁 徐素军 童伟 中国科学技术大学结构分析开放实验室 中国科学技术大学结构分析开放实验室 安徽 合肥230026 宿州234000 宿州师范专科学校物理系材料研究室
通过测量M T曲线和ρ T曲线 ,研究了Er低掺杂 (0 .0≤x≤ 0 .2 0 )对La0 .6 7Sr0 .33MnO3磁电性质的影响 .发现La位被更小的稀土离子Er替代 ,居里温度Tc 和磁化强度M都会降低 ,这被认为是由于A位离子半径减小导致更大的Mn O Mn键的畸变 ... 详细信息
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遨游神奇的材料世界——记苏州大学特聘教授、博士生导师胡军
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科学中国人 2016年 第2期 48-49页
作者: 迟艳艳 《科学中国人》编辑部
集成电路的发明.引爆了智能电子产品的潮流:巨磁阻材料的发现,促使了计算机的高速发展;蓝光LED的出现.开辟了照明的新纪元……循着2000年、2007年、2014年诺贝尔物理学奖的脉络.我们不能忽视的是.材料学科的每一次进步,推动着... 详细信息
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