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中国仪器仪表 2007年第11期 26-26页

磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象，人们把这种现象称为磁电阻，所谓磁电阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减少的幅度比通过磁性金属与合金材料的磁电阻数值约10余倍.

关键词：巨磁电阻材料磁性金属合金材料幅度比磁场

巨磁电阻材料La_(0.9)Sr_(0.1)MnO_3与半导体Si组成的二极管的整流特性

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物理学报 2005年第5期54卷 2342-2345页

作者：刘丽峰吕惠宾戴守愚陈正豪中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室北京100080

掺杂锰氧化物La0 .9Sr0 .1 MnO3薄膜被直接沉积在n型硅基片上 ,构成p -n结 .这种p -n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性 .研究结果表明 ,这种p- n结的结电阻对低磁场敏感 ,在 3× 10 - 2 T的磁场下 ,磁电阻可达 70 % .磁电阻的正... 详细信息

掺杂锰氧化物La0 .9Sr0 .1 MnO3薄膜被直接沉积在n型硅基片上 ,构成p -n结 .这种p -n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性 .研究结果表明 ,这种p- n结的结电阻对低磁场敏感 ,在 3× 10 - 2 T的磁场下 ,磁电阻可达 70 % .磁电阻的正负依赖于温度 .磁电阻的大小可通过加在p- n结上的电压调节 .

关键词：巨磁电阻材料半导体硅掺锰氧化物薄膜沉积结电阻

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巨磁电阻材料及其研究进展

化学通报 1998年第7期 16-21页

作者：严纯华黄云辉王哲明廖春生徐光宪北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室

论述了最近几年巨磁电阻材料的研究进展，主要就钙钛矿、烧绿石和尖晶石等结构的磁电阻材料的机理、制备方法以及超磁电阻现象、室温低磁场问题进行了评述。

关键词：超磁电阻巨磁电阻材料

巨磁电阻材料La_(2/3)Ca_(1/3)Mn_(1-x)Fe_xO_3的研究

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中国科学（A辑） 1999年第2期29卷 150-156页

作者：王晓东徐祖雄马如璋中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 北京科技大学材料物理系北京100083

主要采用了X射线衍射、M ssbauer谱、磁测量等方法系统研究了块体巨磁电阻材料La2 /3 Ca1/3 Mn1-xFexO3 在不同铁含量 ( 0≤x≤ 0 .84)时结构、性能、磁性的变化 ,并给予合理的解释 .在 0 详细信息

主要采用了X射线衍射、M ssbauer谱、磁测量等方法系统研究了块体巨磁电阻材料La2 /3 Ca1/3 Mn1-xFexO3 在不同铁含量 ( 0≤x≤ 0 .84)时结构、性能、磁性的变化 ,并给予合理的解释 .在 0 巨磁电阻效应 ;并且整个晶体是由不同大小的磁性团簇 (cluster)组成的 .

关键词：反铁磁相互作用巨磁电阻材料 GMR 复合氧化物

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巨磁电阻材料的自蔓延高温合成研究

巨磁电阻材料的自蔓延高温合成研究

作者：陈志君武汉理工大学

学位级别：硕士

ABMnO(A稀土元素，B碱土金属)氧化物材料，由于其特殊的电磁特性受到了广泛的重视。近几年来，这类钙钛矿型结构的氧化物材料因为其具有的巨磁电阻效应受到了更多的关注。巨磁电阻材料在磁传感器、磁记录和可读磁头方面有很广阔的应用... 详细信息

ABMnO(A稀土元素，B碱土金属)氧化物材料，由于其特殊的电磁特性受到了广泛的重视。近几年来，这类钙钛矿型结构的氧化物材料因为其具有的巨磁电阻效应受到了更多的关注。巨磁电阻材料在磁传感器、磁记录和可读磁头方面有很广阔的应用前景。在类钙钛矿型晶体结构中通过掺入二价碱土金属(如Ca，Sr，Ba)可以在系统中产生Mn或氧空位，由价格补偿的原理，理论上掺入的二价离子的浓度和氧空位的浓度相等。有关这类巨磁电阻材料制备、掺杂的报道多以固相反应法和溶胶凝胶法进行材料制备，本文引入自蔓延高温合成方法(SHS)制备具有这种巨磁电阻效应的固体氧化物材料，通过强氧化还原反应提高系统中的Mn离子氧化状态，并进而控制和调节产物的电磁特性，本文通过工艺制度的研究，合成得到了一系列的巨磁电阻材料LaSrMnO，文中讨论了LaSrMnO材料合成过程中化学反应机理及结构形成过程。本文采用LaO，SrO，Mn，NaClO，KMnO作为自蔓延高温合成La1-xrMnO材料的原料。 LaSrMnO的SHS合成工艺研究发现，在SHS合成过程中液相量的多少和反应温度有很大的关系，通过在反应体系内加入第二相氧化剂KMnO可以控制反应进程，KMnO在反应中分解得到的高活性MnO利于产物的生成，一定程度上避免了氧缺位和中间产物的形成。压坯密实度研究发现，压坯压力由小增大，颗粒之间的有效接触面积增大，孔隙率减小，液相可充分与高熔点组分接触，加速了反应物质间的物质交换，峰强升高。密实度进一步增大，燃烧波中出现的液相逐渐汇集，形成热阱，液相组分体积分数逐渐超过孔隙的体积分数，扩散过程受到阻碍。 SHS合成La的变化规律与SHS合成过程中的反应温度速度变化规律相似，说明磁性能的变化是由于合成产物的组分结构转变引起的，表现在合成过程中就是温度和速度值的变化。通过测试电阻一温度关系，在SHS合成k．在txMllO3粉料中发现了M工转变现象，转变温度T。在200K左右。

关键词：巨磁电阻材料自蔓延高温合成技术放电等离子烧结显微结构

非双交换作用巨磁电阻材料FeCr2-xGaxS4的输运行为

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低温物理学报 2000年第3期22卷 161-167页

作者：谭舜,杨昭荣,陈志文中国科学技术大学结构分析开放实验室!合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室!合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室!合肥230026

FeCr2 S4是不存在双交换作用和Jahn Teller畸变的巨磁电阻材料 ,本文用不变价的非磁性的Ga部分地替代Cr,发现体系的居里温度和出现巨磁电阻的峰值都向高温移动 .实验上指出Ga替代减弱了Cr离子之间的自旋耦合 ,体系的铁磁性增强 ,使极化... 详细信息

FeCr2 S4是不存在双交换作用和Jahn Teller畸变的巨磁电阻材料 ,本文用不变价的非磁性的Ga部分地替代Cr,发现体系的居里温度和出现巨磁电阻的峰值都向高温移动 .实验上指出Ga替代减弱了Cr离子之间的自旋耦合 ,体系的铁磁性增强 ,使极化子载流推向高温区 ,低于居里温度退局域的裸子运动在磁性半导体中 ,所以巨磁电阻效应一直保留到远低于居里温度的温区 .

关键词：输运行为巨磁电阻材料亚晶格极化子巨磁电阻效应巨磁阻效应 FeCr x)GaxS4 双交换 Ga

SmSrMnO巨磁电阻材料晶格不稳定性研究

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华中理工大学学报 1999年第12期27卷 19-20,23页

作者：王耘波于军周文利魏龙华中理工大学电子科学与技术系中国科学院核分析技术开放实验室

对Ｓｍ２／３Ｓｒ１／３ＭｎＯ３＋ δ巨磁电阻材料样品在７７Ｋ至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量．结果显示，正电子平均寿命τｍ随着温度的降低在２００～１５０Ｋ温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降， ... 详细信息

对Ｓｍ２／３Ｓｒ１／３ＭｎＯ３＋ δ巨磁电阻材料样品在７７Ｋ至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量．结果显示，正电子平均寿命τｍ随着温度的降低在２００～１５０Ｋ温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降，这一过程发生在磁有序起始温度之前；而伴随着绝缘体－金属型转变（１１５Ｋ），多普勒展宽谱参数Ｓ明显增加，表明了电子的离域化．

关键词：晶格不稳定性巨磁电阻材料锰氧化物钙钛矿型