检索结果-南通市图书馆

集成电路应用 2019年第8期36卷 17-19页

作者：程长虹孙杰胡少坚上海集成电路研发中心有限公司

分析集成电路的自动化验证PDK方法,以及PDK验证过程中遇到的难点问题。通过Skill汇编语言建立系统化的PDK自动化验证界面工具。这是一套适用于不同工艺,嵌套在Cadence virtuoso平台下的PDK自动化验证方法,可以大大提高PDK验证的质量和... 详细信息

分析集成电路的自动化验证PDK方法,以及PDK验证过程中遇到的难点问题。通过Skill汇编语言建立系统化的PDK自动化验证界面工具。这是一套适用于不同工艺,嵌套在Cadence virtuoso平台下的PDK自动化验证方法,可以大大提高PDK验证的质量和效率。

关键词：集成电路设计工艺设计包自动化验证 Cadence Virtuoso

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基于Cadence界面的工艺设计包设计方法

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微电子学 2005年第5期35卷 504-508页

作者：杨伟李儒章模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

详细阐述了基于Cadence界面的工艺设计包(PDK)的框架结构及设计方法;采用该方法,在Cadence界面上设计了一套实用的PDK库siscPDK;用实际的IC单元电路进行了验证,得到了正确的结果,证明了该方法的可行性。

关键词：工艺设计包电子设计自动化 Cadence软件集成电路

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化工工艺设计包与放大设计、化工模拟软件应用相结合的探讨

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化工科技 2013年第2期21卷 74-76页

作者：蔡晓光柳富华李培国宋立新刘玲中国石油吉林石化公司研究院吉林吉林132021

介绍了化学工业新产品开发过程中所形成的核心技术文件"化工工艺设计包"中技术数据获得的各种途径,简略介绍了各种模拟设计软件的特点。并对今后如何更好的开展工艺设计包的设计,提出了建议。

关键词：工艺设计包放大设计模拟

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基于0.5μmBCD工艺PDK库的开发

基于0.5μmBCD工艺PDK库的开发

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作者：徐军富西安电子科技大学

学位级别：硕士

PDK库是连接工艺和IC设计工具之间的桥梁，能够有效的提高IC设计人员的设计效率，因此被广泛的应用于模拟，混合信号和射频电路设计当中。本文详细地研究了基于Cadence PAS工具进行0.5μm BCD工艺PDK库的开发方法，分析了PDK库中的工... 详细信息

PDK库是连接工艺和IC设计工具之间的桥梁，能够有效的提高IC设计人员的设计效率，因此被广泛的应用于模拟，混合信号和射频电路设计当中。本文详细地研究了基于Cadence PAS工具进行0.5μm BCD工艺PDK库的开发方法，分析了PDK库中的工艺技术文件，物理验证文件和PDK核心内容参数化单元在PAS工具下的开发方案，论述了基于PAS工具进行PDK开发的优越性能，并基于PAS工具开发完成了0.5μm BCD工艺PDK的开发工作。通过对Pcell器件的开发与分析，阐述了Pcell器件的设计原理，深入的研究了Pcell器件中的CDF参数的作用。在文章的最后部分，分析开发完成后的PDK库中可能存在的问题，研究了批处理验证和IC设计实例验证的方案，确保PDK库正确性、可靠性、完整性，证实了PDK能够灵活准确的支持IC电路设计。

关键词：工艺设计包参数化单元组件描述格式物理验证文件 PAS

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InP HEMT器件建模及PDK技术研究

InP HEMT器件建模及PDK技术研究

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作者：李天浩杭州电子科技大学

学位级别：硕士

磷化铟(InP)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有高电子迁移率、低噪声、低功耗和高增益的特点,被广泛应用于固态功率毫米波和微波电路中。采用减小器件的栅极长度(L)的方法可以提高器件的直流和微波性能,可使器件在更高的频率下工作。紧... 详细信息

磷化铟(InP)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有高电子迁移率、低噪声、低功耗和高增益的特点,被广泛应用于固态功率毫米波和微波电路中。采用减小器件的栅极长度(L)的方法可以提高器件的直流和微波性能,可使器件在更高的频率下工作。紧凑型模型可用于将器件集成到电路设计和仿真的环境中,对InP HEMT模型的研究有深远的意义。工艺设计包(Process Design Kit,PDK)是连接设计制程及EDA设计工具之间的桥梁,PDK技术的研究有助于提升IC设计效率。本文针对InP HEMT器件建模及PDK技术进行了研究。改进的大信号等效电路模型考虑了短栅长的InP HEMT器件出现的短沟道效应,使用分段沟道电流建模的方法来拟合I-V曲线,沟道电流方程和栅电荷方程均连续、高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒规律。改进的小信号等效电路模型参数提取简明,模型精度高。实现结果表明,本文提出的模型同传统模型相比拟合效果更好,实用性强。开发了一70nm InP HEMT工艺的PDK,实现了电路仿真及版图设计功能,可准确地支持IC电路设计。主要的研究内容如下:(1)阐述了InP HEMT器件及模型的发展情况,研究了该器件的工作原理、性能参数,研究了器件的结构及工艺、性能表征方法。(2)阐述了经典HEMT器件大信号等效电路模型的方程结构和参数意义,使用Angelov模型对InP HEMT器件进行大信号建模并进行研究,提出了一种改进的InP HEMT器件大信号等效电路模型。(3)研究了传统小信号等效模型基础理论及参数提取法。根据实验室条件及样品器件特性,提出了一种适用于InP HEMT器件的小信号等效电路模型。(4)阐述了PDK的基础理论,研究了基于Keysight ADS软件的PDK的基础理论及开发流程,并使用AEL语言实现了PDK的开发。

关键词： InP HEMT器件大信号模型小信号模型等效电路模型工艺设计包

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