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等离子体喷涂涂层细观结构与工艺相关性研究

材料科学与工艺 2003年第2期11卷 113-119页

作者：黄晨光段祝平吴承康中国科学院力学研究所北京100080

采用改进的颗粒沉积模型和一种新建议的循环算法,利用数值方法模拟了等离子体喷涂中涂层的生长过程及涂层的细观结构.数值模拟,主要包括了陶瓷液滴的高速变形与凝固、涂层材料的堆积、涂层中细观空洞的形成与温度场的迭代计算等过程.研... 详细信息

采用改进的颗粒沉积模型和一种新建议的循环算法,利用数值方法模拟了等离子体喷涂中涂层的生长过程及涂层的细观结构.数值模拟,主要包括了陶瓷液滴的高速变形与凝固、涂层材料的堆积、涂层中细观空洞的形成与温度场的迭代计算等过程.研究结果表明,涂层中孔隙率的分布与一些关键工艺参数和基底表面状态等有关,液态陶瓷颗粒的直径和飞行速度的加大会引起涂层内孔隙率的增加,而基体温度和表面粗糙度的升高则有利于提高涂层的致密度.本文的研究结果将有助于定量或半定量地优化选取工艺参数以便获得所需的涂层结构和改善涂层的力学性能.

关键词：等离子体喷涂涂层细观结构工艺相关性颗粒沉积模型数值模拟陶瓷温度场翘曲变形

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国产罗红霉素杂质谱及与合成工艺相关性评价

药物分析杂志 2015年第2期35卷 320-327页

作者：李文东王成刚王俊秋北京市药品检验所北京100035

目的：考察国产罗红霉素的杂质谱情况,并与合成工艺相关性进行初步评价。方法：采用欧洲药典7.0版罗红霉素有关物质方法对国产样品进行分析,使用Waters Symmetry ShieldTMC18色谱柱（150 mm×3.9 mm,5μm）,以0.52 mol·L^-1磷酸二氢铵... 详细信息

目的：考察国产罗红霉素的杂质谱情况,并与合成工艺相关性进行初步评价。方法：采用欧洲药典7.0版罗红霉素有关物质方法对国产样品进行分析,使用Waters Symmetry ShieldTMC18色谱柱（150 mm×3.9 mm,5μm）,以0.52 mol·L^-1磷酸二氢铵溶液[用氢氧化钠溶液（8.5→100）调节p H至4.3]-乙腈（74∶26）为流动相A,以水-乙腈（30∶70）为流动相B,梯度洗脱（0～50 min,100%A;50～51 min,100%A→90%A;51～80 min,90%A;80～81 min,90%A→100%A;81～100 min,100%A）,色谱柱温15℃,自动进样器温度8℃,检测波长205 nm。以系统适用性对照品对11种已知杂质进行定位,以罗红霉素为外标计算杂质含量。结果：国产罗红霉素中检出的主要杂质为杂质H、杂质F和杂质C。杂质H是影响国产罗红霉素质量的主要杂质。结论：国产罗红霉素的主要杂质H和杂质F与合成工艺中起始反应物硫氰酸红霉素中红霉素B和去甲基红霉素的含量相关;杂质C为反应中间体红霉素（E）肟的残留,通过优化纯化工艺可降低杂质C的含量。国产罗红霉素的合成工艺可有效的去除侧链合成中引入的杂质G、杂质J和杂质K。

关键词：罗红霉素杂质谱工艺相关性杂质结构杂质来源杂质化学名称高效液相色谱法

铝铜系合金焊接接头应力腐蚀开裂与工艺的相关性

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电焊机 2010年第11期40卷 32-36页

作者：林江波宋永伦冉国伟罗传光张志华北京工业大学机电学院北京100124 中国航天科技集团公司长征机械厂四川万源636371

铝合金在用于焊接结构时,由于焊接热循环的作用,出现了因过时效而导致接头热影响区的软化(即沉淀相分解析出)现象,不仅使得接头强度性能降低,同时由于组织的不均匀性和贫铜区的形成,易产生电化学腐蚀破坏,也使接头的应力腐蚀开裂(SCC)... 详细信息

铝合金在用于焊接结构时,由于焊接热循环的作用,出现了因过时效而导致接头热影响区的软化(即沉淀相分解析出)现象,不仅使得接头强度性能降低,同时由于组织的不均匀性和贫铜区的形成,易产生电化学腐蚀破坏,也使接头的应力腐蚀开裂(SCC)敏感性显著增大,这是长期以来一直未获解决的工程实际问题。在此阐述了铝铜系合金焊接接头开裂的机理、接头应力腐蚀开裂的特点以及与焊接工艺的相关性。采用慢应变速率试验和金相观测辅助技术,得到了该类铝合金在不同焊接方法下的焊接接头和母材的应力腐蚀敏感性对比。

关键词：焊接接头应力腐蚀开裂慢应变速率试验工艺相关性

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纳米光刻中调焦调平测量系统的工艺相关性

光学学报 2016年第8期36卷 102-112页

作者：孙裕文李世光叶甜春宗明成中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049

随着半导体制造步入1xnm技术节点时代,光刻机中的对焦控制精度需要达到几十纳米。在纳米精度范围内,硅片上的集成电路（IC）工艺显著影响调焦调平系统的测量精度。基于实际的调焦调平光学系统模型和三角法、叠栅条纹法测量原理,建立工... 详细信息

随着半导体制造步入1xnm技术节点时代,光刻机中的对焦控制精度需要达到几十纳米。在纳米精度范围内,硅片上的集成电路（IC）工艺显著影响调焦调平系统的测量精度。基于实际的调焦调平光学系统模型和三角法、叠栅条纹法测量原理,建立工艺相关性误差模型。研究表明,工艺相关性误差主要来源于测量光在光刻胶涂层内部的多次反射。选取3种光刻胶仿真分析发现,不同光刻胶的工艺相关性误差随光刻胶厚度的变化趋势相同,随测量光入射角（45°~85°）的增大而减小。在实验验证平台上分别测量7种工艺硅片,实验测量值与理论模型计算值差异统计平均值小于6nm。结果表明,光刻机中调焦调平系统的测量光有必要采用大入射角度,同时提高光刻胶的涂胶均匀性,以减少工艺相关性误差。

关键词：测量调焦调平工艺相关性纳米光刻

基于超光滑表面工艺过程的PSD评价技术研究

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航空精密制造技术 2011年第4期47卷 8-11页

作者：李攀张晋宽白满社滕霖飞行自动控制研究所西安710065

基于功率谱密度简化公式,通过数据拟合提取出PSD曲线的两个重要评价参数。研究PSD曲线变化与超光滑表面加工工艺相关性,提出基于超光滑表面工艺过程的PSD评价技术,以指导工艺改进和新工艺的开发。

关键词：超光滑表面功率谱密度(PSD) 工艺相关性