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屏蔽腔体中多导体传输线串扰抑制的仿真研究

现代电子技术 2015年第8期38卷 148-150页

作者：周大瑜廖成叶志红周海京西南交通大学电磁场与微波技术研究所四川成都610031 北京应用物理与计算数学研究所北京100094

屏蔽腔体中的传输线串扰是典型的电磁干扰问题,消除或减少串扰是非常必要的。在此建立了腔体内多导体传输线的串扰模型,采用电磁仿真软件研究抑制传输线间串扰的方法,分析受扰线终端接有滤波器前后的串扰电压时频响应特性。仿真结果表明... 详细信息

屏蔽腔体中的传输线串扰是典型的电磁干扰问题,消除或减少串扰是非常必要的。在此建立了腔体内多导体传输线的串扰模型,采用电磁仿真软件研究抑制传输线间串扰的方法,分析受扰线终端接有滤波器前后的串扰电压时频响应特性。仿真结果表明,传输线终端接上相应频带的滤波器,可以滤除传输线上除工作信号以外的干扰信号,为电子系统线缆电磁防护设计提供参考依据。

关键词：屏蔽腔体串扰抑制滤波电磁干扰

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屏蔽腔体内微带电路的电磁干扰分析

屏蔽腔体内微带电路的电磁干扰分析

作者：唐新飞西南交通大学

学位级别：硕士

随着现代电子设备的小型化、集成化,印制电路板(PCB)成为电子电气设备的重要组成部分,并且置于屏蔽腔体内,而电路板上各元器件之间通过微带线进行连接以实现信息和能量的交换;然而,由于集成电路板的尺寸日益缩小,其上所含电子元件的数... 详细信息

随着现代电子设备的小型化、集成化,印制电路板(PCB)成为电子电气设备的重要组成部分,并且置于屏蔽腔体内,而电路板上各元器件之间通过微带线进行连接以实现信息和能量的交换;然而,由于集成电路板的尺寸日益缩小,其上所含电子元件的数目却越来越多,以至于微带线的布局更加紧凑,布线的间距越来越窄。由于强电磁脉冲的频谱越来越宽,干扰范围愈加广泛,电磁环境变得日益复杂。虽然印制电路板处于屏蔽腔体中,外界的强电磁脉冲仍然能够穿过孔缝通过PCB板上的微带线耦合进入电路,对电子元件和设备电路造成损坏和干扰。因此,分析屏蔽腔体内印制电路的电磁耦合问题具有十分重要的意义。论文首先对时域有限差分法(FDTD)的基本原理做了介绍,并结合非均匀网格划分原理和多网格集总元件FDTD方法形成一种混合算法对微带电路的电磁干扰问题进行解决,建立电磁波空间照射平行耦合微带线的电磁干扰模型,由于微带电路上的微带线和集总元件为精细结构,在计算空间的大区域采用粗网格剖分,然后在靠近微带电路的区域采用渐变步长,网格渐变到微带电路,对微带电路板部分采用细网格剖分。考虑到实际电子元件的尺寸比细网格大,即集总元件需跨过多个网格,因此,在非均匀网格基础上应用集总元件多网格FDTD算法来模拟连接的集总元件,实现微带电路板电磁耦合分析的快速计算。通过与均匀FDTD算法及商业仿真软件相比较,验证混合算法的正确性。其次,计算和分析了简单微带电路的电磁干扰特性。利用非均匀FDTD混合算法分别分析了空间电磁波极化角α、微带线线间距d、微带线线长l、微带线宽度w的变化对平行双线微带电路端接负载上耦合电压的影响。得到了自由空间里微带电路的一些电磁耦合规律。最后,现代电子设备的集成电路大都处于屏蔽腔体中,考虑屏蔽腔体对微带电路的电磁干扰影响。建立了平面波照射下屏蔽腔体内微带电路的电磁干扰模型,通过与商业仿真软件仿真结果对比验证了混合算法的正确性,然后分析了屏蔽腔体的屏蔽效果、微带线线间距d、微带线的宽度w以及PCB板的摆放位置变化对微带电路的电磁干扰影响,得到负载电阻上感应电压的变化规律,结果显示,由于微带电路结构变化导致的电磁干扰特性在自由空间里和屏蔽腔体中一致。

关键词：微带线非均匀FDTD 集总元件FDTD 多网格模型耦合屏蔽腔体

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多孔屏蔽腔体的耦合问题

电子科技大学学报 1993年第3期22卷 253-257页

作者：刘永红刘志旺电子科技大学应用数学系成都610054

研究了平面电磁波与带多孔的屏蔽腔体的耦合问题。利用等效原理和矩量法,推出导纳的广义网络矩阵方程,求出了在平面电磁波垂直入射下的带多孔矩形腔的屏蔽系数。计算了单孔、双孔的情况,并讨论了频率、孔位、孔径和孔的形状对屏蔽效果... 详细信息

研究了平面电磁波与带多孔的屏蔽腔体的耦合问题。利用等效原理和矩量法,推出导纳的广义网络矩阵方程,求出了在平面电磁波垂直入射下的带多孔矩形腔的屏蔽系数。计算了单孔、双孔的情况,并讨论了频率、孔位、孔径和孔的形状对屏蔽效果的影响。

关键词：电磁耦合屏蔽系数屏蔽腔体屏蔽

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不完全屏蔽腔体辐射耦合电场增强效应研究

不完全屏蔽腔体辐射耦合电场增强效应研究

导电板覆盖的开孔矩形腔体电磁屏蔽效能的比较研究

中国物理学会第十八届全国静电学术会议

作者：潘晓东魏光辉李凯范丽思杨哲军械工程学院静电与电磁防护研究所

采用仿真计算与试验验证相结合的方法,对不完全屏蔽腔体辐射耦合电场增强效应进行了研究。理论分析了屏蔽腔体孔缝耦合及贯通导体耦合电场增强效应的形成机理,研究了孔缝形状、辐射频率、极化方向、腔体位置、贯通导体长度、终端负载状... 详细信息

采用仿真计算与试验验证相结合的方法,对不完全屏蔽腔体辐射耦合电场增强效应进行了研究。理论分析了屏蔽腔体孔缝耦合及贯通导体耦合电场增强效应的形成机理,研究了孔缝形状、辐射频率、极化方向、腔体位置、贯通导体长度、终端负载状态以及吸波材料加载等对电场增强效应的影响规律。结果表明:腔体孔缝增强效应受到腔体表面电流、孔缝谐振和腔体谐振的影响;矩形孔缝的场强增强效应比方形、圆形孔缝显著;电场极化方向垂直于矩形孔缝长边的场强增强效应最强;低频时孔缝中心轴线上离孔缝越近增强效应越显著,加入吸波材料能较好的减弱腔体内部的电场增强效应。

关键词：屏蔽腔体孔缝贯通导体屏蔽效能场强增强效应

来源： cnki会议评论

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电工技术学报 2016年第1期31卷 112-118页

作者：焦重庆李顺杰新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京102206

针对导电板覆盖的开孔矩形腔体,比较了SE_i、SE_a、SE_m3种屏蔽效能(SE_i为入射场与开孔覆盖导电板时腔体内部某位置的透射场场强大小的比值,SE_a为开孔敞开与开孔覆盖导电板时腔体内部同一位置的透射场场强大小的比值,SE_m为开孔覆盖... 详细信息

针对导电板覆盖的开孔矩形腔体,比较了SE_i、SE_a、SE_m3种屏蔽效能(SE_i为入射场与开孔覆盖导电板时腔体内部某位置的透射场场强大小的比值,SE_a为开孔敞开与开孔覆盖导电板时腔体内部同一位置的透射场场强大小的比值,SE_m为开孔覆盖参考导电板与开孔覆盖待测导电板时腔体内部同一位置的透射场场强大小的比值)。利用解析理论方法和全波仿真方法计算分析了腔体谐振和观测点位置对3种屏蔽效能的影响规律,两种方法的计算结果一致性良好。结果表明,SE_i受这两个因素的影响很明显,SE_a受到的影响相对较小,而SE_m几乎没有受到影响,且SE_m与一个无限大板相对于另一个无限大板的屏蔽效能近似相等,这一特性使其在材料电磁屏蔽效能的评估中有着潜在的应用价值。

关键词：电磁屏蔽屏蔽效能屏蔽腔体开孔导电材料

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孔阵腔体屏蔽效能BLT方程修正与拓展分析

电光与控制 2023年第7期30卷 100-105页

作者：孙会琴王思飞田铮河北科技大学石家庄050000

以中心位置携带孔缝的机载电子设备屏蔽腔体为研究对象,建立能够计算平面波辐照下腔体屏蔽效能的BLT(Baum-Liu-Tesche)方程。针对Robinson孔阵阻抗计算误差较大这一问题,引入偏心系数C mk修正孔阵阻抗,修正后BLT方程能准确计算开有任意... 详细信息

以中心位置携带孔缝的机载电子设备屏蔽腔体为研究对象,建立能够计算平面波辐照下腔体屏蔽效能的BLT(Baum-Liu-Tesche)方程。针对Robinson孔阵阻抗计算误差较大这一问题,引入偏心系数C mk修正孔阵阻抗,修正后BLT方程能准确计算开有任意位置孔阵腔体的屏蔽效能。通过对电磁波电场进行矢量分解,实现了任意极化角度下屏蔽腔体屏蔽效能的计算。结果表明,屏蔽腔体屏蔽效能随孔缝数量的增加而升高,极化角度的增大会增强屏蔽腔体电磁屏蔽能力。将BLT方程计算结果与Robinson法结果、CST仿真结果进行对比,证明BLT方程具有准确性,为计算机载电子设备屏蔽腔体屏蔽效能提供了一种有效方法。

关键词：机载电子设备屏蔽腔体屏蔽效能 BLT方程孔阵阻抗

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圆台腔体的屏蔽效能研究

佳木斯大学学报（自然科学版） 2017年第4期35卷 617-619页

作者：王志汪青安徽新华学院教务处安徽合肥230088

利用CST仿真软件对圆台腔体壁上单个矩形细缝的开缝情况下的屏蔽效能进行了分析和数值验证。分析了圆台形屏蔽腔体横向和纵向开缝的不同情况,研究其屏蔽效能与这些因素之间的关系。采用商用软件FEKO来验证CST软件建模和仿真计算的正确性... 详细信息

利用CST仿真软件对圆台腔体壁上单个矩形细缝的开缝情况下的屏蔽效能进行了分析和数值验证。分析了圆台形屏蔽腔体横向和纵向开缝的不同情况,研究其屏蔽效能与这些因素之间的关系。采用商用软件FEKO来验证CST软件建模和仿真计算的正确性,证实了CST软件的精确性。

关键词：电磁脉冲屏蔽腔体屏蔽效能

导电板覆盖的开孔矩形腔体电磁屏蔽效能的比较研究

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导电板覆盖的开孔矩形腔体电磁屏蔽效能的比较研究

含孔缝金属腔体电磁场增强效应的形成机理仿真

2015中国电磁兼容大会

作者：李顺杰焦重庆华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室

针对导电板覆盖的开孔矩形腔体,本文比较了三种屏蔽效能:SEi为入射场与覆盖导电板的开孔腔体内部某位置的透射场场强大小的比值,SEa为开孔敞开与开孔覆盖导电板时腔体内部同一位置的透射场场强大小的比值,SEm为开孔覆盖参考导电板与开... 详细信息

针对导电板覆盖的开孔矩形腔体,本文比较了三种屏蔽效能:SEi为入射场与覆盖导电板的开孔腔体内部某位置的透射场场强大小的比值,SEa为开孔敞开与开孔覆盖导电板时腔体内部同一位置的透射场场强大小的比值,SEm为开孔覆盖参考导电板与开孔覆盖给定导电板时腔体内部同一位置的透射场场强大小的比值。同时用解析理论方法和全波仿真方法计算分析了腔体谐振和观测点位置对三种屏蔽效能的影响规律,两种方法的计算结果一致性良好。结果表明,SEi受这两个因素的影响很明显,而SEa和SEm受到的影响不大。并且SEm与一个无限大板相对于另一个无限大板的屏蔽效能近似相等,这一特性使其在材料电磁屏蔽效能的评估中有着潜在的应用价值。

关键词：电磁屏蔽屏蔽效能屏蔽腔体开孔导电材料

来源： cnki会议评论

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高电压技术 2014年第6期40卷 1637-1643页

作者：魏光辉李凯潘晓东张龙李新峰军械工程学院静电与电磁防护研究所武汉军械士官学校教练勤务团

为分析金属腔体场强增强效应,保护腔体内部敏感电路,采用电磁仿真软件CST,从频域角度利用屏蔽效能对其开展仿真研究,并利用矢量网络分析仪、功率放大器、GHz横电磁波传输室和脉冲强磁场测量探头搭建实验系统进行了验证。最后理论分析了... 详细信息

为分析金属腔体场强增强效应,保护腔体内部敏感电路,采用电磁仿真软件CST,从频域角度利用屏蔽效能对其开展仿真研究,并利用矢量网络分析仪、功率放大器、GHz横电磁波传输室和脉冲强磁场测量探头搭建实验系统进行了验证。最后理论分析了场强增强效应的形成机理,研究了孔缝形状、电磁波极化方向、腔体不同位置、吸波材料加载对场强增强效应的影响规律。仿真和实验结果有较好的一致性,结果表明:腔体孔缝增强效应受到腔体表面电流、孔缝谐振和腔体谐振的影响;矩形孔缝的场强增强效应比方形、圆形孔缝显著;电磁波极化方向垂直于矩形孔缝长边的场强增强效应最强;在最小谐振频率以下,孔缝中心轴线上离孔缝越近增强效应越显著,并且加入吸波材料能较好地减弱腔体中心的场强增强效应。研究结果为含孔缝腔体的电磁兼容设计与防护提供了理论依据。

关键词：屏蔽效能场强增强效应屏蔽腔体孔缝电磁兼容电磁防护 CST仿真