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主题

  • 1 篇 碳硅比
  • 1 篇 高质量外延
  • 1 篇 小坑缺陷
  • 1 篇 4h-sic
  • 1 篇 生长温度

机构

  • 1 篇 中国电子科技集团...

作者

  • 1 篇 牛晨亮
  • 1 篇 郝文嘉
  • 1 篇 芦伟立
  • 1 篇 房玉龙
  • 1 篇 李建涛
  • 1 篇 李帅
  • 1 篇 陈宏泰
  • 1 篇 王健
  • 1 篇 王波

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=小坑缺陷"
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6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究
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微纳电子技术 2024年 第7期61卷 86-92页
作者： 李帅 房玉龙 芦伟立 王健 郝文嘉 李建涛 陈宏泰 王波 牛晨亮 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄050051
随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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