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主题

  • 3 篇 射频磁控共溅射
  • 1 篇 直流
  • 1 篇 二氧化硅
  • 1 篇 gaas/sio2
  • 1 篇 纳米颗粒镶嵌薄膜
  • 1 篇 基底
  • 1 篇 半导体纳米材料
  • 1 篇 光谱
  • 1 篇 砷化镓
  • 1 篇 响应时间
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  • 1 篇 相变温度
  • 1 篇 w掺杂
  • 1 篇 电致变色
  • 1 篇 vox薄膜
  • 1 篇 激光z扫描
  • 1 篇 光学性质

机构

  • 1 篇 五邑大学
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 安徽大学
  • 1 篇 香港中文大学
  • 1 篇 中山大学
  • 1 篇 合肥工业大学

作者

  • 1 篇 蔡志岗
  • 1 篇 丁瑞钦
  • 1 篇 李润华
  • 1 篇 w y cheung
  • 1 篇 汪小小
  • 1 篇 王宁娟
  • 1 篇 宋泽润
  • 1 篇 都智
  • 1 篇 佘卫龙
  • 1 篇 于英敏
  • 1 篇 李合琴
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  • 1 篇 丘志仁
  • 1 篇 s p wong
  • 1 篇 储汉奇
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  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=射频磁控共溅射"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
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射频磁控共溅射GaAs/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质
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物理学报 2002年 第4期51卷 882-888页
作者: 丁瑞钦 王浩 于英敏 王宁娟 佘卫龙 李润华 丘志仁 罗莉 蔡志岗 W Y Cheung S P Wong 五邑大学薄膜与纳米材料研究所 江门529020 中山大学超快速激光光谱国家重点实验室 广州510275 香港中文大学电子工程系暨材料科技研究中心
应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAs SiO2 纳米颗粒镶嵌薄膜 .X射线衍射实验结果表明 ,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒 ,晶粒平均直径为 1.5— 3.2nm .吸收光谱展示了由于强量子限域引起的 1.5... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
直流/射频反应磁控溅射法制备W掺杂VO_X薄膜的工艺和性能
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真空 2011年 第4期48卷 65-68页
作者: 聂竹华 李合琴 都智 储汉奇 宋泽润 合肥工业大学材料科学与工程学院 安徽合肥230009 中国电子科技集团公司第43研究所 安徽合肥230022
用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
射频磁控溅射法制备Ag-WO3复合薄膜及电致变色性能的研究
射频磁控溅射法制备Ag-WO3复合薄膜及电致变色性能的研究
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作者: 汪小小 安徽大学
学位级别:硕士
W03薄膜是发现最早,研究最为深入的无机电致变色(Electrochromism)材料,在智能窗、显示器件、太阳能电池等领域具有非常好的应用前景。为了能够应用于实际,需要进一步提高其电致变色性能。因此,提高W03薄膜的调光性,延长循环寿命,缩... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论