检索结果-南通市图书馆

线性变掺杂高阻漂移区LDMOS导通电阻的建模

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子技术（上海） 2011年第5期38卷 66-68页

作者：王龙高珊陈军宁柯导明安徽大学电子信息工程学院

首先建立了线性变掺杂高阻漂移区LDMOS的导通电阻的模型,通过分析、计算,得出它的导通电阻的解析表达式,然后用MATLAB软件和MEDICI软件对总导通电阻和各部分电阻进行模拟。经过讨论,得出其性能优于均匀掺杂高阻漂移区LDMOS的结论。

关键词：横向扩散金属氧化物半导体高阻漂移区线性变掺杂导通电阻解析模型

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

接地导通电阻测试仪测量结果不确定度评定

中国计量 2011年第6期 80-81页

作者：王斌金潞浙江省嵊州市计量测试所

接地导通电阻测试仪是用于测量交流电网供电的电器设备的可触及金属壳体与该设备引出的安全接地端之间导通电阻的仪器。现主要对该仪器的电阻值进行测量结果不确定度评定。

关键词：不确定度评定电阻测试仪导通电阻接地端测量电器设备金属壳体电网供电

110kV输电线路电杆导通电阻测量研究分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

华中电力 2011年第3期24卷 65-68页

作者：王发义河南省信阳供电公司河南信阳464000

输电线路杆塔利用电杆(铁塔)本体作为接地引线。铁塔全金属结构,作为接地引线,其性能良好;而混凝土电杆是由地线支架穿钉通过内配钢筋至接地螺栓作为接地引线,由于连接的不可靠和不能检查,故混凝土电杆接地引线导通性能较差。测量电杆... 详细信息

输电线路杆塔利用电杆(铁塔)本体作为接地引线。铁塔全金属结构,作为接地引线,其性能良好;而混凝土电杆是由地线支架穿钉通过内配钢筋至接地螺栓作为接地引线,由于连接的不可靠和不能检查,故混凝土电杆接地引线导通性能较差。测量电杆接地电阻时,只把接地极这部分作为测量对象,忽视了对电杆本体这部分接地引线的测量,不能准确掌握输电线路电杆接地电阻的情况,从而给防雷治理和杆塔接地装置改造效果带来较大影响。通过选择典型的110 kV输电线路直线电杆(简称电杆)的导通电阻进行测量研究,为输电线路运行技术管理提供支持,为输电线路运行维护标准的完善和电杆设计制造工作提供信息支持。

关键词：输电线路导通电阻接地电阻研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

变电站地网导通电阻的模拟计算与分析

河南电力 2006年第4期34卷 7-10,39页

作者：张科寇晓适何智强陈守聚文习山张劲光河南电力试验研究院河南郑州450052 武汉大学电气工程学院湖北武汉430072 河南省电力公司河南郑州450052

通过模拟计算的方法研究了变电站地网导通电阻的变化规律。对于不同情况的地网进行了模拟计算,包括边缘部分断开、中间部位断开以及多处部位断开后的计算结果,得出不同情况下导通电阻的变化规律,结合变电站导通电阻的测试,并将测试数据... 详细信息

通过模拟计算的方法研究了变电站地网导通电阻的变化规律。对于不同情况的地网进行了模拟计算,包括边缘部分断开、中间部位断开以及多处部位断开后的计算结果,得出不同情况下导通电阻的变化规律,结合变电站导通电阻的测试,并将测试数据与计算数据比较后,可判断地网存在问题的位置,提出能够反映地网腐蚀的简单而有效的办法和判据。是对《电力设备预防性试验规程》DL/T596-1996关于导通的测试方法和判断依据的建议和补充。

关键词：模拟计算变电站地网腐蚀导通电阻

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究

哈尔滨理工大学学报 2012年第1期17卷 78-81页

作者：李婷王颖陈宇贤高松松程超哈尔滨工程大学信息与通信工程学院黑龙江哈尔滨150001

横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGB... 详细信息

横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计,实现了导通压降为1.0 V,薄外延层上小元胞尺寸,且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件.

关键词： LIGBT 沟槽击穿电压导通电阻导通压降

漏压对P-GaN HEMT导通电阻和阈值电压的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子科技 2021年第6期34卷 56-60页

作者：刘熙叶星宁电子科技大学电子科学与工程学院四川成都610000

为了研究漏极偏压变化对P-GaN器件可靠性的影响,文中对P-GaN商用器件进行漏极应力测试。通过改变漏极应力偏置电压和偏置时间,观察GaN器件导通电阻和阈值电压的变化。测试结果表明,无P-GaN漏极结构的器件导通电阻随着漏极电压变化先增... 详细信息

为了研究漏极偏压变化对P-GaN器件可靠性的影响,文中对P-GaN商用器件进行漏极应力测试。通过改变漏极应力偏置电压和偏置时间,观察GaN器件导通电阻和阈值电压的变化。测试结果表明,无P-GaN漏极结构的器件导通电阻随着漏极电压变化先增大后减小,而阈值电压几乎不受影响;有P-GaN漏极结构的器件导通电阻几乎不受影响,而阈值电压随着漏极电压变化先减小后增大。通过对器件不同加压时间的测试发现,随着时间增加,无P-GaN漏极结构的器件退化明显;而有P-GaN漏极结构的器件性能较为稳定。不同结构的商用GaN器件可靠性受漏极偏置条件变化的影响不同,应该根据应用条件选择合适器件。

关键词： P-GaN器件可靠性导通电阻阈值电压关态时间漏极电压表面陷阱

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

MOS管毫欧级导通电阻测试方法

电子技术与软件工程 2019年第21期 225-226页

作者：秦国林许娟蔡建荣杨勇刘星宇中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆市400060 重庆西南集成电路设计有限责任公司重庆市400060

本文通过介绍MOS管导通电阻测试的原理,分析了常用方法造成毫欧级导通电阻测试结果不准确的因素,详细介绍了导通电阻测试的两种改进方法-间接测试法和直接测试法,同时给出了两种方法的测试原理,并通过实际的测试结果,证明了这两种改进... 详细信息

本文通过介绍MOS管导通电阻测试的原理,分析了常用方法造成毫欧级导通电阻测试结果不准确的因素,详细介绍了导通电阻测试的两种改进方法-间接测试法和直接测试法,同时给出了两种方法的测试原理,并通过实际的测试结果,证明了这两种改进方法能够切实满足测试需求,对解决类似的MOS管导通电阻测试问题有较为实用的意义。

关键词：直接测试法间接测试法导通电阻

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功率场效应晶体管VDMOS导通电阻的优化

微电子学 1991年第6期21卷 18-21页

作者：应建华刘三清秦祖新华中理工大学武汉430074

本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,计算出的I-V曲线随单元结构参数的不同有明显的改变,为实际研制工作提供了依据。

关键词：场效应晶体管 VDMOS 导通电阻

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

集成电路中MOS管导通电阻测量方法

电子与封装 2016年第11期16卷 10-13页

作者：韩新峰顾卫民中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035

MOS管是一种常见的半导体功率器件,随着半导体产业的不断发展和进步,MOS管的各方面性能也得到大幅度的提高,被广泛应用于开关电源、节能灯、电源转换和电源控制等领域。在功率电路中,MOS作为一种多子功率开关器件,其导通电阻是至关重要... 详细信息

MOS管是一种常见的半导体功率器件,随着半导体产业的不断发展和进步,MOS管的各方面性能也得到大幅度的提高,被广泛应用于开关电源、节能灯、电源转换和电源控制等领域。在功率电路中,MOS作为一种多子功率开关器件,其导通电阻是至关重要的参数之一,会影响到应用电路的稳定性和功耗。因此在集成电路测试中对于MOS管导通电阻的精确测量显得尤为重要。对于MOS管导通电阻的测量做了详细分析,并介绍了两种可以准确测量MOS管导通电阻的方法。

关键词： MOS管导通电阻测试