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激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

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强激光与粒子束 2015年第5期27卷 233-237页

作者：张永平陈之战石旺舟章林文刘毅谌怡上海师范大学物理系上海200234 中国工程物理研究院流体物理研究所四川绵阳621900

采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.... 详细信息

采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7mJ增加到43.9mJ时,光导开关的导通电阻从295Ω降低到197Ω。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。

关键词：光导开关钒掺杂4H-SiC 横向电极结构导通电阻

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沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究

北京工业大学学报 2011年第3期37卷 342-346页

作者：王颖程超胡海帆哈尔滨工程大学信息与通信工程学院哈尔滨150001

为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击... 详细信息

为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.

关键词：沟槽栅MOSFET 导通电阻击穿电压器件仿真

多场极板LEDMOS表面电场和导通电阻研究

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固体电子学研究与进展 2006年第2期26卷 157-161页

作者：孙伟锋易扬波陆生礼东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096

研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实... 详细信息

研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实验结果都表明:多块场极板是提高LEDM O S击穿电压的一种有效方法,而且场极板对导通电阻的影响很小。研究结果还表明:由于金属铝引线下面的氧化层很厚,所以铝引线几乎不会影响到LEDM O S的击穿特性。

关键词：表面电场导通电阻击穿电压场极板

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低导通电阻4H-SiC光导开关

强激光与粒子束 2015年第12期27卷 242-245页

作者：孙艳玲杨萌宋朝阳石顺祥郭辉西安电子科技大学物理与光电工程学院西安710071 西安电子科技大学微电子学院西安710071

研制了以4H-SiC为基底材料的同面型光导开关,研究了磷离子注入对器件性能的影响。测试结果表明,采用磷离子注入能够有效降低电极处的体电阻,光导开关单位电极间隙的最小导通电阻为3.17!/mm。实验研究了偏置电压和光脉冲能量对导通电阻... 详细信息

研制了以4H-SiC为基底材料的同面型光导开关,研究了磷离子注入对器件性能的影响。测试结果表明,采用磷离子注入能够有效降低电极处的体电阻,光导开关单位电极间隙的最小导通电阻为3.17!/mm。实验研究了偏置电压和光脉冲能量对导通电阻的影响,在偏置电压10kV、光能量为30.5mJ的条件下,器件的输出功率超过2.0 MW。结果表明,研制的开关具有输出波形稳定、抖动小、功率大等特点。

关键词：碳化硅光导开欧姆接触离子注入导通电阻

pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化

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东南大学学报（自然科学版） 2011年第3期41卷 522-525页

作者：郑维山孙虎刘斯扬孙伟锋南京大学电子科学与工程学院南京210093 南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096

研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同... 详细信息

研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同时改善导通电阻和阈值电压的退化.借助TCAD仿真软件,模拟分析了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的pLEDMOS器件的离子产生率和纵向电场,模拟结果解释了各种退化现象的机理,同时表明碰撞电离率和纵向电场的优化是改善器件参数退化的有效手段.

关键词： pLEDMOS 热载流子注入导通电阻阈值电压退化

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高压LDMOS导通电阻的高温特性分析

电子学报 2002年第8期30卷 1111-1113页

作者：柯导明陈军宁安徽大学电子工程系安徽合肥230061

本文提出了高压LDMOS的高温等效电路 ,讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在 2 5℃～ 30 0℃范围内随温度变化规律 .根据本文分析 :源漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度 ;导通电阻与温度的关系是 (T/T1) y(y为 1 5～ 2 5 ) .

关键词：高压LDMOS 导通电阻高温等效电路泄漏电流本征参数

用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型

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Journal of Semiconductors 2005年第10期26卷 1983-1988页

作者：孟坚高珊陈军宁柯导明孙伟锋时龙兴徐超安徽大学电子科学与技术学院合肥230039 东南大学国家ASIC工程中心南京210096

分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比.结果... 详细信息

分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比.结果表明两者相差仅5%,这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计.

关键词：阱区双扩散MOS晶体管导通电阻解析模型

改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管

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电子学报 2002年第2期30卷 298-300页

作者：何进张兴黄如林晓云何泽宏北京大学微电子学研究所北京100871 绵阳应用电子技术研究所四川绵阳646300

本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管新结构 .用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURFLDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证 .结果表明 :在相同的漂... 详细信息

本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管新结构 .用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURFLDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证 .结果表明 :在相同的漂移区长度下 ,该新结构较之于优化的常规RESURFLDMOS晶体管 ,它的击穿电压可由 178V提高到 2 34V ,增加了 1 5倍 ,而比导通电阻却从 7 7mΩ·cm2 下降到 5mΩ·cm2 ,减小了 30 % ,显示了很好的击穿电压和导通电阻折中性能 .

关键词： LDMOS器件 RESURF原理线性变化掺杂漂移区击穿电压导通电阻晶体管

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沟槽MOSFET耐压与导通电阻的优化设计

电子元件与材料 2020年第12期39卷 71-76页

作者：乔杰冯全源西南交通大学微电子研究所四川成都611756

研究了沟槽MOSFET沟槽深度和沟槽宽度对导通电阻与耐压的影响。以击穿电压65 V的沟槽MOSFET器件为研究对象,仅改变沟槽深度或沟槽宽度,详细分析了导通电阻和耐压的变化以及产生相应变化的原因。使用Sentaurus TCAD对器件进行了模拟仿真... 详细信息

研究了沟槽MOSFET沟槽深度和沟槽宽度对导通电阻与耐压的影响。以击穿电压65 V的沟槽MOSFET器件为研究对象,仅改变沟槽深度或沟槽宽度,详细分析了导通电阻和耐压的变化以及产生相应变化的原因。使用Sentaurus TCAD对器件进行了模拟仿真,仿真结果表明,在控制其他参数不变的条件下,导通电阻随沟槽深度的增大而逐渐减小,随沟槽宽度的增大而略微增大;耐压随沟槽深度的增大先增大后减小,随沟槽宽度的增大逐渐增大。最后,得到了比导通电阻为0.79 mΩ·cm^2,耐压为81 V的优化设计。

关键词：沟槽MOSFET 导通电阻击穿电压沟槽深度沟槽宽度