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  • 12 篇 期刊文献

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  • 12 篇 电子文献
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  • 2 篇 教育学
    • 2 篇 教育学

主题

  • 12 篇 导电机构
  • 2 篇 电工材料
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机构

  • 1 篇 长春第一汽车厂车...
  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 四川矿山机器厂
  • 1 篇 成都电焊机研究所
  • 1 篇 南京科技职业学院
  • 1 篇 上海工业大学
  • 1 篇 大庆钻井二公司
  • 1 篇 中山大学
  • 1 篇 中国科学技术大学
  • 1 篇 大庆石油学院

作者

  • 1 篇 邹连阳
  • 1 篇 段林峰
  • 1 篇 姚希贤
  • 1 篇 蒋洪瑶
  • 1 篇 王福生
  • 1 篇 许江
  • 1 篇 郭子臣
  • 1 篇 常玉莲
  • 1 篇 王生学
  • 1 篇 陈玉连
  • 1 篇 周勉 王渭源
  • 1 篇 申永良
  • 1 篇 李景德
  • 1 篇 雷德铭
  • 1 篇 张志宇
  • 1 篇 张昭曈
  • 1 篇 唐厚福
  • 1 篇 康洪
  • 1 篇 霍裕平
  • 1 篇 涂杰

语言

  • 12 篇 中文
检索条件"主题词=导电机构"
12 条 记 录,以下是1-10 订阅
掺杂离子晶体的导电机构
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南京大学学报(自然科学版) 1963年 第6期 86-103页
作者: 姚希贤 张昭曈
小迁移率离子晶体的能带宽度是很狭的,因而掺入一定杂质后晶体中的周期位将有偏离,从而理想晶体的概念不再适用,对这种晶体而言我们必须应用Heitler-London近似,在本文中我们计算了该类晶体载流子的迁移率,此外我们应用杂质位的起伏改... 详细信息
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缝焊机导电机构设计研究
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电焊机 1991年 第6期21卷 18-22页
作者: 康洪 王福生 成都电焊机研究所
本文对国内外多种导电机构进行了分析和计算,提出了大功率缝焊机导电机构的设计准则和导电副表面质量的新概念。最后推出一种大功率缝焊机导电机构的最佳结构形式。
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EK-700交流自动焊机导电机构及焊嘴技术改造
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机械 1984年 第10期 33-33页
作者: 唐厚福 四川矿山机器厂
EK-700型交流自动焊属六十年代生产的产品,1975年以来在我厂推广使用,经几年的实际操作证明,EK-700型交流自动焊机的导电机构和焊嘴存在的问题较多,该机导电机构采用整体压铸而成的铸铜件,焊嘴为双弹簧调整双轮式焊嘴(见图1)。
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ZnO压敏陶瓷晶粒间界效应
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中山大学学报(自然科学版) 1991年 第2期30卷 160-162页
作者: 朱梓英 雷德铭 李景德 中山大学物理学系
利用正电子湮灭技术研究了氧化锌的非线性电阻效应。由短寿命τ_1及其成份I_1随电流i变化曲线同压降曲线的相似性证明该成份属于传导电子和正电子的湮灭。实验结果支持Schot-tky势垒模型对晶粒间界提供的压敏效应的解释。
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MOS场效应晶体管特性与应用
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电子技术(上海) 1991年 第4期18卷 16-18页
作者: 蒋洪瑶 王生学 上海工业大学
一、MOS场效应晶体管导电机构及原理 MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件,图1是 N沟导 MOS管芯结构原理图,即在 P型硅基片上有两个 N^+扩散区,其中一个称源,用S表示,另一个称漏,用 D表示,在 D和 S间的硅片上覆盖了较薄的... 详细信息
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Al-I(10~2)-nGaAs势垒二极管中载流子的输运
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物理学报 1984年 第11期 1485-1494页
作者: 周勉,王渭源 中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海冶金研究所 上海交通大学应用物理系教师
在金属-高掺杂nGaAs之间加入薄氧化层(约10~2A)后,器件的I-V特性不再能用经典的金属-半导体接触理论来描述,而必须计入如下修正:电子由量子力学中的隧道效应穿过界面层势垒,由此引进透射系数P;反向偏置时,有效势垒高度因界面层及界面... 详细信息
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半导体物理基础
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物理 1974年 第1期 52-57页
作者: 许江
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轿车车轮CO2保护自动焊机
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电焊机 1981年 第4期 22-24页
作者: 申永良 长春第一汽车厂车轮分厂
目前,我国生产的各类中小型汽车车轮大都采用手工电弧焊方法焊接,生产率低,劳动强度大,焊接质量不稳。我厂在采用手工电弧焊焊接的《红旗》轿车车轮在使用中,曾发生过焊缝开裂事故。1978年我们改
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AT-QD1型抗断弧电弧喷涂设备及其应用状况
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化工机械 2016年 第1期43卷 116-118页
作者: 张志宇 段林峰 涂杰 南京科技职业学院
通过对国内外相关电弧喷涂设备的分析和比较,重点介绍了AT-QD1型抗断弧电弧设备喷枪的导电机构、技术指标和现场应用情况。与国内外同类型设备相比,该新型抗断弧电弧喷涂设备具有喷涂效率高、断弧率低及易损件使用寿命长等特点。
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n型简单半导体跳跃式导电的磁阻
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物理学报 1964年 第12期 1286-1288页
作者: 陈玉连 霍裕平 中国科学技术大学 1963年应届毕业生
近年来,Mikoshiba等人在理论上对低温下低掺杂半导体跳跃式导电的磁阻进行了讨论。他们假定杂质是均匀分布的,并且,对方向平均时乘上了施主对与电流夹角的余弦平方。这样,得到纵磁阻和横磁阻不相同的结论。但是,实际上杂质是无规分布的... 详细信息
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