检索结果-南通市图书馆

微电子学 2008年第5期38卷 637-641页

作者：李元刘政林邹雪城韩煜陈毅成华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

采用Atmel AT89C55微控制器,构建真实的密码电路攻击平台:在此低成本平台上,对微控制器指令的操作码和操作数进行了功耗分析实验。测量结果显示,运算中操作数变化的汉明权重与测量功耗差值之间存在线性关系;实验条件下,单位汉明权重能... 详细信息

采用Atmel AT89C55微控制器,构建真实的密码电路攻击平台:在此低成本平台上,对微控制器指令的操作码和操作数进行了功耗分析实验。测量结果显示,运算中操作数变化的汉明权重与测量功耗差值之间存在线性关系;实验条件下,单位汉明权重能够导致大约5mV功耗偏差。采用差分功耗分析(DPA)和相关功耗分析(CPA),对高级加密标准(AES)的加密操作进行了功耗攻击实验。结果表明,CPA方法具有更高的攻击成功率,并且明文样本数和均值滤波均能够显著影响CPA相关系数信噪比。

关键词：密码电路差分功耗分析相关功耗分析高级加密标准

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一种抗攻击密码电路的设计与实现

一种抗攻击密码电路的设计与实现

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作者：成世祺东南大学

学位级别：硕士

随着集成电路的发展,嵌入式产品的应用越来越广泛。但与此同时,一些应用场合对嵌入式产品的安全性提出了很高的要求,其中,对抵抗功耗分析攻击的要求尤为高。恒定功耗单元是抵抗功耗分析攻击十分有效的方法,而WDDL技术因具有资源消耗低... 详细信息

随着集成电路的发展,嵌入式产品的应用越来越广泛。但与此同时,一些应用场合对嵌入式产品的安全性提出了很高的要求,其中,对抵抗功耗分析攻击的要求尤为高。恒定功耗单元是抵抗功耗分析攻击十分有效的方法,而WDDL技术因具有资源消耗低、可移植性、可设计性等特点而得到广泛研究。本文重点研究了基于WDDL的抗功耗分析攻击DES密码电路的设计与实现。首先,本文介绍了功耗分析攻击的物理基础,阐述了各种功耗分析攻击技术的原理与方法,分析了现有的抗功耗分析攻击措施的优缺点,确定了本文基于WDDL的密码电路设计路线。其次,本文设计了基于FPGA的WDDL半定制设计流程,并在FPGA上实现差分布线。同时,本文设计了实测功耗分析攻击平台对设计的抗功耗分析攻击密码电路进行测试分析。最后,根据FPGA设计的成功经验,本文实现了基于SMIC-0.18um工艺的WDDL密码电路,设计了WDDL的ASIC设计前端和后端流程,并提出交叉线的差分布线方法,提高了差分布线负载平衡效果。同时,本文还设计了基于电子设计自动化软件的仿真功耗分析攻击平台,对WDDL的ASIC抗功耗分析攻击密码电路进行了测试评估。论文中给出了仿真和实测结果。实测结果表明,FPGA的抗攻击DES密码电路在50万条功耗轨迹下仍然未能攻破。仿真验证表明,攻破ASIC的抗攻击DES密码电路所需要的功耗轨迹数量是攻破无防护密码电路所需要功耗轨迹数量的150倍,WDDL的DES密码电路的抗功耗攻击能力大幅提高。

关键词：功耗分析攻击功耗分析攻击平台密码电路 WDDL

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高保密度电子密码锁电路研究

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集成电路应用 1998年第3期15卷 6-9页

作者：谢模旺卢全昌武汉汽车工业大学 430070

本文介绍作者研究的八位电子密码锁,用于保险箱及其它需要高度保密的地方。盖板上有10个编了号的按钮开关。电子线路以8级计数-译码器为主。密码内包括按钮号码和按捺顺序。还有一个按捺次数限制器,它起着短时禁止开销的功能。

关键词：电子密码锁密码电路保险箱结构

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基于忆阻器的二/三值逻辑电路设计与实现

基于忆阻器的二/三值逻辑电路设计与实现

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作者：陈鑫辉宁波大学

学位级别：硕士

与传统互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)相比,忆阻器作为一种新兴微纳器件,又称阻抗性随机访问存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)具有尺寸可缩性、高速翻转、低功耗、非易失性调控和与C... 详细信息

与传统互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)相比,忆阻器作为一种新兴微纳器件,又称阻抗性随机访问存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)具有尺寸可缩性、高速翻转、低功耗、非易失性调控和与CMOS兼容等特性。忆阻器在电压持续作用下,阻值会从低阻连续转变为高阻态或者从高阻态连续转变为低阻态,且在电阻调控过程中撤去电压后,阻值保持不变。根据忆阻器阻值状态变化,能应用于二值甚至多值逻辑电路中,且基于忆阻器的逻辑电路将具有存算一体(Compute-in-Memory,CIM)功能,减小芯片布线数量,提高系统集成度。忆阻器作为后摩尔定律时代重要器件之一,被认为是下一代计算体系最有希望的候选人之一。本文从优化逻辑电路性能角度出发,结合忆阻器特性,设计与实现基于忆阻器的逻辑电路。论文研究内容包含以下几个部分:1.忆阻器建模及制备:在惠普实验室(Hewlett-Packard,HP)对忆阻器制备研究基础上,制备了以HfO、ZnO、AlO等系列无机氧化物为阻变层的忆阻器。根据器件I-V曲线、阈值电压、尺寸大小、转变速率等参数,使用Verilog-A代码进行器件建模。然后,在Cadence、Mentor和Synopsys公司EDA软件进行器件仿真,确保建模后器件特性与制备器件特性一致。2.基于忆阻器的二值全加器电路设计:全加器电路是算术运算中常用模块和重要环节。随着处理数据量急剧增加,对加法器集成度提出更高要求。鉴此,本文从优化全加器面积和延迟角度出发,在二值完备集基础上设计并实现基于忆阻器的二值全加器电路,削弱数据移动和存储器之间存在较大的延迟时间和不必要功耗损失。3.基于忆阻器的三值乘法器电路设计:从Boolean逻辑完备集实现方式的角度出发,研究基于忆阻器的二值、三值单变量函数完备集及多变量函数完备集具体实现方法。三值逻辑完备集为文字运算和与门、或门,结合开关信号理论,设计基于忆阻器的三值乘法器电路。相比于传统乘法器,该新型乘法器具有高计算效率,低功耗,结构简单等优点。4.基于忆阻器的SIMON加密电路设计:近年来加密电路发展良好,但基于传统CMOS电路在运行过程中遭遇突然断电,会导致数据丢失。鉴此,本文以SIMON密码算法结构框架为基础,轮函数算法为重点,分别使用基于忆阻器与门链和异或链进行列混合和轮加密操作,反相器进行波形调整,最终在TSMC 65nm CMOS工艺下,使用Cadence公司软件完成仿真验证,实现断电记忆功能。基于忆阻器的加密芯片将具有更高集成密度、更低操作电压、更低功耗以及快速度。5.基于BP算法的忆阻器多层感知器网络实现:为进一步提高忆阻器计算能力和集成度,制备32×32忆阻器阵列,表征忆阻器微观结构,测试忆阻器电学性能及突触基本增强和抑制功能等突触特性。神经网络以MNIST(Mixed National Institute of Standards and Technology)为数据库,结合BP算法和忆阻器特性,以异位训练方法实现手写数字识别,在64个电导态、电导范围为45u S-140u S下,识别准确率达到97.3%。

关键词：逻辑电路忆阻器密码电路神经计算算术运算

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电子四新快讯

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信息产业报道 1995年第2期 121-128页

DZTF·SX·95003 母子 BP 机衡阳市电子研究所(衡阳市人民路36号)/421001/黄智伟/(0734)223530成果简介:该机电路采用超高频无线电收发技术和数字编码技术,具有4096组密码。整机采用SMT 工艺制作,超薄造型(40 mm×40 mm×10 mm),电池供... 详细信息

DZTF·SX·95003 母子 BP 机衡阳市电子研究所(衡阳市人民路36号)/421001/黄智伟/(0734)223530成果简介:该机电路采用超高频无线电收发技术和数字编码技术,具有4096组密码。整机采用SMT 工艺制作,超薄造型(40 mm×40 mm×10 mm),电池供电。具有指示遗失和寻找功能,适合携带小孩和易遗失物品(如公文包、大哥大电话机、行李等)防遗失防盗窃场合下使用。DZTF·SX·95007 音象净电保护器衡阳市电子研究所(衡阳市人民路36号)/421001/黄智伟/(0734)223530