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有强内电场的GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收（英文）

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红外与毫米波学报 2015年第5期34卷 538-544页

作者：张立广州番禺职业技术学院电子技术与材料开发研究所广东广州511483

采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式... 详细信息

采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式.以AlN/GaN/AlxGa1-xN/AlN阶梯量子阱为例进行了数值计算.结果发现阶梯量子阱的阱宽Lw、阶梯垒宽Lb、阶梯垒的掺杂浓度x的减小将提高体系的吸收系数.而且,随着Lw,Lb和x减小,吸收光子的能量有明显的蓝移,总吸收系数的半宽度及饱和吸收强度均减小.计算获得的部分结果与最近的实验观察完全一致.

关键词：密度矩阵方法吸收系数内电场

氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应

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红外与毫米波学报 2007年第4期26卷 251-255页

作者：张立广州番禺职业技术学院电子与机械系广州番禺511483

理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸... 详细信息

理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率.

关键词：密度矩阵方法氮化物耦合量子阱内建电场二次谐振波产生

电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响

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红外与毫米波学报 2005年第5期24卷 378-380,385页

作者：张立广州番禺职业技术学院电子与机械系广东番禺511483

利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、... 详细信息

利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、外加直流电场强度的依赖关系.结果发现,总折射率改变敏感地依赖于这些因素.

关键词：非线性光学半抛物量子阱密度矩阵方法电场折射率改变

加偏置电场的双曲线量子阱中的光整流效应(英文)

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光子学报 2007年第5期36卷 812-815页

作者：谭鹏郭康贤路洪佛山科学技术学院理学院物理系广东佛山528000 广州大学理学院物理系广州510405

用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了数值计算。研究结果表明,该势阱中的光整流系数与势阱的形状和偏置电场的强度有关。通过调节势阱参量a以... 详细信息

用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了数值计算。研究结果表明,该势阱中的光整流系数与势阱的形状和偏置电场的强度有关。通过调节势阱参量a以及外加偏置电场,在该势阱中可获得一个大的光整流系数.

关键词：非线性光学双曲线量子阱密度矩阵方法光整流效应

非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文)

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光子学报 2001年第11期30卷 1314-1317页

作者：王光辉郭康贤广州大学物理系广州510405

本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率 ,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式 .最后 ,以典型的 Ga As/ Al Ga As非对称量子阱为例作了数值计算 .数值结果表明 ,较... 详细信息

本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率 ,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式 .最后 ,以典型的 Ga As/ Al Ga As非对称量子阱为例作了数值计算 .数值结果表明 ,较大的二次谐波极化率与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大。

关键词：二次谐波极化率非对称量子阱密度矩阵方法量子光学二阶非线性光学极化率

Morse势阱中线性和三阶非线性光折射率的改变

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发光学报 2005年第5期26卷 569-574页

作者：于凤梅郭康贤王克强仲恺农业技术学院计算机与电子工程学院广东广州510225 广州大学桂花岗校区物理系广东广州510405

利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势... 详细信息

利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势阱参数a的增大,总的折射率改变将减小;而随着载流子浓度的增加,总的折射率改变将增加。结果表明要获得较大的折射率改变,则需选取较小的入射光强度,较小的参数a,较大的载流子浓度,从而为实验研究提供理论依据。

关键词：非线性光学光折射率改变 Morse势阱密度矩阵方法

正切平方势阱中线性和三阶非线性光学吸收系数的计算

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量子电子学报 2013年第6期30卷 690-695页

作者：周丽萍于凤梅仲恺农业工程学院信息学院广东广州510225

研究了正切平方势阱中的子带光吸收,用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法推导出了正切平方势阱中线性和三阶非线性光学吸收系数的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs正切平方量子阱为例进行数值计算。计算结果表明,该势阱中的势阱宽... 详细信息

研究了正切平方势阱中的子带光吸收,用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法推导出了正切平方势阱中线性和三阶非线性光学吸收系数的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs正切平方量子阱为例进行数值计算。计算结果表明,该势阱中的势阱宽度b、势阱深度V_0和入射光强I对吸收系数有很大影响。随着势阱宽度b的增加和势阱深度V_0的减小,总吸收系数的峰值减小并且向低能方向移动。随着入射光强I的增加,总吸收系数会减小,出现了光饱和吸收现象,同时吸收谱线的线宽随着入射光强的增大而增大。

关键词：非线性光学光吸收系数密度矩阵方法正切平方势阱

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分子动力学优化控制的线性理论

原子与分子物理学报 1998年第S1期15卷 161-162页

作者：赵仪韩克利何国钟 Y.J.Yan 西北师大物理系大连化学物理研究所十一室香港科技大学化学系

从密度矩阵方法出发，得出了分子动力学优化控制的线性公式，并进一步简化得到数值上容易实现的简单公式。

关键词：分子动力学优化控制线性控制理论密度矩阵方法波函数控制过程分子系统大连化学物理研究所数值方法优化控制理论

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非对称量子阱中非线性光学吸收系数的计算

发光学报 2006年第3期27卷 303-307页

作者：谭鹏郭康贤路洪佛山大学物理系广东佛山528000 广州大学物理系广东广州510405

非对称量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起人们的广泛关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义。以P schl-Teller势阱为例研究了影响非对称量子阱中的非线性光学吸收系数的因... 详细信息

非对称量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起人们的广泛关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义。以P schl-Teller势阱为例研究了影响非对称量子阱中的非线性光学吸收系数的因素。考虑到带间的电子弛豫,用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了P schl-Teller势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式。因该势阱中有两个可调参数,通过调节系统的参数,发现该系统的非线性光学吸收系数呈规律性的变化。以典型的GaAs/A lGaAs非对称量子阱为例作了数值计算,通过调节系统的参数,数值计算结果表明,入射光强以及系统的非对称性对量子阱的非线性光学吸收系数有较大的影响,从而为实验上研究非对称量子阱的非线性光学效应提供了必要的理论依据。

关键词：非对称量子阱非线性光学吸收密度矩阵方法