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学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
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  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 3 篇 室温pl谱
  • 2 篇 半导体
  • 1 篇 光致发光
  • 1 篇 zno薄膜
  • 1 篇 外延层
  • 1 篇 薄膜
  • 1 篇 张应力
  • 1 篇 光催化薄膜
  • 1 篇 直流磁控溅射
  • 1 篇 复合纳米结构
  • 1 篇 氧化锌
  • 1 篇 磷化铟
  • 1 篇 砷化钙
  • 1 篇 自组装量子点
  • 1 篇 能级分布
  • 1 篇 tio2
  • 1 篇 砷化铟
  • 1 篇 结构

机构

  • 2 篇 浙江大学
  • 1 篇 吉林大学

作者

  • 1 篇 刘式墉
  • 1 篇 杨树人
  • 1 篇 张高洁
  • 1 篇 张冶金
  • 1 篇 汪爱军
  • 1 篇 陈维友
  • 1 篇 刘彩霞
  • 1 篇 汪雷
  • 1 篇 王新强

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=室温PL谱"
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排序：
直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温pl谱研究
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引用
材料科学与工程 2002年 第3期20卷 425-427页
作者： 汪雷 浙江大学硅材料国家重点实验室 浙江杭州310027
ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料 ,对短波长的光电子器件如UV探测器 ,LED和LD有着巨大的潜在应用。本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,晶粒大小约为 10 0nm ,晶粒内为结... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温pl谱的研究
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引用
吉林大学自然科学学报 2001年 第1期 57-60页
作者： 张冶金 王新强 陈维友 刘彩霞 汪爱军 杨树人 刘式墉 吉林大学电子工程系 长春130023
用五带 k· p模型计算 In As/ Ga As/ In P及 In As/ In P的室温 pl谱的能级分布 ,分析pl谱峰值 .发现 Ga As的张应变层影响 pl峰值位置 ,与 In As/ In P量子点相比 ,In As/Ga As/ In P量子点 pl谱峰值有明显红移 。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
纳米复合结构二氧化钛光催化薄膜
纳米复合结构二氧化钛光催化薄膜
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引用
作者： 张高洁 浙江大学
学位级别：硕士
TiO化学性质稳定，无毒，在紫外光照射下产生的光生空穴氧化能力强，是一种极有应用前景的光催化剂。由于TiO光生电子-空穴对易复合以及对太阳光能量利用有限等缺点，限制了这种光催化剂的实际应用。本文研究复合纳米结构对TiO光催化效... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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