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半导体异质结及其在光电子学中的应用——2000年诺贝尔物理奖评述

物理 2001年第4期30卷 200-202,229页

作者：陈良惠中国科学院半导体研究所北京100083

瑞典皇家科学院 2 0 0 0年 10月 10日宣布 ,将 2 0 0 0年度诺贝尔物理奖授予三位科学家 ,他们是俄罗斯科学院圣彼得堡约飞技术物理研究所的Zh .***、美国加利福尼亚大学的HerbertKroemer和美国德克萨斯仪器公司的JackS .Kilby,以表彰他... 详细信息

瑞典皇家科学院 2 0 0 0年 10月 10日宣布 ,将 2 0 0 0年度诺贝尔物理奖授予三位科学家 ,他们是俄罗斯科学院圣彼得堡约飞技术物理研究所的Zh .***、美国加利福尼亚大学的HerbertKroemer和美国德克萨斯仪器公司的JackS .Kilby,以表彰他们为现代信息技术 ,特别是他们发明的高速晶体管、激光二极管和集成电路 (芯片 )所作出的奠基性贡献 .Kilby由于发明并发展了集成电路技术而获奖 ,通过这项发明 ,微电子学成为所有现代技术的基础 .Kilby的获奖成果已有另文 (见 2 0 0 1年第 3期《物理》)评述 .Alferov和Kroemer则是由于他们在半导体异质结及其在电子和光电子学中的应用方面的突出贡献而获奖 .

关键词：异质结光电子学半导体诺贝尔物理奖半导体激光器室温连续激射量子阱激光器

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我国首次实现室温连续发光的氮化镓半导体蓝光激光器

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激光与光电子学进展 2007年第6期44卷 7-7页

2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突... 详细信息

2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaS）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。

关键词：氮化镓半导体室温连续激射蓝光激光器中国科学院半导体研究所半导体激光器发光中国大陆产品化

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半导体所GaAs基长波长激光器研究取得重要进展

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新材料产业 2009年第1期 80-81页

中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的1．31μm波段GaAs基InGaAs异变量子阱激光器获得新进展，这种激光器采mGaAs基上生长的InGaAs异变（metamorphic）量子阱为有源区实现了1.33μm的室温连续激射，其阈值电流为目前已有报... 详细信息

中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的1．31μm波段GaAs基InGaAs异变量子阱激光器获得新进展，这种激光器采mGaAs基上生长的InGaAs异变（metamorphic）量子阱为有源区实现了1.33μm的室温连续激射，其阈值电流为目前已有报道的最好结果而受到国际关注。

关键词： InGaAs 长波长激光器半导体量子阱激光器室温连续激射阈值电流中科院有源区

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我国氮化镓蓝光半导体激光器研究获重大突破

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现代材料动态 2007年第7期 22-22页

由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓... 详细信息

由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。

关键词：半导体激光器氮化镓半导体蓝光激光器中国科学院半导体研究所室温连续激射中国大陆产品化产业化

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我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破

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传感器世界 2007年第5期13卷 46-46页

4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功，这是该研究小组继2004年11月16日首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标... 详细信息

4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功，这是该研究小组继2004年11月16日首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。

关键词：氮化镓半导体半导体激光器蓝光激光器中国科学院半导体研究所室温连续激射中国大陆产品化产业化

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我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破

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中国照明 2007年第6期 18-18页

近日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后又一个重大突破，标... 详细信息

近日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。

关键词：半导体激光器蓝光激光器氮化镓中国科学院半导体研究所室温连续激射中国大陆产品化 GaN

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氮化镓半导体蓝光激光器在我国研制成功

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光机电信息 2007年第6期24卷 58-58页

由中科院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器已取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破,

关键词：氮化镓半导体蓝光激光器室温连续激射半导体激光器中国大陆研究所中科院

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