检索结果-南通市图书馆

红外技术 2005年第4期27卷 324-327页

作者：赵晓燕鲁正雄中国空空导弹研究院河南洛阳471009

CdTe和CdZnTe是X射线和γ射线探测器最理想的材料。钝化可以降低CdTe和CdZnTe的表面漏电流,提高其能量分辨率。本文综述了CdTe和CdZnTe的H2O2湿法钝化方法和热氧化、氧离子钝化、氧离子/SiNx钝化等干法钝化方法。

关键词： CdTe CdZnTe 室温探测器钝化

石墨烯红外探测器将成为从红外到紫外的全光谱、超灵敏、超快室温探测器

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红外 2019年第2期40卷 46-48页

作者：高国龙(编译) 不详

红外辐射一般可以分为不同的范畴,即从0.8μm到3μm的近红外区域、从3μm到5μm的中波红外区域以及从8μm到12μm的长波红外区域。红外探测器的两个主要类别是热探测器和光电探测器。在热探测器中,热隔离的探测器元件吸收入射红外光子... 详细信息

红外辐射一般可以分为不同的范畴,即从0.8μm到3μm的近红外区域、从3μm到5μm的中波红外区域以及从8μm到12μm的长波红外区域。红外探测器的两个主要类别是热探测器和光电探测器。在热探测器中,热隔离的探测器元件吸收入射红外光子后会导致其自身温度上升。通过监测诸如电阻率或电容之类的电学参数,便可以测得该温度。

关键词：红外探测器室温探测器全光谱石墨烯超灵敏紫外红外区域热探测器

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室温InAsSb长波红外探测器的研制

光电子．激光 2010年第12期21卷 1751-1754页

作者：高玉竹龚秀英吴广会冯彦斌方维政同济大学电子与信息工程学院上海201804 陕西华星红外器件厂陕西西安712099 中国科学院上海技术物理研究所上海200083

用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8～12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量,位错密度达到104cm-2量级。室温下,霍尔测量得到的载流子浓度为1～3×1016cm-3,电子迁移率大于5... 详细信息

用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8～12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量,位错密度达到104cm-2量级。室温下,霍尔测量得到的载流子浓度为1～3×1016cm-3,电子迁移率大于5×104cm2/Vs。用此材料制得了2～9μm波段的高灵敏度In-AsSb室温红外探测器。该探测器为浸没型光导元件,安装了镀有SiO或ZnS增透膜的单晶Si光学透镜。在黑体温度为500K、黑体调制频率为800 Hz和外加偏置电流为10 mA的测试条件下,测得293K下该探测器的最高黑体响应度达到168V/W,黑体探测率为2～6×108cm·Hz1/2·W-1,峰值探测率大于1×109cm·Hz1/2·W-1。

关键词：室温探测器 InAsSb 红外材料黑体探测率

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室温长波MCT探测器研究

红外技术 1995年第3期17卷 6-8,5页

作者：苏培超雷胜琼程开芳昆明物理研究所

介绍了昆明物理所对室温长波Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器研究的进展情况。采用ＭＣＴ体晶材料已制备出室温８～１４μｍ光导探测器，其λｃ＝１１．６μｍ，Ｄ＊＝１．１６×１０７ｃｍＨｚ１／２／Ｗ。

关键词：碲镉汞探测器室温探测器长波探测器

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高能辐射室温探测器用TlBr单晶及其器件

材料导报 2008年第8期22卷 1-4,13页

作者：周东祥余石金胡云香龚树萍郑志平华中科技大学电子科学技术系教育部敏感陶瓷工程研究中心武汉430074

TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和γ射线探测用半导体材料之一。介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及TlBr单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料... 详细信息

TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和γ射线探测用半导体材料之一。介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及TlBr单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料提纯和晶体生长的主要方法及其特点,同时总结归纳出TlBr晶体生长和器件制备方面所存在的高质量材料制备问题、电极接触问题、器件结构设计问题和载流子收集问题,以及将来TlBr探测器领域的热点研究方向。

关键词： TIBr 晶体生长高能辐射室温探测器

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N型碲锌镉探测器的制备和性能

核技术 2005年第10期28卷 791-793页

作者：徐慧超张金洲沈浩元张光明中国科学院上海应用物理研究所仪器中心上海201800

碲锌镉(CZT)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率,因此近年来发展迅速。我们实验室已制成φ8mm×1.7mm灵敏体积的CZT探测器,室温22℃下对241A... 详细信息

碲锌镉(CZT)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率,因此近年来发展迅速。我们实验室已制成φ8mm×1.7mm灵敏体积的CZT探测器,室温22℃下对241Am放射源59.54keV能量的γ射线能量分辨率可以达到2.06keV(FWHM)(未使用准直器),连续测量没有极化效应,并且具有很好的长期稳定性。

关键词：碲锌镉(CZT) 室温探测器制备工艺性能

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基于新型二维拓扑材料的太赫兹光电探测器

基于新型二维拓扑材料的太赫兹光电探测器

作者：尹文琦电子科技大学

学位级别：硕士

随着太赫兹科学和技术的不断发展和进步,其在6G通信、生物医学、安检成像、空间物理和天文遥感等领域得到了广泛应用。具体来说,随着微纳加工技术、超快激光技术和二维材料研究方面的一系列突破,新型太赫兹探测技术也进入了高速发展阶... 详细信息

随着太赫兹科学和技术的不断发展和进步,其在6G通信、生物医学、安检成像、空间物理和天文遥感等领域得到了广泛应用。具体来说,随着微纳加工技术、超快激光技术和二维材料研究方面的一系列突破,新型太赫兹探测技术也进入了高速发展阶段。其中,新型太赫兹探测器是太赫兹探测技术的核心,能够将太赫兹信号转换为电学信号,并最终得到待测样品在太赫兹频段内的相关信息。目前,各种太赫兹探测器仍然存在着许多问题,因此,设计可室温工作,体积小,成本低,灵敏度高,噪声低的太赫兹探测器是目前太赫兹探测技术的重点目标。基于新型二维拓扑材料的探测器有着高灵敏度、响应速度快、可在室温工作等优势,所以本文对基于新型二维拓扑材料的太赫兹光电探测器进行了深入的研究。本论文的主要工作如下:首先,针对太赫兹频段辐射源功率较低以及探测器灵敏度有限等问题,设计和仿真了基于对称结构、非对称结构和纳米缝结构的场增强金属结构,通过回波损耗参数图、电场分布图以及水平方向上的场强幅值图,得到了具有较高场增强特性的仿真数据和相应的结构尺寸参数,为后续各类探测器的设计打下了基础。其次,自主搭建了部分工作频点的探测系统,包括波长为632nm的可见光激光器、10.6um中红外激光器,以及工作频率97GHz太赫兹固态电子学源和340GHz太赫兹返波管源。此外还设计和加工了实验所需的测试底座,搭建了探测器的电学和光学测试平台,并通过石墨烯微米线探测器对光路的实用性进行了验证。最后,制备了基于拓扑绝缘体硒化铋的探测器和基于高迁移率石墨烯的太赫兹探测器。具体来说,在基于场增强结构的高迁移率石墨烯探测器,其响应度可以达到37.5A/W,表明了其在太赫兹频段内具有高灵敏度、室温工作等特点。以上工作表明,基于新型二维材料的太赫兹探测器有望用于未来太赫兹探测技术。

关键词：拓扑绝缘体高迁移率石墨烯室温探测器场增强结构

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红外探测器的最新进展

大气与环境光学学报 2013年第1期8卷 1-10页

作者：陈长水刘荣挺刘颂豪华南师范大学激光生命教育部重点实验室广东广州510631

首先,简述红外光电探测器的发展历史以及分类,可分为室温探测器和低温探测器。然后对每种探测器所使用的材料进行了介绍,室温探测器介绍了氧化钒、无定型硅,低温探测器介绍了碲镉汞(HgCdTe)、量子阱和锡化物超晶格,以及它们在三代红外... 详细信息

首先,简述红外光电探测器的发展历史以及分类,可分为室温探测器和低温探测器。然后对每种探测器所使用的材料进行了介绍,室温探测器介绍了氧化钒、无定型硅,低温探测器介绍了碲镉汞(HgCdTe)、量子阱和锡化物超晶格,以及它们在三代红外光电探测器方面的研究进展。最后,介绍了黑硅材料以及黑硅在探测器应用中的最新进展。

关键词：红外探测器室温探测器低温探测器

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高效率红外光电阴极—InAsP-Cs2O

激光与光电子学进展 1971年第1期 27-28页

这种红外光电阴极会使钇铝石榴石激光器的地位极大地提高。这种探测器对于1.06微米的波长的灵敏度比普通的S-1光敏表面高10倍,对于钇铝石榴石激光器,将是一种兼备了高功率、高效率、连续波能力和紧凑等优点的良好的室温探测器。

关键词：高效率石榴石激光器石榴子石宝石光激射器电子器件光敏表面 InAsP-Cs2O 室温探测器量子产额量子产量 Cs

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用于X荧光分析的半导体探测器

常熟理工学院学报 2006年第2期20卷 91-93页

作者：徐慧超张金洲沈浩元中国科学院上海应用物理研究所仪器中心上海201800

随着X荧光检测方法的广泛应用,作为核心的探测器性能显得尤其重要。国内研制的Si(Li)X射线探测器,部分性能指标达到并超过了国外水平,为我国X荧光仪整体性能的提升,打下了良好基础。另外,碲锌镉(CZT)晶体作为一种新型半导体材料,由于原... 详细信息

随着X荧光检测方法的广泛应用,作为核心的探测器性能显得尤其重要。国内研制的Si(Li)X射线探测器,部分性能指标达到并超过了国外水平,为我国X荧光仪整体性能的提升,打下了良好基础。另外,碲锌镉(CZT)晶体作为一种新型半导体材料,由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率。因此近年来发展迅速。我们实验室已制成Φ8×1.7mm3灵敏体积的CZT探测器,室温22℃下对241Am放射源、59.54keV能量的γ射线能量分辨率可以达到/2.06keV(FWHM)(未使用准直器),连续测量没有极化效应,并且具有很好的长期稳定性。

关键词： Si(Li)探测器碲锌镉(CZT) 室温探测器性能 X射线元素分析