检索结果-南通市图书馆

红外与激光工程 2015年第5期44卷 1539-1543页

作者：王佑贞房亮刘彦民乔旷怡郭鹏中国科学院空间应用工程与技术中心北京100094

分析了工业级flash存储器件应用于空间电子产品时应考虑的温变规律和机理,并在-35~105℃的温度条件下对韩国三星公司生产的大容量flash存储器件K9××G08U×D系列进行了温循试验和高温步进应力试验,以评估其空间应用的可行性。试验结果... 详细信息

分析了工业级flash存储器件应用于空间电子产品时应考虑的温变规律和机理,并在-35~105℃的温度条件下对韩国三星公司生产的大容量flash存储器件K9××G08U×D系列进行了温循试验和高温步进应力试验,以评估其空间应用的可行性。试验结果显示:这一系列存储器在温度变化的情况下,电性能参数会发生规律性变化,其中页编程时间随温度的升高线性增大,105℃比-35℃时页编程时间增加15%;块擦除时间在低温条件下明显增大。在-35℃低温条件下,块擦除时间比常温条件高出72%,在105℃高温条件下,块擦除时间比常温条件高出10%。试验表明flash K9××G08U×D系列存储器能够在-35~105℃的环境下工作,器件可正常擦写读,坏块没有增加。页编程时间随着温度的增加而增加,但是,仍然在器件的最大页编程时间之内。但是,在低温环境下,擦除时间会明显增加,在空间应用时需为擦除操作预留足够的时间。

关键词：空间电子 flash存储器温变规律实验flash信号

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