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复旦学报(自然科学版) 1987年第2期 186-194页

作者：庞小峰严明李勤孙鑫四川师范大学固体物理研究所复旦大学物理学系

本文用格林函数研究了聚乙炔的链端附近的电子态.计算了链端为单键或双键时可能出现的链端定域态,其结果是:单键链端可形成链端定域态,其能级位于能隙中央,定域范围约为10个原子,实际上是一个链端孤子;双键链端则不存在这种定态域.

关键词：聚乙炔单键双键定域态链端孤子

量子化极限情况下MOS反型层二维电子气定域态电子电导率σxx的低频效应

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物理学报 1987年第4期 411-418页

作者：赵冷柱上海科学技术大学物理系

本文分析了量子化极限情况下MOS反型层二维电子气（2DEG）定域态电子电导率的频率特性。主要内容:（1）用费密分布函数随频率变化导出了在2DEG两种主要导电过程的频率特性。即向迁移率边激发导电过程电导率σME（ω）和可变程跳跃导电... 详细信息

本文分析了量子化极限情况下MOS反型层二维电子气（2DEG）定域态电子电导率的频率特性。主要内容:（1）用费密分布函数随频率变化导出了在2DEG两种主要导电过程的频率特性。即向迁移率边激发导电过程电导率σME（ω）和可变程跳跃导电过程电导率σVRH（ω）。发现:σME（ω）和σVRH（ω）是一个复数。（2）说明了σME（ω）有较长时间常数τn,对应一个低频过程。σVRH（ω）有较短时间常数,对应一个高频过程。（3）理论与实验作了比较,拟合结果表明,在实验条件下,向迁移率边Ec激发时间常数τn3.6×10-6。

关键词：定域态 xx 反型层量子化量子论朗道能级扩展态迁移率边电子输运变程跳跃电子气电导率电性电子轻子 MOS 二维

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激光共振拉曼光谱表征导电高分子定域态

激光共振拉曼光谱表征导电高分子定域态

如何理解工程电介质中极化与电导两个基本物理过程及其测量的科学原理与方法

第二届中国功能材料及其应用学术会议

作者：郑泽根重庆建筑大学

研究导电高分子定域态,激光拉曼光谱和分子轨道计算方法相结合是十分有用的手段。它的原理是:①用从可见到近红外域宽的激光作激发源测定导电高分子的共振拉曼光谱;②测定相应模型齐聚物游离基离子、离子和二价离子的共振拉曼光谱(即定... 详细信息

研究导电高分子定域态,激光拉曼光谱和分子轨道计算方法相结合是十分有用的手段。它的原理是:①用从可见到近红外域宽的激光作激发源测定导电高分子的共振拉曼光谱;②测定相应模型齐聚物游离基离子、离子和二价离子的共振拉曼光谱(即定域态模型化合物的拉曼光谱);③通过比较1)和2)的光谱表征导电高分子定域态;④对应于③中表征的导电高分子定域态,用分子轨道法计算荷电齐聚物结构;⑤根据④所得结果,用分子轨道法计算相应导电高分子电子结构;⑥通过比较计算结果与光谱数据,进一步讨论导电分子电子态结构和定域态。

关键词：导电高分子定域态激光共振拉曼

来源： cnki会议评论

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中国电机工程学报 2018年第23期38卷 6769-6789页

作者：雷清泉刘关宇哈尔滨理工大学电气与电子工程学院黑龙江省哈尔滨市150080 青岛科技大学先进电工材料研究院山东省青岛市266011

对法拉第提出的电介质是一种具有极化(储存电能)与仅能通过微弱电流的物质的原始定义做了新的合理诠释,提出按束缚能划分参加电介质极化与电导两个基本物理过程的基本物理单元,指出极化与电导的共存性。特别是介绍了复合电介质中具有分... 详细信息

对法拉第提出的电介质是一种具有极化(储存电能)与仅能通过微弱电流的物质的原始定义做了新的合理诠释,提出按束缚能划分参加电介质极化与电导两个基本物理过程的基本物理单元,指出极化与电导的共存性。特别是介绍了复合电介质中具有分形时间与分形逾渗结构,以及空间电荷相关的基础物理知识。提出空间电荷注入由浅至深陷阱的俘获截面判据以及电介质中类氢原子的陷阱模型。描述低电场下电介质极化与电导的时域–频域响应,补充了与强低频弥散密切相关的分形时间与分形结构的普适响应。通过分析空间电荷极化与电导的相关研究方法,提出强电场下几种典型的电子电导相关性及其区分方法:等温衰减、热激电流与时域–频域谱在t/τp^1时三者之间的等效性;M. W微纳界面极化电子隧穿的尺度判据;SCLC(j-Vn)图形法分析陷阱深度与密度的相关特性;脉冲电声法仅是一种测量技术,而不是一种具有科学原理的测量方法;直流法的共性与互通性。针对科学研究方法的重要性,提出图形法、矩(重心)法、理解公式法,以及三种具体的研究方法。

关键词：极化与电导基本物理单元定域态空间电荷脉冲电流法热激电流直流法矩(重心)法

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栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型

物理学报 2003年第8期52卷 2046-2051页

作者：马仲发庄奕琪杜磊包军林李伟华西安电子科技大学微电子研究所西安710071

在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上 ,提出了氧化层击穿的逾渗模型 .认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累 ,并最终形成电导逾渗通路的结果 .指出在电场作用下 ,氧化层中产生深能级缺陷 ,缺陷形成... 详细信息

在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上 ,提出了氧化层击穿的逾渗模型 .认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累 ,并最终形成电导逾渗通路的结果 .指出在电场作用下 ,氧化层中产生深能级缺陷 ,缺陷形成定域态 ,定域态的体积与外加电场有关 .随着应力时间的增长 ,氧化层中的缺陷浓度增大 ,定域态之间的距离缩小 .当定域态之间的距离缩小到一个阈值时 ,定域态之间通过相互交叠形成逾渗通路 ,形成扩展态能级 ,漏电流开始急剧增大 ,氧化层击穿 .

关键词：栅氧化层逾渗模型 MOSFET 击穿物理机制缺陷定域态

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基于一维光子晶体超晶格的多通道滤波器

北京交通大学学报 2008年第3期32卷 53-55页

作者：邓立儿王永生周鑫荣罗亚衡王东栋北京交通大学理学院北京100044

利用传输矩阵方法,研究了由两种具有特定散射关系的一维光子晶体交替排列所形成的一维光子晶体超晶格的光学特性,讨论了势垒宽度,势阱宽度及势阱数目对其的影响.计算结果表明,通过改变超晶格的结构,可以调节在光子禁带中透射带的数目、... 详细信息

利用传输矩阵方法,研究了由两种具有特定散射关系的一维光子晶体交替排列所形成的一维光子晶体超晶格的光学特性,讨论了势垒宽度,势阱宽度及势阱数目对其的影响.计算结果表明,通过改变超晶格的结构,可以调节在光子禁带中透射带的数目、透射带中透射峰的数目,并且这些透射峰都具有很高的品质因子.这种光子晶体超晶格结构有望作为多通道滤波器在密集波分复用系统及集成光学系统中获得应用.

关键词：光子晶体超晶格定域态传输矩阵法

利用表面光电压谱研究MEH-PPV定域跃迁

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吉林大学学报（理学版） 2002年第2期40卷 190-193页

作者：康博南黄宗浩谢腾峰王德军常玉春刘杨宋俊峰张邦恒杜国同吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室长春130023 东北师范大学化学系长春130024 吉林大学化学科学学院长春130023 美国西北大学材料研究中心伊利诺斯60208

利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料 MEH-PPV的定域跃迁 ( 3 50～ 42 0 nm)与非定域跃迁 ( 42 0～ 60 0 nm) .实验证明。

关键词： MEH-PPV 表面光电压谱定域态定域跃迁共轭聚合物能级跃迁聚对苯乙炔光电性能

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非晶态半导体

西北师范大学学报(自然科学版) 1986年第1期 23-29页

作者：邢耀华

引言非晶态半导体种类很多,目前研究最多而且最有实用价值的非晶态半导体材料有两大类:一类是硫属玻璃,如As2Se3、ADS2S3、AS2Tl3等。另一类是由四面体键合的非晶态半导体材料,如非晶硅、锗等。早在五十年代人们就开始了对非晶态材料... 详细信息

引言非晶态半导体种类很多,目前研究最多而且最有实用价值的非晶态半导体材料有两大类:一类是硫属玻璃,如As2Se3、ADS2S3、AS2Tl3等。另一类是由四面体键合的非晶态半导体材料,如非晶硅、锗等。早在五十年代人们就开始了对非晶态材料和电子态的研究。1955年苏联的科兹洛夫等人

关键词：非晶态半导体硫属玻璃定域态扩展态非晶态材料科兹洛夫非晶硅非晶半导体变程跳跃电子态

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非晶硅的电导率和温差电动势率

北京大学学报(自然科学版) 1982年第5期 70-76页

作者：楚珏辉张国炳张天义北京大学物理系北京大学计算机科学技术系

本文测量了从77°K到470°K非晶硅的电导率和温差电动势率随温度的变化。样品分别由辉光放电法制备（样品1）和由真空蒸发法制备（样品2）。实验结果指出在300°K以上得到本征a-Si的电导激活能为0.25eV.（样品1）和0.62eV.（样品2）,和... 详细信息

本文测量了从77°K到470°K非晶硅的电导率和温差电动势率随温度的变化。样品分别由辉光放电法制备（样品1）和由真空蒸发法制备（样品2）。实验结果指出在300°K以上得到本征a-Si的电导激活能为0.25eV.（样品1）和0.62eV.（样品2）,和由温差电动势率得出的激活能为0.24eV.（样品1）0.65eV.（样品2）,二者基本上一致。并且得到定域带宽E;-E;分别为0.09eV.和0.25eV,跳跃激活能W为0.01eV.（样品1）,0.07eV.（样品2）。

关键词：非晶硅辉光放电法电导率电性温差电动势率定域态

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GaAs(110)面的紧束缚计算

物理学报 1981年第10期 1400-1405页

作者：徐永年复旦大学物理系

本文研究了GaAs(110)弛豫表面的紧束缚计算,采用了有饱和的slab(薄片)模型,来模拟半无限大的晶体。通常的slab模型有两个表面,本模型与其不同之处在于用类As和类Ga原子来饱和伸向体内的悬挂键,使之只保留一个表面,从而大大降低久期矩阵... 详细信息

本文研究了GaAs(110)弛豫表面的紧束缚计算,采用了有饱和的slab(薄片)模型,来模拟半无限大的晶体。通常的slab模型有两个表面,本模型与其不同之处在于用类As和类Ga原子来饱和伸向体内的悬挂键,使之只保留一个表面,从而大大降低久期矩阵的阶数。从计算的表面定域态密度表明,采用五层的有饱和的Slab模型,就可以得到较好的结果。

关键词：紧束缚计算定域态 GaAs 弛豫原子分子 110 紧束缚方法