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EO－PVA有机染料薄膜的存储特性研究

中国激光 1994年第7期21卷 587-592页

作者：魏振乾费浩生武鹏飞赵英英韩力吉林大学物理系吉林大学化学系

制备并研究了染料掺杂ＥＯ—ＰＶＡ有机材料膜片的存储性能．用氩离子单线激光作光源，获得了良好的实时和长时存储图像信息．最低存储功率密度可小于０．２Ｗ／ｃｍ２。分析了该材料的存储机理，确定了最佳存储参数。

关键词：存储特性有材染料薄膜 EO-PVA

Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管存储特性

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中国科学（E辑） 2001年第1期31卷 8-12页

作者：于军王华董晓敏周文利王耘波郑远开赵建洪谢基凡华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

采用脉冲激光沉积方法 (PLD)制备了Au/PZT/BIT/p Si结构铁电存储二极管 .对其铁电性能和存储特性进行了实验研究 .铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别约为 1 5 μC/cm2 和 48kV/cm ;1 0 9次开关极化... 详细信息

采用脉冲激光沉积方法 (PLD)制备了Au/PZT/BIT/p Si结构铁电存储二极管 .对其铁电性能和存储特性进行了实验研究 .铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别约为 1 5 μC/cm2 和 48kV/cm ;1 0 9次开关极化后剩余极化和矫顽场分别仅下降 1 0 %和增加 1 2 % ;观察到源于铁电极化的C V和I V特性回线 ;电流密度 + 4V电压下为 6 .7× 1 0 -8A/cm2 ;在 + 2V的读电压下 ,读“1”和读“0”电流有 0 .0 5 μA的明显差别 ;保持时间达 30min以上 .

关键词：铁电薄膜铁电存储二极管存储特性脉冲激光沉积金属-铁电-半导体结构金 PZT BIT 电滞回线

射频阱中基态Sc^(3+)与Ti^(3+)多电荷离子的产生及存储特性

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中国激光 2002年第2期29卷 149-152页

作者：蒋玉蓉聂宗秀李交美高克林中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室北京理工大学光电工程系.北京100081 北京理工大学光电工程系

结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉的离子束碰撞冷却方法 ,在射频阱中用激光溅射纯金属靶产生并选择囚禁了难熔元素钪与钛的低能多电荷离子Scn +(n =1～ 3)和Tin +(n =1～ 4)。在本底气压为 5 6× 10 - 7Pa下 ,测得Sc3 +与Ti3 +离子的... 详细信息

结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉的离子束碰撞冷却方法 ,在射频阱中用激光溅射纯金属靶产生并选择囚禁了难熔元素钪与钛的低能多电荷离子Scn +(n =1～ 3)和Tin +(n =1～ 4)。在本底气压为 5 6× 10 - 7Pa下 ,测得Sc3 +与Ti3 +离子的衰减速率分别为 1 98s- 1 与 0 5 8s- 1 。

关键词：射频离子阱多电荷离子激光溅射基态存储特性

MR/PVA薄膜的SP和PP偏振存储特性的比较

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物理实验 2003年第7期23卷 13-16页

作者：王广安陆建周爱华刘益春南京理工大学理学院江苏南京210094 杨柳乡陈楼职业中学安徽濉溪235119 东北师范大学理论物理研究所吉林长春130024

用两正交偏振光 (SP)和两 P偏振光 (PP)作为记录光 (λ=5 32 nm) ,记录光的功率均为 5 m W,用 He- Ne激光器 6 32 .8nm红光作为读出光 ,分别得到两种记录条件下甲基红掺杂聚乙烯醇薄膜 (MR/ PVA)样品的光栅生长曲线 .发现用两 P偏振光... 详细信息

用两正交偏振光 (SP)和两 P偏振光 (PP)作为记录光 (λ=5 32 nm) ,记录光的功率均为 5 m W,用 He- Ne激光器 6 32 .8nm红光作为读出光 ,分别得到两种记录条件下甲基红掺杂聚乙烯醇薄膜 (MR/ PVA)样品的光栅生长曲线 .发现用两 P偏振光作为记录光时 ,光栅生长曲线分为快、慢 2个过程 ;两正交偏振光作为记录光时 ,光栅生长曲线只有一个过程 ,前者的慢过程和后者过程的响应时间近于相同 .

关键词： MR/PVA薄膜甲基红掺杂聚乙烯薄膜光存储正交偏振光两P偏振光 SP PP 存储特性光存储材料

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MNOS晶体管的存储特性及其测量方法

半导体技术 1989年第1期5卷 25-27,37页

作者：钟雨乐赵守安暨南大学电子工程系

本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.

关键词： MNOS晶体管存储特性测量

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纳米晶存储特性的研究

半导体技术 2004年第10期29卷 15-19页

作者：唐文洁刘之景陶进绪刘磁辉中国科学技术大学近代物理系合肥230026 中国科学技术大学电子工程与信息科学系合肥230026 中国科学技术大学物理系合肥230026

常温下硅纳米晶构成的 MOSFET 存储器具有低压、低功耗、体积小、高剂量和快速读写等优良特性,在 ULSI 中有重要的应用前景。它是当前 ULSI 研究中的一项热门专题,在国外一些著名刊物上屡见报道。本文介绍了这种器件的存储特性及其机理... 详细信息

常温下硅纳米晶构成的 MOSFET 存储器具有低压、低功耗、体积小、高剂量和快速读写等优良特性,在 ULSI 中有重要的应用前景。它是当前 ULSI 研究中的一项热门专题,在国外一些著名刊物上屡见报道。本文介绍了这种器件的存储特性及其机理与最新研究进展。

关键词： ULSI MOSFET 体积小低功耗器件纳米晶存储器存储特性读写快速

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基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性

半导体技术 2011年第6期36卷 421-424页

作者：杨潇楠王永张满红张博刘明中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 上海宏力半导体制造有限公司上海201203

硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。... 详细信息

硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。

关键词：硅纳米晶非挥发存储器存储特性耐受性数据保持

非晶SiN膜的发光性质与非晶SiN/纳米Si/非晶SiN结构的存储特性研究

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非晶SiN膜的发光性质与非晶SiN/纳米Si/非晶SiN结构的存储特性研究

作者：谭大猛南京大学

学位级别：硕士

硅基非晶薄膜以及镶嵌在非晶薄膜中的纳米硅材料近几年来已被广泛的研究,这些材料在许多方面,包括新型存储器件,新一代太阳能电池和硅基光源等都有着重要的应用前景。本论文针对非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜和镶嵌在非晶氮化硅膜中的纳米硅... 详细信息

硅基非晶薄膜以及镶嵌在非晶薄膜中的纳米硅材料近几年来已被广泛的研究,这些材料在许多方面,包括新型存储器件,新一代太阳能电池和硅基光源等都有着重要的应用前景。本论文针对非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜和镶嵌在非晶氮化硅膜中的纳米硅材料进行了相关研究,主要包含两部分内容:第一部分研究了a-SiNx薄膜的发光特性。在我们前期工作的基础上,制备了不同氮硅(N/Si)比例的a-SiNx薄膜,通过研究薄膜的荧光寿命与N/Si比的关系,以及薄膜在不同时间尺度范围内的光致发光谱,进一步探讨了发光机制。进而基于具有不同N/Si比的a-SiNx薄膜制备了电致发光器件,观测到了电致发光行为的变化。第二部分是在制备出a-SiNx薄膜的基础上,通过热退火获得了镶嵌在a-SiNx薄膜中的纳米硅(nc-Si)材料,研究了材料的光学与电学性质,特别是探讨了镶嵌在a-SiNx薄膜中的nc-Si材料的载流子输运机制。在此基础上,通过热退火a-SiNx/a-SiNy/a-SiNx三明治结构制备了 a-SiN/nc-Si/a-SiN浮栅存储结构,研究了相应的电荷存储特性。本论文的主要研究内容和结果如下:(1)采用PECVD系统制备了具有不同N/Si比的a-SiNx薄膜,观测到了较强的室温光致发光(PL)信号,发光峰位随N/Si比的增大从685nm蓝移至540nm。在此基础上,深入研究了其发光机制。较大的斯托克斯位移说明样品的发光峰可能来源于禁带中局域发光能级的发光。由时间分辨瞬态荧光光谱发现,样品具有快态和慢态两个荧光衰减过程,快态寿命随N/Si比增大而增大,慢态寿命则与组分无关。我们收集样品在50ns和400μs内的发光谱后,发现二者几乎重合,结合我们先前的工作,认为样品只有一个与O-Si-N相关的局域发光能级,快态衰减过程表示载流子从带尾态弛豫至局域态的过程,慢态衰减过程代表了载流子在局域态中复合发光的过程。(2)在研究了不同N/Si 比的a-SiNx薄膜光致发光性质的基础上,制备了相应的电致发光器件,获得了波长可调的电致发光现象。由J-V曲线得到,样品的开启电压只有4V左右,且随着N/Si比的降低,电流密度显著增强。通过对J-V结果的分析,我们认为在器件开启后,Fowler-Nordheim隧穿为载流子的主要输运机制,且有效的载流子注入势垒随N/Si比的降低而降低。电导率的增大和载流子注入势垒的降低使得电致发光强度也明显增大。测得的电致发光谱与对应的光致发光谱几乎一致,因此我们认为它们具有相同的发光机制,都来源于载流子在O-Si-N相关的局域发光能级上的辐射复合。(3)在制备出富硅的a-SiN0.52薄膜的基础上,发现在1000℃高温退火后,可以形成平均尺寸在4nm左右的镶嵌在a-SiNx膜中的nc-Si量子点材料。高温退火后形成的nc-Si使得材料的载流子浓度和迁移率大大提高,相应的薄膜室温电导率提高了 3个数量级以上。通过对退火后薄膜的I-V曲线的分析,发现在较大电场作用下,Poole-Frenkel隧穿机制占主导作用。这可能是nc-Si在其中起到了“缺陷”辅助电子隧穿的作用。在此基础上,制备了 a-SiN0.81/nc-Si/a-SiN0.81三明治浮栅存储结构,存储窗口达到了 7V,电荷存储密度约为1012cm-2。实验结果表明,a-SiN能很好地钝化nc-Si界面态,使得载流子几乎全部存储在了 nc-Si量子点之中。

关键词：非晶氮化硅膜纳米硅量子点光致发光电致发光电荷输运机制存储特性

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掺硒硫砷玻璃的制备及其光存储特性

光学工程 1984年第3期 16-22页

作者：谢才清毛绍柏徐晓琴

叙述掺硒硫砷玻璃的制备工艺,其蒸发薄膜具有高效率位相存储效应。在同一点上记录多达十八重全息位相光栅以及六重图象存储,衍射效率达35～42％,分辨率可达4000～4100线对/毫米,灵敏度可达340毫焦耳/毫米~2,它是一种有希望的高密度全息... 详细信息

叙述掺硒硫砷玻璃的制备工艺,其蒸发薄膜具有高效率位相存储效应。在同一点上记录多达十八重全息位相光栅以及六重图象存储,衍射效率达35～42％,分辨率可达4000～4100线对/毫米,灵敏度可达340毫焦耳/毫米~2,它是一种有希望的高密度全息存储材料。

关键词：存储特性辐照时间组份分辨率鉴别率砷玻璃衍射效率全息记录介质全息存储全息位相光栅