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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电气工程
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 电流容量
  • 1 篇 压接
  • 1 篇 大尺寸igbt芯片
  • 1 篇 均流

机构

  • 1 篇 新型功率半导体器...
  • 1 篇 株洲中车时代半导...
  • 1 篇 株洲中车时代电气...

作者

  • 1 篇 覃荣震
  • 1 篇 刘国友
  • 1 篇 朱春林
  • 1 篇 黄建伟

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=大尺寸IGBT芯片"
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排序:
高压大电流(4500V/600A)igbt芯片研制
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电工技术学报 2021年 第4期36卷 810-819页
作者: 刘国友 黄建伟 覃荣震 朱春林 新型功率半导体器件国家重点实验室 株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司 株洲412001 株洲中车时代半导体有限公司 株洲412001
提高绝缘栅双极晶体管(igbt)单芯片电流容量,对减小封装器件芯片并联数、简化封装结构、改善芯片均流至关重要。该文基于高压、大电流、高可靠性igbt应用需求,通过高压igbt芯片坚强元胞设计及其协同控制技术实现了元胞之间的开关同步,... 详细信息
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