检索结果-南通市图书馆

检索条件"主题词=多次外延离子注入"

共 1 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

高压超结VDMOS雪崩耐量研究

高压超结VDMOS雪崩耐量研究

引用

作者：吴毅电子科技大学

学位级别：硕士

以垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,VDMOS)为代表的功率半导体开关在电子电力系统中扮演着重要角色。随着整个社会的环保意识越来越强,半导体... 详细信息

以垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,VDMOS)为代表的功率半导体开关在电子电力系统中扮演着重要角色。随着整个社会的环保意识越来越强,半导体开关的功耗与可靠性越来越被设计者与用户所重视。超结VDMOS通过在传统VDMOS的漂移区中引入交替的P/N柱形成超结结构,使器件在相同的击穿电压下能够将漂移区浓度提高一个数量级,从而极大减小了超结VDMOS的比导通电阻,具有更低的导通损耗,但相应的代价是更复杂的工艺。半导体开关器件在非钳位感性负载开关(Unclamped Inductive Switching,UIS)过程中会同时承受极端的高压和大电流,该种情形下引起的失效是半导体开关器件一种重要的失效形式,雪崩耐量用来衡量器件承受这种极端条件的能力。本文通过测试及仿真研究了超结VDMOS在UIS过程中的电流电压行为以及雪崩耐量的影响因素,提出了一种雪崩耐量提升的超结VDMOS新结构,基于实际工艺条件设计了新结构超结VDMOS的工艺流程。本文的主要内容包括以下几个方面:(1)介绍超结器件的原理,分析了超结VDMOS的击穿电压与比导通电阻之间的折衷关系优于常规VDMOS的原因。介绍雪崩耐量的测试电路及测试原理,分析了常规VDMOS在UIS过程中的失效机理。介绍功率器件的结终端技术,分析了常规结终端技术不适用于超结VDMOS的原因。比较了超结器件常用工艺的优缺点,并给出了超结VDMOS的工艺流程。(2)搭建超结VDMOS的雪崩耐量测试平台,测试了商用器件的雪崩耐量。结合仿真,根据超结VDMOS在UIS过程中的电流电压行为,分析了超结VDMOS在UIS下的失效机理,并探究了工艺过程以及外部因素对器件雪崩耐量的影响。(3)提出了一种具有漂移区变掺杂的超结VDMOS,分析了其提高雪崩耐量的原理。选择了灵活性高的多次外延离子注入工艺,利用TCAD工艺仿真平台设计了击穿电压等级为600V的漂移区变掺杂超结VDMOS。通过工艺仿真确定了元胞及结终端关键参数。对器件的基本特性进行了仿真,器件的元胞击穿电压为698V,比导通电阻为22.9mΩcm,雪崩耐量在传统超结VDMOS基础上提升了约12%,为623.9m J。

关键词：超结VDMOS 雪崩耐量变掺杂多次外延离子注入

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共1页 << < 1 > >>

回到顶部

执行限定条件

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：