检索结果-南通市图书馆

检索条件"主题词=多栅开关器件小信号模型"

共 1 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

GaAs pHEMT开关器件大信号模型研究

GaAs pHEMT开关器件大信号模型研究

引用

作者：章婷婷杭州电子科技大学

学位级别：硕士

目砷化镓(GaAs)作为重要、技术成熟度最高的宽禁带半导体化合物,广泛应用于现代无线通信系统以及光电系统中。GaAs PHEMT(膺配高电子迁移率晶体管)开关器件自发展以来凭借低插入损耗、高稳定性、良好的线性度以及低成本占据微波射频开... 详细信息

目砷化镓(GaAs)作为重要、技术成熟度最高的宽禁带半导体化合物,广泛应用于现代无线通信系统以及光电系统中。GaAs PHEMT(膺配高电子迁移率晶体管)开关器件自发展以来凭借低插入损耗、高稳定性、良好的线性度以及低成本占据微波射频开关以及衍生物市场的重要地位。器件模型又对射频开关等电路设计中承担着指导性以及决定性的作用。一个高精度的器件模型不仅仅是起着表征器件电学特性的作用,对提高器件性能,缩短电路设计时间以及缩短产品上市时间等也起着不可或缺的作用。本文以建立GaAs PHEMT开关器件大信号模型为主要研究,其研究工作可以概括如下:*** PHEMT开关器件大信号模型选型。首先对目前较为流行的三种经验基非线性模型(Angelov,EEHEMT,Curtice3)的拓扑结构、电流、电荷方程进行了讨论。然后,三种经验模型应用于同一尺寸同一测试条件的开关器件进行输出、转移等特性的模拟与测量曲线的对比。最后,根据对比结果为GaAs PHEMT开关器件大信号模型进行选型。*** PHEMT开关器件小信号模型的建立与验证。结合第二章相关开关器件的理论基础以及单栅型和多栅型的开关器件的差异,完成基于Angelov基开关器件的小信号拓扑结构的搭建以及参数提取。采用传输线理论,建立源-漏电压为零(V=0)情况下沟道的T型等效网络。量化沟道电阻为中间项,快速准确地在单栅型器件模型中提取了寄生参数,多栅器件模型中提取了本征参数。在0.1 GHz～20.1 GHz频段,多栅器件开态时S相对误差保持在15%以下,关态相对误差不超过2%;开态S相对误差仅仅为1.89%,不到2%,而关态S相对误差低于13%。*** PHEMT开关器件大信号模型研究与验证。结合Angelov模型特征,提出基于该模型的参数提取流程,并以不同栅型、不同栅宽的器件在0.1～20 GHz频段下的测量数据和仿真数据的拟合对比结果为依据,完成了该模型的直流、交流、功率等特性的验证。最后,对开关器件最重要的两项(隔离度、损耗)性能进行了规律总结。

关键词： GaAs PHEMT开关器件多栅开关器件小信号模型大信号经验模型参数提取

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共1页 << < 1 > >>

回到顶部

执行限定条件

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：