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  • 1 篇 ingaas材料
  • 1 篇 准弹道输运模型
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  • 1 篇 电子迁移率
  • 1 篇 双刀双掷开关
  • 1 篇 砷化镓单片集成电...
  • 1 篇 手机
  • 1 篇 量子电容

机构

  • 1 篇 复旦大学
  • 1 篇 南京电子器件研究...

作者

  • 1 篇 徐中仓
  • 1 篇 李拂晓
  • 1 篇 陈效建
  • 1 篇 蒋幼泉
  • 1 篇 邵凯
  • 1 篇 杨乃彬
  • 1 篇 高建峰
  • 1 篇 胡耀东
  • 1 篇 陈继义

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  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=多栅场效应晶体管"
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用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制
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固体电子学研究与进展 2002年 第3期22卷 326-328页
作者： 蒋幼泉 陈继义 李拂晓 高建峰 徐中仓 邵凯 陈效建 杨乃彬 南京电子器件研究所 210016
报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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作者： 胡耀东 复旦大学
学位级别：硕士
随着微电子技术在摩尔定律的不断推动下,器件尺寸不断缩小,平面硅基集成电路中的器件尺寸已经逼近了物理极限。为了按照摩尔定律继续向小尺寸MOSFET迈进,晶体管就必须在材料和结构上有所创新。FinFET有着优异的栅极控制力,而Ⅲ-Ⅴ材料... 详细信息
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