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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程(可...

主题

  • 3 篇 al诱导结晶
  • 3 篇 多晶ge薄膜
  • 1 篇 扩散控制层
  • 1 篇 晶向
  • 1 篇 低温退火
  • 1 篇 插入层
  • 1 篇 层交换
  • 1 篇 非晶ge薄膜

机构

  • 3 篇 佛山科学技术学院

作者

  • 3 篇 董少光
  • 3 篇 曾亚光
  • 3 篇 庄君活
  • 1 篇 陈晓涛

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=多晶Ge薄膜"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
在SiO2衬底上生长多晶ge薄膜的结晶机制研究
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佛山科学技术学院学报(自然科学版) 2019年 第6期37卷 11-17页
作者: 董少光 庄君活 曾亚光 佛山科学技术学院物理与光电工程学院
在低温条件下生长的多晶ge薄膜在光伏器件和电子器件领域具有非常广泛的应用。在实验研究中,利用Al诱导结晶的生长方法在200℃的低温条件下,在SiO2衬底上生长出结晶质量很好的多晶ge薄膜。实验中,特意在Al薄膜和非晶ge薄膜之间生长了一... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
基于ge插入层优化Al诱导结晶生长多晶ge薄膜的研究
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嘉应学院学报 2017年 第8期35卷 31-36页
作者: 董少光 庄君活 陈晓涛 曾亚光 佛山科学技术学院物理与光电工程学院 广东佛山528000
在低温条件下利用Al诱导结晶在绝缘衬底上生长高晶体质量的多晶ge薄膜.使用厚度为1~10 nm的ge插入层可以改善多晶ge薄膜的生长条件,ge插入层放置在Al层的下方.使用ge插入层的目的是提高ge原子在Al层中的超饱和浓度.ge插入层可以在275°... 详细信息
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基于Al诱导结晶在SiO_2衬底上生长(111)晶向平面多晶ge薄膜的研究
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佛山科学技术学院学报(自然科学版) 2018年 第4期36卷 1-5页
作者: 董少光 庄君活 曾亚光 佛山科学技术学院物理与光电工程学院 广东佛山528000
主要研究在SiO_2衬底上利用Al诱导结晶方法生长50 nm厚的多晶ge薄膜的过程。研究的重点主要集中在对多晶ge薄膜进行适当的低温退火处理以及ge和Al薄膜之间的扩散控制层精准厚度的把握上。当把退火温度控制在325℃、AlO_x扩散控制层的厚... 详细信息
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