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  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学
    • 1 篇 化学

主题

  • 2 篇 多晶铁电薄膜
  • 1 篇 晶粒取向
  • 1 篇 磁控溅射
  • 1 篇 相场法
  • 1 篇 fefet
  • 1 篇 压电性能
  • 1 篇 晶界厚度
  • 1 篇 铁电性能

机构

  • 1 篇 南京大学
  • 1 篇 湘潭大学
  • 1 篇 西安科技大学

作者

  • 1 篇 孙斌
  • 1 篇 张涛
  • 1 篇 李敏
  • 1 篇 周胜男
  • 1 篇 许保磊
  • 1 篇 张淑仪

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=多晶铁电薄膜"
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硅基三元系PMnN-PZT铁电薄膜制备与研究
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功能材料 2012年 第13期43卷 1759-1761页
作者： 张涛 张淑仪 李敏 周胜男 孙斌 西安科技大学理学院 陕西西安710054 南京大学声学研究所 江苏南京210093
利用磁控溅射方法在单晶Si基底上沉积三元系铁电薄膜6%PMnN-94%PZT(6%Pb(Mn1/3,Nb2/3)O3-94%Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3),采用淬火方法对薄膜进行处理,以促进薄膜钙钛矿结构形成。同时,在相同条件下制备非掺杂PZT(52/48)薄膜以对比薄膜掺杂效... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
晶粒取向和晶界对FeFET电学性能影响的相场模拟
晶粒取向和晶界对FeFET电学性能影响的相场模拟
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引用
作者： 许保磊 湘潭大学
学位级别：硕士
铁电场效应晶体管(FeFET)存储器因其低功耗、高读写速度、非挥发性、抗辐射、高集成度和非破坏性读出等优点,被认为是最有潜力的下一代存储器之一。铁电薄膜作为FeFET存储器的核心部分,其性能决定了铁电存储器工作的可靠性。相比单晶铁... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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