检索结果-南通市图书馆

无机材料学报 2011年第2期26卷 113-118页

作者：周震赵夔王耀明黄富强北京大学物理学院北京100871 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

在GaAs的(110)、(001)和(111)A、(111)B等极性晶面上,通过铜铟共溅-硒蒸镀的方法,分布外延生长出(220/204)、(001)和(112)结晶取向的单晶cis薄膜.系统考察了cis薄膜外延生长的结晶取向和表面微结构,发现了这些cis外延薄膜均需表面重构... 详细信息

在GaAs的(110)、(001)和(111)A、(111)B等极性晶面上,通过铜铟共溅-硒蒸镀的方法,分布外延生长出(220/204)、(001)和(112)结晶取向的单晶cis薄膜.系统考察了cis薄膜外延生长的结晶取向和表面微结构,发现了这些cis外延薄膜均需表面重构化而形成比表面能低的cis(112)晶面,结合晶体结构研究了各种晶面和比表面能的相关性.通过各种衬底下不同结晶取向的cis薄膜的太阳能电池组装,发现当cis薄膜生长具有(220/204)结晶取向时电池器件性能最好、效率最高,说明可通过控制cis薄膜的沉积条件和选用合适取向的衬底,增加吸收层(220/204)的结晶取向,从而显著提高cis薄膜太阳电池的光电性能.

关键词：外延cis薄膜结晶取向太阳电池性能

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