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基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术

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固体电子学研究与进展 2014年第2期34卷 F0003-F0003页

作者：赵岩程伟吴立枢吴璟石归雄黄子乾微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移... 详细信息

南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Sj衬底上（如图1所示），

关键词：外延层转移集成技术异构集成南京电子器件研究所 Si 剥离技术键合技术晶体管

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GaAs pHEMT外延层转移技术研究

固体电子学研究与进展 2014年第4期34卷 F0003-F0003页

作者：赵岩吴立枢石归雄程伟栗锐陈堂胜陈辰微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

随着化合物半导体技术日益成熟，利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路／系统性能，既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。

关键词：半导体技术外延层转移化合物半导体集成技术晶体管芯片

片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺

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红外与毫米波学报 2017年第2期36卷 220-224,234页

作者：郭春妍徐建星彭红玲倪海桥汪韬田进寿牛智川吴朝新左剑张存林中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室陕西西安710119 西安交通大学陕西西安710049 中国科学院大学北京100049 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所固态光电子信息技术实验室北京100083 首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室北京100048

提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H_2O溶液-H_2O_2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外延材... 详细信息

提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H_2O溶液-H_2O_2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外延材料电阻率在106Ω·cm量级.剥离半绝缘GaAs(SI-GaAs)衬底层与Al_(0.9)Ga_(0.1)As牺牲层得到1.5μm LT-GaAs与环烯烃聚合物(COP)键合的结构.原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高倍显微镜形貌表征表明剥离后的结构表面平整光滑,表面粗糙度(RMS)为2.28 nm,EDAX能谱仪分析显示该结构中不含Al组分,满足光刻形成光电导开关的要求.

关键词：片上太赫兹天线集成 LT-GaAs 外延层转移化学湿法腐蚀

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SOI技术及其发展和应用

压电与声光 2006年第2期28卷 236-239页

作者：古美良胡明天津大学电子信息工程学院天津300072

绝缘衬底上的硅(SOI)技术被誉为"21世纪的微电子技术"。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注入相结合及外延层转移等SOI的几种主流制备技术进行了概述,着重介绍了SOI在抗辐照... 详细信息

绝缘衬底上的硅(SOI)技术被誉为"21世纪的微电子技术"。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注入相结合及外延层转移等SOI的几种主流制备技术进行了概述,着重介绍了SOI在抗辐照、耐高温等高性能专用电路、光电子、微机械方面以及三维集成电路等领域的主要应用,最后讨论了近几年来SOI技术研究和发展的新动向。

关键词：绝缘衬底上的硅(SOI) 外延层转移应用

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晶体管级异质集成技术及其典型应用

固体电子学研究与进展 2023年第2期43卷 95-100页

作者：陈堂胜戴家赟吴立枢孔月婵周书同齐志央钟世昌凌志健南京电子器件研究所南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016

晶体管级异质集成是后摩尔时代半导体微波器件技术发展的重点方向。介绍了针对平面和纵向两类不同结构器件分别开发的介质键合和金属键合两套外延层转移晶体管级异质集成工艺,研制出基于介质键合工艺的金刚石衬底GaN HEMT微波功率器件... 详细信息

晶体管级异质集成是后摩尔时代半导体微波器件技术发展的重点方向。介绍了针对平面和纵向两类不同结构器件分别开发的介质键合和金属键合两套外延层转移晶体管级异质集成工艺,研制出基于介质键合工艺的金刚石衬底GaN HEMT微波功率器件和基于金属键合工艺的SiC衬底GaAs PIN限幅器电路。测试结果表明,与常规的SiC衬底GaN HEMT器件相比,金刚石衬底GaN HEMT器件在高热耗工作下器件热阻减小超过50%,连续波工作输出功率和功率附加效率分别提高0.77 dB和5.6个百分点;与常规工艺的GaAs衬底限幅器相比,18~40 GHz SiC衬底GaAs PIN限幅器单片电路限幅电平基本一致,插入损耗改善约0.2 dB,耐功率能力提高3 dB以上。

关键词：半导体微波晶体管晶体管级异质集成外延层转移低温键合微波功率器件限幅器

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SOI材料的制备技术

稀有金属 2002年第6期26卷 460-467页

作者：肖清华屠海令周旗钢王敬常青张果虎北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司北京100088

SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SO... 详细信息

SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果。降低制造成本。

关键词： SOI 注氧隔离智能剥离硅片键合减薄外延层转移硅

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SOG技术及其新进展

功能材料 2003年第3期34卷 262-264,268页

作者：宋华清石兢林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 武汉大学物理科学与技术学院湖北武汉430072

　SOG材料与传统SOI材料一样,拥有许多优良的电学性能,例如SOG电路具有高开关速度、高密度、低压和低功耗等优点。同时由于SOG材料具有突出的光电性能,在太阳能电池和液晶显示器等光电设备中也有着广泛的应用,引起了人们越来越广泛的关... 详细信息

　SOG材料与传统SOI材料一样,拥有许多优良的电学性能,例如SOG电路具有高开关速度、高密度、低压和低功耗等优点。同时由于SOG材料具有突出的光电性能,在太阳能电池和液晶显示器等光电设备中也有着广泛的应用,引起了人们越来越广泛的关注。本文综述了SOG材料的特点和应用,着重介绍了SOG材料的各种制备方法和新进展。

关键词： SOG技术 SOG材料 SOI材料制备电学性能外延层转移智能剥离