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电子学报 2007年第5期35卷 844-848页

作者：代月花高珊柯导明陈军宁安徽大学电子科学与技术学院安徽合肥230039

本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二... 详细信息

本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.

关键词：复合多晶硅栅 LDMOS 阈值电压

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复合多晶硅栅LDD MOSFET制造工艺研究

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微电子学 2011年第3期41卷 442-446页

作者：方磊代月花陈军宁安徽大学电子与信息工程学院合肥230039

通过工艺模拟软件TSUPREM,设计了一种复合多晶硅栅(DDPG-MOS FET)的制造工艺,并使用MEDICI软件对采用该工艺的器件的频率特性和瞬态特性进行分析。结果表明,DDPG-MOS制造工艺简单、完全与CMOS工艺兼容,其结构明显改善了传统MOSFET的多... 详细信息

通过工艺模拟软件TSUPREM,设计了一种复合多晶硅栅(DDPG-MOS FET)的制造工艺,并使用MEDICI软件对采用该工艺的器件的频率特性和瞬态特性进行分析。结果表明,DDPG-MOS制造工艺简单、完全与CMOS工艺兼容,其结构明显改善了传统MOSFET的多项性能,在射频领域具有很好的应用前景。

关键词：复合多晶硅栅 MOSFET 工艺模拟

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复合多晶硅栅LDDMOSFET的静态特性及截止频率研究

复合多晶硅栅LDDMOSFET的静态特性及截止频率研究

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作者：齐锐安徽大学

学位级别：硕士

近十年来,射频电路的研究得到了巨大的发展,在无线通信、医疗、遥感、全球定位和射频识别等领域得到广泛应用,电路的工作频率也迅速提升,对半导体器件频率特性的要求愈来愈高。近年不断有报道指出,SiGe、SiC等半导体材料或者SOI等新结... 详细信息

近十年来,射频电路的研究得到了巨大的发展,在无线通信、医疗、遥感、全球定位和射频识别等领域得到广泛应用,电路的工作频率也迅速提升,对半导体器件频率特性的要求愈来愈高。近年不断有报道指出,SiGe、SiC等半导体材料或者SOI等新结构制作成的MOSFET能达到上百G的频率,在高频、高温、大功率领域显示出一定的优势,但是这些技术必须建立在先进、复杂工艺制造的基础上,限制了它们的普遍应用。目前,硅基CMOS工艺技术仍是微电子的主流。本文介绍的复合多晶硅栅(Double Doping Polysilicon Gate, DDPG) LDD MOSFET采用纯硅基材料,通过对栅的设计,得到性能优异的新结构射频MOSFET.所设计的栅有S-gate和D-gate两块并列组成,S-gate用高功函数p多晶硅,D-gate用低功函数n多晶硅。靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压,表面电势的阶梯式分布屏蔽了漏端电势的影响,电场沿沟道有一个峰值,载流子呈现更大的平均漂移速度,其结果提高了驱动电流、跨导和截止频率。论文首先对半导体产业的发展进行了介绍,分析了器件特征尺寸的减小带来的挑战和器件结构的改进等等,其次介绍了复合多晶硅栅LDD MOSFET的结构设计,接着采用等效电路模型对小信号特性进行了详细的分析,并给出了电场、电势、阈值电压和截止频率的解析表达式,最后,运用MEDICI模拟软件分析了栅长、栅氧化层厚度、源漏区结深、栅极掺杂浓度、衬底掺杂浓度、温度等关键参数的影响,并与相同条件下p型单掺杂多晶硅栅(p+Single Doping Polysilicon Gate, P-SDPG)MOSFET的频率特性进行了比较,进一步探讨了改善MOSFET性能的途径。

关键词：复合多晶硅栅等效电路栅极掺杂浓度阈值电压截止频率

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复合多晶硅栅MOSFET直流与交流特性模拟研究

复合多晶硅栅MOSFET直流与交流特性模拟研究

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作者：李俊生安徽大学

学位级别：硕士

近十年来,随着射频集成电路的研究得到了巨大的发展,在无线通信、医疗、遥感、全球定位和射频识别等领域得到广泛应用,电路的工作频率也迅速提升,对半导体器件频率特性的要求愈来愈高。近年不断有报道指出,SiGe、SiC等半导体材料或者SO... 详细信息

近十年来,随着射频集成电路的研究得到了巨大的发展,在无线通信、医疗、遥感、全球定位和射频识别等领域得到广泛应用,电路的工作频率也迅速提升,对半导体器件频率特性的要求愈来愈高。近年不断有报道指出,SiGe、SiC等半导体材料或者SOI等新结构制作成的MOSFET能达到上百G的频率,在高频、高温、大功率领域显示出一定的优势,但是这些技术必须建立在先进、复杂工艺制造的基础上,限制了它们的普遍应用。目前,硅基CMOS工艺技术仍是微电子的主流。本文介绍的复合多晶硅栅(Single Material Double Workfunction Gate,SMDWG)) LDD MOSFET采用纯硅基材料,通过对栅的设计,得到性能优异的新结构射频MOSFET。所设计的栅有S-gate和D-gate两块并列组成,S-gate用高功函数p多晶硅,D-gate用低功函数n多晶硅。靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压,表面电势的阶梯式分布屏蔽了漏端电势的影响,电场沿沟道有一个峰值,载流子呈现更大的平均漂移速度,其结果提高了驱动电流、跨导和截止频率。论文首先对MOS场效应管的背景进行了介绍,分析了器件特征尺寸的减小带来的挑战和器件结构的改进等等,其次介绍了复合多晶硅栅LDD MOSFET的结构设计和工艺流程,并用Suprem软件仿真出SMDWG MOSFET的工艺流程。最后,运用MEDICI模拟软件分析了栅长、栅氧化层厚度和沟道掺杂浓度对器件的直流与交流特性的影响,并与相同条件下普通单掺杂多晶硅栅MOSFET的频率特性进行了比较。仿真结果发现,此结构很好的改善了MOSFET的性能,得出的结论对于结构的设计制作和性能优化具有一定的指导作用,在射频领域有很好的应用前景。

关键词：复合多晶硅栅 MEDICI SUPREM 输出特性转移特性阈值电压跨导特性电容

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