检索结果-南通市图书馆

人工晶体学报 2016年第9期45卷 2265-2268页

作者：高如琴耿悦李国亭谷一鸣孙倩华北水利水电大学环境与市政工程学院郑州450045

以钛酸丁酯为钛源,采用溶胶-凝胶法制备了Ag掺杂纳米TiO_2,结合XRD、TEM、Uv-vis等测试手段,对样品的结构和性能进行了表征。以甲基橙溶液为目标降解物,探讨了Ag掺杂纳米TiO_2的光催化活性,分析了Ag掺杂纳米TiO_2提高光催化性能的机理... 详细信息

以钛酸丁酯为钛源,采用溶胶-凝胶法制备了Ag掺杂纳米TiO_2,结合XRD、TEM、Uv-vis等测试手段,对样品的结构和性能进行了表征。以甲基橙溶液为目标降解物,探讨了Ag掺杂纳米TiO_2的光催化活性,分析了Ag掺杂纳米TiO_2提高光催化性能的机理。结果表明,Ag掺杂使TiO_2晶粒减小,拓展了TiO_2的光谱响应范围,降低了光生电子和空穴的复合几率;Ag掺杂后,TiO_2光催化剂的吸收光谱向可见光区发生红移。Ag掺杂量为n(Ag)∶n(TiO_2)=0.08%,紫外光下240 min,Ag掺杂纳米TiO_2前后材料对甲基橙溶液去除率由60.3%提高到83.1%。

关键词：溶胶-凝胶法二氧化钛 Ag掺杂光催化活性复合几率

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

GO-TiO2复合光催化剂深度处理印刷废水研究

引用

数字印刷 2020年第5期 90-97页

作者：龚苏宁王业明刘荣桂南通理工学院建筑工程学院南通226002

本研究通过两步法制备GO-TiO2复合纳米光催化剂,利用XRD、FTIR、PL、SEM和TEM对制备的样品进行表征。结果表明,GO与TiO2成功结合,形成GO-TiO2复合光催化剂,相比TiO2,GO-TiO2复合光催化剂的晶体结构无明显变化,表明GO的加入未影响TiO2的... 详细信息

本研究通过两步法制备GO-TiO2复合纳米光催化剂,利用XRD、FTIR、PL、SEM和TEM对制备的样品进行表征。结果表明,GO与TiO2成功结合,形成GO-TiO2复合光催化剂,相比TiO2,GO-TiO2复合光催化剂的晶体结构无明显变化,表明GO的加入未影响TiO2的晶体结构;GO-TiO2复合光催化剂的PL谱强度低于TiO2,表明GO-TiO2的光生电子-空穴复合几率更低。同时,以FeSO4和PAM为混凝剂和助凝剂对印刷废水进行预处理,再利用光催化剂对印刷废水进行降解。结果表明,FeSO4和PAM的投加量分别为0.6g/L和5mg/L,GO配比为3%,光催化剂用量为0.8g/L时,对印刷废水的处理效果最佳,COD去除率和色度去除率分别为90.6%和93.2%。并且GO-TiO2复合光催化剂具有良好的可重复性,重复使用10次后,COD去除率和色度去除率分别为88.4%和90.1%。

关键词：印刷废水 GO-TiO2 复合几率预处理光催化降解

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

含空穴传输和电子注入基的发光化合物的制备

引用

有机化学 2003年第Z1期23卷 203-204页

作者：冯丽恒别红彦张彩红陈兆斌山西大学化学化工学院太原030006 山西大学化学化工学院太原030006 山西大学化学化工学院太原030006 山西大学化学化工学院太原030006

　　对电致发光材料及器件(ELDs)发光性能的优化,一个重要的途径是在材料的组合中,要既具有空穴传输功能团,又具有电子注入功能团,并使两者的传输效率应尽量达到一个恰当的平衡,提高载流子传输中空穴与电子的复合几率,降低驱动电压,提... 详细信息

　　对电致发光材料及器件(ELDs)发光性能的优化,一个重要的途径是在材料的组合中,要既具有空穴传输功能团,又具有电子注入功能团,并使两者的传输效率应尽量达到一个恰当的平衡,提高载流子传输中空穴与电子的复合几率,降低驱动电压,提高激子的发生几率,并对发光材料的发光区域进行控制[1].为此,在电致发光材料的分子设计及合成上,常需提供分子中含有空穴传输功能基团和分子中含有电子注入功能基团的有机分子,作为构筑电致发光器件的材料化合物,或将这两种功能团纳入到一个有机分子或高分子中.……

关键词：空穴传输电子注入有机分子电致发光材料功能团功能基团电致发光器件载流子传输低驱动电压复合几率分子设计发光性能发光区域传输效率化合物高分子组合优化控制激子

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

1.8—4.2K GaAs1-xPx注N+,注Zn+光荧光谱

引用

物理学报 1984年第6期 833-839页

作者：徐俊英陈良惠弓继书徐仲英庄蔚华李玉璋许继宗吴灵犀中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所

本文研究了1.8—4.2K下离子注N,注Zn GaAs1-xPx样品的光致发光行为。实验结果表明由N-Zn跃迁完全转变到N束缚激子复合的x值依赖N,Zn的浓度。利用Campbell局域化模型计算了N-Zn跃迁与N束缚激子复合的几率比。这一几率比是组分x和N-Zn浓... 详细信息

本文研究了1.8—4.2K下离子注N,注Zn GaAs1-xPx样品的光致发光行为。实验结果表明由N-Zn跃迁完全转变到N束缚激子复合的x值依赖N,Zn的浓度。利用Campbell局域化模型计算了N-Zn跃迁与N束缚激子复合的几率比。这一几率比是组分x和N-Zn浓度的函数。在1.8K,在同一样品上我们清晰地观测到对应N-Zn跃迁与N束缚激子复合的光谱。

关键词：束缚激子 Zn x)P_x 玻尔半径光致发光子注荧光谱率比发光管复合几率

来源：

同方期刊数据库评论