检索结果-南通市图书馆

基质掺杂离子对(Y,Rn)_2O_2S∶Sm^(3+),Ti^(4+),Mg^(2+)(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

北京科技大学学报 2008年第1期30卷 49-52页

作者：张栌丹王明文刘世香张飞飞李文军北京科技大学应用科学学院北京100083

采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)_2O_2S∶Sm^(3+),Ti^(4+),Mg^(2+)(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺... 详细信息

采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)_2O_2S∶Sm^(3+),Ti^(4+),Mg^(2+)(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y3+半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨.

关键词：红色长余辉材料基质掺杂离子半径余辉时间

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基质掺杂对CdSiO_3∶Sm^(3+)体系红色长余辉发光材料的影响

引用

安徽化工 2008年第5期34卷 19-21页

作者：陈海英王明文刘世香陈学娟北京科技大学应用学院化学系

采用传统的高温固相反应合成了基质掺杂的Cd(RE1Si)O3:Sm3(+RE=Al,Ga,V,Mo,Zr,Ti,W)长余辉发光材料。用荧光光谱仪研究了对CdSiO3:Sm3+体系进行不同离子的掺杂所得样品的光谱性质。对离子掺杂影响产物性能的研究表明,掺杂离子电荷是主... 详细信息

采用传统的高温固相反应合成了基质掺杂的Cd(RE1Si)O3:Sm3(+RE=Al,Ga,V,Mo,Zr,Ti,W)长余辉发光材料。用荧光光谱仪研究了对CdSiO3:Sm3+体系进行不同离子的掺杂所得样品的光谱性质。对离子掺杂影响产物性能的研究表明,掺杂离子电荷是主要的影响因素,具有较高电荷的Mo、W的掺杂对产物的余辉时间具有明显的增强作用,其余辉时间分别达到453s和924s。

关键词：硅酸镉基质掺杂长余辉

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基质掺杂对Sm^3＋激活Y2O3S发光及长余辉性质的影响

引用

中国稀土学报 2006年第5期24卷 575-575页

作者：姚康王明文刘世香张栌丹李文军北京科技大学应用科学学院应用化学系北京100083

采用高温固相反应合成了基质掺杂的（Y，RE）2O2S：Sm^3＋（RE=Gd，Lu）长余辉材料，并用X射线粉末衍射仪表征其晶体结构，用Hitachi F-4500荧光光谱仪记录其激发、发射光谱和余辉衰减曲线，由ST-900PM微弱光光度计测量样品的余辉时间... 详细信息

采用高温固相反应合成了基质掺杂的（Y，RE）2O2S：Sm^3＋（RE=Gd，Lu）长余辉材料，并用X射线粉末衍射仪表征其晶体结构，用Hitachi F-4500荧光光谱仪记录其激发、发射光谱和余辉衰减曲线，由ST-900PM微弱光光度计测量样品的余辉时间（到人眼的最小分辨率0．32mcd·m^-2）。XRD研究结果证实产物均为单相的硫氧化钇，发光和余辉性质测试表明基质掺入一定浓度的Lu能提高产物的发光强度并延长其余辉时间．并对可能的作用机制进行了初步探讨。

关键词：硫氧化钇长余辉基质掺杂稀土

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

长余辉发光材料(Y_(1-x)Gd_x)_2O_3:Eu^(3+),Mg^(2+),Ti^(4+)的水热合成及其发光性能

引用

中国科技论文在线 2010年第3期5卷 245-248页

作者：杜雅琴王明文刘世香北京科技大学应用学院化学系北京100086

Y2O3:Eu3+是性能优异的红色发光材料,对其进行掺杂改性以获得余辉性能是开发红色长余辉材料的有效途径。采用水热法成功制备了Gd掺杂的红色长余辉发光材料Y2O3:Eu3+,Mg2+,Ti4+,前驱体为针柱状,晶化处理后发生团聚。样品的主发射峰位于60... 详细信息

Y2O3:Eu3+是性能优异的红色发光材料,对其进行掺杂改性以获得余辉性能是开发红色长余辉材料的有效途径。采用水热法成功制备了Gd掺杂的红色长余辉发光材料Y2O3:Eu3+,Mg2+,Ti4+,前驱体为针柱状,晶化处理后发生团聚。样品的主发射峰位于609nm,属于Eu3+在立方晶系中5D0-7F2的跃迁发射,余辉时间长达600s。XRD、TEM和发射光谱均显示,对前躯体进行晶化处理有利于形成性能更好的发光材料。基质掺杂Gd时有利于增长余辉时间和增大发光强度,但不改变体系的结构和发射峰形状。

关键词：水热法红色长余辉发光材料基质掺杂余辉时间

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：