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基片温度对Co掺杂ZnO薄膜室温铁磁性的影响(英文)

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稀有金属材料与工程 2008年第5期37卷 831-834页

作者：王朱良李小丽江凤仙田宝强吕宝华许小红山西师范大学山西临汾041004

采用磁控共溅射法在Al2O3（0001）基片上沉积了Zn1-xCoxO（x=0.08～0.31%）薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果表明：Al2O3（001）基片很好地诱导了ZnCoO薄膜（002）取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性。... 详细信息

采用磁控共溅射法在Al2O3（0001）基片上沉积了Zn1-xCoxO（x=0.08～0.31%）薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果表明：Al2O3（001）基片很好地诱导了ZnCoO薄膜（002）取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性。较低的基片温度不仅能有效抑制薄膜中Co2O3杂质相的产生,而且薄膜磁矩较大。紫外-可见光谱也表明,薄膜中Co^2＋取代了ZnO中Zn^2＋的位置。

关键词： Co掺杂的ZnO薄膜磁控共溅射基片温度铁磁性

基片温度对WO_3薄膜的微观结构和NO_2气敏特性的影响

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中国有色金属学报 2015年第3期25卷 740-746页

作者：沈岩柏张宝庆曹先敏魏德洲刘文刚高淑玲东北大学资源与土木工程学院沈阳110819

采用直流反应磁控溅射法,在不同的基片温度条件下制备出具有不同微观结构的WO3薄膜,探讨这些薄膜作为气敏材料对NO2气体的气敏特性。WO3薄膜的晶体结构、表面及断面形貌分别采用X射线衍射和扫描电子显微镜进行表征。结果表明:随着基片... 详细信息

采用直流反应磁控溅射法,在不同的基片温度条件下制备出具有不同微观结构的WO3薄膜,探讨这些薄膜作为气敏材料对NO2气体的气敏特性。WO3薄膜的晶体结构、表面及断面形貌分别采用X射线衍射和扫描电子显微镜进行表征。结果表明:随着基片温度的升高,具有单斜晶WO3结构薄膜的(200)衍射峰强度逐渐增强,薄膜由低基片温度(-75℃)的纳米粉体、过渡到中间基片温度(-50~300℃)的纳米薄膜、直至高基片温度(500℃)的纳米棒组成。所有WO3薄膜均在200℃的工作温度下获得对NO2气体的最大灵敏度。在相同的检测条件下,气体灵敏度随着基片温度的减小和NO2气体浓度(体积分数)的增加而增大。

关键词：三氧化钨薄膜基片温度二氧化氮气体传感器

基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响

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光电子．激光 2009年第3期20卷 355-358页

作者：黄红梁程树英黄碧华福州大学物理与信息工程学院福建福州350108

采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-ZnS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型。随着成膜时基片温度... 详细信息

采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-ZnS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型。随着成膜时基片温度的提高,薄膜结晶度越来越好,透过率增大,载流子浓度增大,而电阻率减小。

关键词： ZnS薄膜性能电子束蒸发基片温度

基片温度对直流反应磁控溅射法制备玻璃基TiO_2薄膜结构与亲水性的影响

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硅酸盐学报 2003年第7期31卷 678-681页

作者：赵青南刘保顺赵修建 SLEIGHT A W 武汉理工大学美国俄勒冈州立大学化学系新材料研究中心

在工作气压为 2 .0Pa的氧气氛下 ,通过改变基片温度 (室温 ,2 80℃ ,42 0℃ ) ,在预先镀 10nm左右SiO2 的普通玻璃基片上用直流磁控溅射法制备了 30 0nm左右的TiO2 薄膜试样。用X射线光电子能谱和X射线衍射仪分别研究了试样的表面元素... 详细信息

在工作气压为 2 .0Pa的氧气氛下 ,通过改变基片温度 (室温 ,2 80℃ ,42 0℃ ) ,在预先镀 10nm左右SiO2 的普通玻璃基片上用直流磁控溅射法制备了 30 0nm左右的TiO2 薄膜试样。用X射线光电子能谱和X射线衍射仪分别研究了试样的表面元素组成、离子状态和物相组成 ,用接触角分析仪测试了试样在紫外光照射后的水润湿角。结果表明 :试样表面的钛离子都以 +4价的形式存在 ,氧化钛表面易吸附OH-和CO32 - ,氧化钛中n (O)∶n (Ti) =1.90～ 1.97;基片不加热时 ,试样是非晶态 ,升高基片温度 ,薄膜结晶逐渐完善 ,并以锐钛矿形式存在。在相同时间的紫外线照射下 ,非晶TiO2 膜的润湿角从 34°降低到 2 2° ,而结晶完好的试样的润湿角从 18°～ 2 4°降低到

关键词：二氧化钛薄膜亲水性直流磁控溅射基片温度

基片温度和退火对CdIn_2O_4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

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光学学报 2002年第11期22卷 1291-1295页

作者：李斌曾菱张凤山中国科学院上海技术物理研究所上海200083 公安海警高等专科学校宁波315821

对射频反应性溅射Cd In合金靶制备的透明导电CdIn2 O4薄膜 ,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱 ,光学常数和载流子浓度的影响。结果表明 :提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度 ,退火增加了薄膜的载流... 详细信息

对射频反应性溅射Cd In合金靶制备的透明导电CdIn2 O4薄膜 ,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱 ,光学常数和载流子浓度的影响。结果表明 :提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度 ,退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高 ,薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移 ,而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2 O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中 ,这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。

关键词： CdIn2O4薄膜基片温度退火光学性质载流子浓度透明导电三元金属氧化物薄膜

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基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响

压电与声光 2004年第6期26卷 471-473,487页

作者：吴淼胡明温宇峰天津大学电子信息工程学院天津300072

以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜,调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在... 详细信息

以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜,调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在基片温度为200°C时所得薄膜的电阻温度系数(TCR)达到-0.03/°C,并发现基片温度越高,薄膜在室温附近的电阻率越低,电阻温度系数绝对值也越小。

关键词：五氧化二钒真空蒸发退火 VOx薄膜基片温度电阻温度系数

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基片温度对 Cu-TiC 复合薄膜的影响

上海交通大学学报 1997年第4期31卷 44-48页

作者：李戈扬王岱峰王公耀吴亮李鹏兴金属基复合材料国家重点实验室中国科学院上海硅酸盐研究所

研究了基片温度对Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的影响．Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜采用多靶磁控溅射仪制备．测定了薄膜的显微硬度及电阻率，并利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＡＸ和ＴＥＭ研究了薄膜结构．结果表明，随基片温度的提高，Ｃｕ－ＴｉＣ复合... 详细信息

研究了基片温度对Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的影响．Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜采用多靶磁控溅射仪制备．测定了薄膜的显微硬度及电阻率，并利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＡＸ和ＴＥＭ研究了薄膜结构．结果表明，随基片温度的提高，Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜中ＴｉＣ含量增加，Ｃｕ和ＴｉＣ的晶化逐步完善．特别是薄膜的电阻率受基片温度影响显著，当基片温度为３００℃时薄膜的电阻率达到极小值。

关键词：复合薄膜磁控溅射薄膜铜碳化钛基片温度

交换耦合双层膜NiO/Ni_(81)Fe_(19)的基片温度效应研究

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无机材料学报 1999年第6期14卷 933-937页

作者：邱进军李佐宜郑远开李震林更琪熊锐胡作启卢志红华中理工大学电子科学与技术系武汉30074 中国科学院上海冶金所上海200050

用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO／NiFe双层膜，研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响．用振动样品磁强计（VSM）分析了膜的磁特性，结果表明：基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力Hc... 详细信息

用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO／NiFe双层膜，研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响．用振动样品磁强计（VSM）分析了膜的磁特性，结果表明：基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力Hc为184A·m－1，小于室温淀积NiFe膜的Hc（584A·m－1），且磁滞回线的矩形度更好．室温下淀积NiO（50nm）／NiFe（15nm）双层膜的Hc为4000A·m－1，交换耦会场（HEX）仅为1600A·m－1，磁滞回线的短形度很差，而260℃时淀积的双层膜的Hc下降到3120A·m－1，HEX却增大为4640A·m－1，同时磁滞回线的矩形度也得到改善，其截止温度TB高达230℃．X射线衍射（XRD）分析了膜的织构，结果表明：室温下淀积NiO膜呈现（220）织构，而260℃时淀积NiO膜呈现（111）织构；室温和260℃淀积的NiFe膜都呈（111）织构，但后者晶粒比前者大．

关键词：基片温度交换耦合铁磁材料氧化镍铁化镍

基片温度对射频磁控溅射碲化铋薄膜微结构和表面形貌的影响

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真空科学与技术学报 2012年第6期32卷 504-508页

作者：杨鹏辉曾志刚胡志宇上海大学纳微能源研究所上海200444

碲化铋材料是目前已知的室温下性能优异的热电材料之一。本文利用射频磁控溅射在不同基片温度下制备了碲化铋薄膜。研究发现,基片温度对薄膜的微结构和表面形貌影响显著。随着温度的提高,薄膜内晶粒尺寸都不同程度地增加。基片温度100... 详细信息

碲化铋材料是目前已知的室温下性能优异的热电材料之一。本文利用射频磁控溅射在不同基片温度下制备了碲化铋薄膜。研究发现,基片温度对薄膜的微结构和表面形貌影响显著。随着温度的提高,薄膜内晶粒尺寸都不同程度地增加。基片温度100℃以上碲化铋薄膜为Bi2Te3相为主的多晶结构,并具有良好的c轴择优取向,形成了六角层状结构。基片温度250℃时薄膜转变为BiTe相,并在表面生成Te长条状颗粒。应力分析表明碲化铋薄膜与Si(100)基片之间的残余应力受温度影响明显。

关键词：碲化铋热电薄膜磁控溅射基片温度