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基板材料与铺粉速度对激光选区熔化成型M2高速钢的影响

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激光与光电子学进展 2023年第1期60卷 310-318页

作者：季文彬刘春成戴士杰邓日清省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室天津300130 河北工业大学机械工程学院天津300130

为提高三维打印技术制备M2高速钢刀具材料的力学性能及改善微观组织,促进金属刀具材料三维打印技术的发展,采用激光选区熔化技术,在不同基板材料和铺粉速度下制备M2高速钢试样。对试样力学性能以及微观组织进行表征与观察。结果表明:与M... 详细信息

为提高三维打印技术制备M2高速钢刀具材料的力学性能及改善微观组织,促进金属刀具材料三维打印技术的发展,采用激光选区熔化技术,在不同基板材料和铺粉速度下制备M2高速钢试样。对试样力学性能以及微观组织进行表征与观察。结果表明:与M2高速钢基板相比,316L不锈钢基板的热膨胀系数高约57.27%,热导率低17.28%,制备过程中产生的热应力显著降低并且冷却缓慢使残余应力释放更充分,因此采用316L不锈钢基板更有利于成型M2高速钢试样。铺粉速度减小,打印过程中实时热处理时间将大大增长,这导致材料硬度略有下降但微观组织更加致密,裂纹、孔隙等缺陷减少,拉伸强度升高。经试验得到的试样洛氏硬度最高可达(58.97±0.28) HRC,拉伸强度能够达到(937±118) MPa。微观组织呈现网状结构且其中存在大量马氏体柱状晶,针宽小于1μm,主要物相有α-Fe、马氏体、奥氏体以及MC型碳化物。

关键词：材料激光选区熔化基板材料铺粉速度 M2高速钢力学性能

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VACF镀镍制备新型MH/Ni电池导电基板材料

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材料工程 1999年第1期27卷 7-9,13页

作者：万怡灶王玉林董向红成国祥陶海明天津大学材料科学与工程系

以自制粘胶基活性碳纤维（ＶＡＣＦ）为原料，采用一般的电镀方法在其表面电镀镍，制得了一种新型的ＭＨ／Ｎｉ电池导电基板材料ＶＡＣＦ（Ｎｉ）。对这种材料的导电性、孔率、孔径大小及分布、面积密度和反复弯曲性能等参数进行了测试... 详细信息

以自制粘胶基活性碳纤维（ＶＡＣＦ）为原料，采用一般的电镀方法在其表面电镀镍，制得了一种新型的ＭＨ／Ｎｉ电池导电基板材料ＶＡＣＦ（Ｎｉ）。对这种材料的导电性、孔率、孔径大小及分布、面积密度和反复弯曲性能等参数进行了测试。结果表明，通过调整电镀工艺参数可以控制ＶＡＣＦ（Ｎｉ）的性能参数。ＶＡＣＦ（Ｎｉ）可望成为一种新型的具有优异综合性能的ＭＨ／Ｎｉ电池基板材料。

关键词： MH/Ni电池基板材料 VACF 镀镍

液晶聚酯/氮化铝复合基板材料制备中偶联剂的应用

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复合材料学报 1998年第3期15卷 71-74页

作者：张猛高彦芳阜巍江宇周其庠刘德山清华大学化学工程系高分子研究所

本文研究了在液晶聚酯／氮化铝复合基板材料的制备中偶联剂（ＫＨ－５５０和ＮＤＺ－１０１）对复合材料的加工性能和复合材料的强度，导热系数和介电性能的影响。

关键词：氧化铝偶联剂复合材料基板材料液晶聚酯

氮化铝颗粒增强聚合物基板材料的制备及介电性能研究

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航空材料学报 2006年第3期26卷 341-342页

作者：张洁王炜曾宪华史运泽樊慧庆西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072

采用氮化铝(A lN)颗粒作为增强材料,以环氧树脂(E-51)为聚合物基体,制备了陶瓷颗粒/聚合物复合电子封装与基板材料。对该复合材料的成型工艺、介电性能和导热性能进行了系统的研究。随着陶瓷颗粒增强材料含量的增加,复合材料的导热性能... 详细信息

采用氮化铝(A lN)颗粒作为增强材料,以环氧树脂(E-51)为聚合物基体,制备了陶瓷颗粒/聚合物复合电子封装与基板材料。对该复合材料的成型工艺、介电性能和导热性能进行了系统的研究。随着陶瓷颗粒增强材料含量的增加,复合材料的导热性能得到改善。在加入了陶瓷颗粒增加了复合材料导热性的同时,仍维持了聚合物材料低介电常数的优点。

关键词：环氧树脂基板材料热导率 Cole-Cole图

基板材料对光学薄膜近红外激光损伤阈值的影响

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激光技术 1990年第3期14卷 8-12页

作者：吴周令范正修高扬王之江中国科学院上海光机所上海应用机械研究所

以电子束及电阻热蒸发镀制的TiO_2、ZrO_2、SiO_2、MgF_2、ZnS等单层膜及TiO_2/SiO_2多层膜为例,实验研究了熔石英(SiO_2)、蓝宝石(Al_2O_3)以及氟化钙(CaF_2)等不同基板材料对光学薄膜近红外激光损伤阈值的影响,结果发现,对单层膜及增... 详细信息

以电子束及电阻热蒸发镀制的TiO_2、ZrO_2、SiO_2、MgF_2、ZnS等单层膜及TiO_2/SiO_2多层膜为例,实验研究了熔石英(SiO_2)、蓝宝石(Al_2O_3)以及氟化钙(CaF_2)等不同基板材料对光学薄膜近红外激光损伤阈值的影响,结果发现,对单层膜及增透膜,基板材料对损伤阈值有较为显著的影响,其一般规律是阈值随基板热导率的提高而提高,而对高反膜,基板材料则无甚影响。文章结合体/面吸收研究以及损伤瞬态行为分析,用局部吸收导致热破坏这一机理,较好地解释了上述现象。

关键词：基板材料光学薄膜红外激光损伤

功率型LED封装基板材料的温度场和热应力分析

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半导体光电 2011年第5期32卷 646-649页

作者：刘一兵湖南大学电气与信息工程学院长沙410082 邵阳职业技术学院机电工程系湖南邵阳422000

建立了功率型LED的有限元热学模型,选择Al2O3,AlN,Al-SiC,铜钼合金四种基板材料,采用ANSYS热分析软件仿真不同基板材料的温度场和热应力分布,得出如下结论:AlN基板的结温和热阻最低,结温达到120℃时所加的热载荷值最大;最大热应力主要... 详细信息

建立了功率型LED的有限元热学模型,选择Al2O3,AlN,Al-SiC,铜钼合金四种基板材料,采用ANSYS热分析软件仿真不同基板材料的温度场和热应力分布,得出如下结论:AlN基板的结温和热阻最低,结温达到120℃时所加的热载荷值最大;最大热应力主要集中在芯片与基板的界面附近,AlN基板的最大热应力最低。因此,AlN材料是较理想的基板材料。

关键词：功率型LED 基板材料 ANSYS软件

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印制线路基板材料的发展趋势

化工新型材料 1989年第3期17卷 36-37页

作者：吕洪久

印制线路板的发展趋势一是“高密度化”,二是“低成本化”。在高密度化方面,正朝着图形的计算机辅助设计,图形的微细化和多层化,零件的平面实装,以及提高线路基板材料的特性等方向发展;在低成本化方面,也正向印制线路板的计算机辅助制... 详细信息

印制线路板的发展趋势一是“高密度化”,二是“低成本化”。在高密度化方面,正朝着图形的计算机辅助设计,图形的微细化和多层化,零件的平面实装,以及提高线路基板材料的特性等方向发展;在低成本化方面,也正向印制线路板的计算机辅助制造和测试,多层印刷线路板的层压,镀铜层压基板的连续化生产,以及带有线路图的超级工程塑料壳体等方向发展。

关键词：印制线路基板材料

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一种新型无卤阻燃覆铜箔板基板材料的制备

化学研究与应用 2004年第1期16卷 55-57页

作者：凌鸿王劲向海盛兆碧顾宜四川大学高分子科学与工程学院高分子材料工程国家重点实验室四川成都610065

以苯并嗪树脂与含磷环氧树脂作基体,外加磷酸酯类阻燃剂,KH平纹玻璃布作增强材料,制备了一种新型无卤阻燃覆铜板,其玻璃化转变温度为160℃,加强耐热性PCT(2p 水蒸气处理2h后,经288℃浸锡)试验达到385秒,径向弯曲强度为630 6MPa,阻燃... 详细信息

以苯并嗪树脂与含磷环氧树脂作基体,外加磷酸酯类阻燃剂,KH平纹玻璃布作增强材料,制备了一种新型无卤阻燃覆铜板,其玻璃化转变温度为160℃,加强耐热性PCT(2p 水蒸气处理2h后,经288℃浸锡)试验达到385秒,径向弯曲强度为630 6MPa,阻燃性达到UL94V0级。

关键词：无卤阻燃覆铜箔板基板材料制备苯并噁嗪树脂含磷环氧树脂

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精密陶瓷基板材料及技术发展

仪表材料 1990年第6期21卷 380-385页

作者：唐华生北京粉末研究所

陶瓷基板材料对现代电子工业的发展起着重要作用。BeO 比最初使用的Al_2O_2的导热性高10倍。目前的发展使用 A1N 及 SiC 等。研究 A1N 的一般烧结技术及技术的发展。例如使用少量的烧结促进剂以及除 Y_2O_3烧结促进剂以外而使用 YF_3。... 详细信息

陶瓷基板材料对现代电子工业的发展起着重要作用。BeO 比最初使用的Al_2O_2的导热性高10倍。目前的发展使用 A1N 及 SiC 等。研究 A1N 的一般烧结技术及技术的发展。例如使用少量的烧结促进剂以及除 Y_2O_3烧结促进剂以外而使用 YF_3。研究了 SiC 的烧结技术、原理及材料特性。高导热性陶瓷的技术发展主要是可机械加工的 A1N-BN 复合陶瓷及低温烧结复合陶瓷。最后叙述了各种应用.

关键词：精密陶瓷基板材料陶瓷