检索结果-南通市图书馆

电子器件 1980年第2期 107-117页

作者：谢世健南京工学院电子工程系半导体集成电路研究室

在相当早以来人们就想把MOS器件和双极型器件制作在同一芯片上组成有效利用其各自的优点补其缺点的电路。其最有代表的产品要算是MOS运算放大器的研制,这种MOS运算

关键词： Bi-CMOS 下刀埋层

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

多集电极横向晶体管电流增益的三维数值分析

华南工学院学报(自然科学版) 1986年第3期 97-102页

作者：刘炳国

本文叙述了用有限差法对多集电极横向晶体管电流增益进行三维数值分析。结果表明,如不采用N~+埋层,但选用适当薄的外延层,使纵向注入衬底的电流增加和使基区复合电流减小,可以实现提高多集电极横向晶体管电流增益的目的。

关键词：电流增益基极电流集电极电流横向晶体管埋层外延层数值分析数学分析

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

用于ECL超高速电路的硅薄层外延技术

微电子学 1985年第2期 5-10页

作者：沈苗根

硅薄层外延是研制ECL超高速电路的关键工艺之一。本文介绍用SiCl4常规外延系统,在双埋层（As、B）硅衬底上进行薄层生长的主要工艺条件及结果。并对其薄层参数作简要分析讨论。

关键词：外延技术 ECL 外延生长外延层硅衬底缺陷密度埋层图形畸变主要工艺条件生长速率

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

机电组件

电子科技文摘 2005年第12期 18-20页

0530268埋层电阻器研究=Studies on buried layer resistors[刊,英]/***,***//Journal of ma-terials science.—2002,13(10).—615

关键词：埋层高密度存储器 buried 漆包线漆功率因数校正海底光缆保护继电器电子质量电压应力电路拓扑结构

维普期刊数据库

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

外延V形槽双极集成电路工艺

微电子学与计算机 1974年第4期 36-43页

作者：林发永

研制了适用于制备双极集成电路的一种新的四掩模V形槽工艺流程。本工艺应用了ν/n~+/n~-外延层和〈100〉硅的各向异性腐蚀,以免去埋层扩散和隔离扩散以及标准六掩模双极集成电路工艺中基区扩散的掩模。用此工艺制备的n-p-n晶体管、电阻... 详细信息

研制了适用于制备双极集成电路的一种新的四掩模V形槽工艺流程。本工艺应用了ν/n~+/n~-外延层和〈100〉硅的各向异性腐蚀,以免去埋层扩散和隔离扩散以及标准六掩模双极集成电路工艺中基区扩散的掩模。用此工艺制备的n-p-n晶体管、电阻以及肖特基二极管的电学特性与用标准工艺制备的相同或者更好。同四掩模工艺相比较,五掩模V形槽工艺使横向p-n-p晶体管特性得到改善。同标准双极集成电路相比较,V形槽集成电路结构给出较简单的工艺流程、较小的隔离电容、较低的寄生收集极电阻、较大的集成密度以及较高的结击穿电压,而其它的电学特性并不变差。

关键词：基区发射区双极集成电路埋层收集极外延层掩模

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

BCCD的一维模型及其数值分析

Journal of Semiconductors 1980年第4期 325-328页

作者：崔成烈中国科学院半导体研究所

一、引言由于埋沟电荷耦合器件(BCCD)具有高速、高传输效率、低噪声等优点而受到人们的重视.国际上已有人对BCCD的模型进行了研究.其中McKenna假定埋层完全耗尽和杂质分布均匀的情况下,求出一维的电势分布.但没有考虑信号电荷.Kent曾... 详细信息

一、引言由于埋沟电荷耦合器件(BCCD)具有高速、高传输效率、低噪声等优点而受到人们的重视.国际上已有人对BCCD的模型进行了研究.其中McKenna假定埋层完全耗尽和杂质分布均匀的情况下,求出一维的电势分布.但没有考虑信号电荷.Kent曾考虑过信号电荷,但由于假定埋层中杂质分布是线生的,因而不可能给出解析解.Lees则

关键词：电势分布 BCCD 埋层杂质分布栅压一维模型空间模型电荷密度电性数值分析数学分析

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

低-常压两步外延生长技术

西安电子科技大学学报 1988年第4期 44-47页

作者：李跃进朱作云西北电讯工程学院微电子研究所

本文提出了低-常压两步外延生长技术。用扩展电阻法测量了外延层的杂质分布。结果表明,低一常压两步外延对减小自掺杂和保证外延层质量非常有利。

关键词：外延生长自掺杂杂质分布埋层

分子束外延生长的连续工作InGaAs/InP隐埋异质结激光器

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体光电 1983年第1期 38-39页

作者： H. Asahi 程阜民日本武藏野电气通讯实验室

人们对用于1.0～1.7μm波长光纤通信系统光源的以InGaAsP和InGaAs作有源层的半导体激光器已进行了广泛研究。本文报导一种采用分子束外延生长制备的InGaAs/InP隐埋异质结激光器,该激光器的隐埋层是用液相外延生长的。InGaAs/InP隐埋异... 详细信息

人们对用于1.0～1.7μm波长光纤通信系统光源的以InGaAsP和InGaAs作有源层的半导体激光器已进行了广泛研究。本文报导一种采用分子束外延生长制备的InGaAs/InP隐埋异质结激光器,该激光器的隐埋层是用液相外延生长的。InGaAs/InP隐埋异质结激光器的结构如图1所示。该激光器是以掺Sn(100)InP为衬底,用分子束外延生长:(1) n-InP限制层;(2) 非掺杂(n-型)InGaAs有源层;(3) p-InP限制层。接着用液相外延生长隐埋层(p-InP层和n-InP层),再用分子束外延生长p-InGaAs顶层。在分子束外延生长

关键词：分子束外延生长异质结激光器埋层液相外延生长汽相外延生长半导体激光器液相外延 InGaAs/InP InP

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

在111硅片上外延出现的图形畸变

半导体技术 1982年第1期 14-16页

作者：欧阳海

近年来在集成电路制造过程中,外延生长是十分重要的工序,通常选择(111)晶面向方向偏某一角度的硅单晶,经过切割、磨片、抛光、氧化和光刻形成埋层扩散窗口,进行隐埋扩散。对我厂生产的P-24电视机集成电路、由于要求高β、大电流特性好... 详细信息

近年来在集成电路制造过程中,外延生长是十分重要的工序,通常选择(111)晶面向方向偏某一角度的硅单晶,经过切割、磨片、抛光、氧化和光刻形成埋层扩散窗口,进行隐埋扩散。对我厂生产的P-24电视机集成电路、由于要求高β、大电流特性好、纵向PNP晶体管的集电极需要采取自由选择电位。它与一般常规隐埋工艺不同,先要进行锑埋层扩散,还要进行硼埋层扩散,然后用高频感应加

关键词：图形畸变埋层单晶 110 晶形晶种晶面硅片

具有凹形氧化层的数字双极微电路中的总剂量效应

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学 1984年第6期 39-49页

作者： R.L.Pease ,D.Platteter ,蔡永才 ,胡绍武

采用凹形氧化层的数字双极微电路已测得低至5k拉德(Si)的总剂量失效。典型的失效在10-100k拉德(Si)范围。发现失效与辐射时的偏压条件和辐射后的退火时间有密切关系。此外,还观察到低于100k拉德(Si)的总剂量“窗口”。辐射失效机理主要... 详细信息

采用凹形氧化层的数字双极微电路已测得低至5k拉德(Si)的总剂量失效。典型的失效在10-100k拉德(Si)范围。发现失效与辐射时的偏压条件和辐射后的退火时间有密切关系。此外,还观察到低于100k拉德(Si)的总剂量“窗口”。辐射失效机理主要是凹形场氧化层底部或者氧化层边壁上的p型硅的反型,前者反型使隐埋层之间产生沟道效应,后者反型造成集电极至发射极的漏电。此外,在一种非隔离形式的集成注入逻辑中观察到了边壁电流增大引起的一种失效模式。几家厂商对于辐射加固方法都进行了鉴定和研究。器件失效程度发现视加工批次和设计修正而定会相差几个数量级。

关键词：氧化层表面层埋层发射极凹形微电路双极