检索结果-南通市图书馆

物理学报 2015年第10期64卷 410-415页

作者：杨丹张丽杨盛谊邹炳锁北京理工大学物理学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室北京100081 北京理工大学材料科学与工程学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室北京100081

并五苯(Pentacene)具有优良的场效应晶体管特性及在可见光区的高吸收系数,被广泛应用于光敏(电)晶体管中.垂直晶体管的沟道长度可做到纳米量级,能有效提高器件的性能和工作频率,同时降低能耗.本文制备了一种基于垂直晶体管结构的低电压... 详细信息

并五苯(Pentacene)具有优良的场效应晶体管特性及在可见光区的高吸收系数,被广泛应用于光敏(电)晶体管中.垂直晶体管的沟道长度可做到纳米量级,能有效提高器件的性能和工作频率,同时降低能耗.本文制备了一种基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器ITO(S)/Pentacene/Al(G)/Pentacene/Au(D).实验发现,在工作电压低至-3 V时,并五苯光电探测器ITO/Pentacene(80 nm)/Al(15 nm)/Pentacene(80nm)/Au的阈值电压为-0.9 V,"开/关"电流比为104,表现出了良好的P型晶体管特性以及低电压调控性能.在350—750 nm的不同波长单色光照射下,器件的"明/暗"电流比和响应度随入射波长而变化;在350nm单色光照射下,该光电探测器的"明/暗"电流比的最大值达到308,其对应的响应度为219 m A·W-1,大于标准硅基探测器在350 nm单色光照射下的探测率.这为制备低电压下工作的高灵敏度全有机光电探测器提供了一种可行的方法.

关键词：垂直结构晶体管有机光电探测器响应度并五苯

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

喷墨打印垂直有机光晶体管及其性能优化

引用

光子学报 2019年第12期48卷 104-113页

作者：张国成张平均何兴理张红福建工程学院微电子技术研究中心福州350108 福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室福州350108 福建工程学院信息科学与工程学院福州350108

通过旋涂透明源极并在其上采用喷墨打印的方式制备有源层及源漏电极,从而得到一种垂直结构光晶体管,并获得了较好的光电性能,其响应率为~1500 A/W,探测率可达1.6×10^14 Jones.向有源层中掺杂一定比例的电子捕获材料PCBM,使有源层中光... 详细信息

通过旋涂透明源极并在其上采用喷墨打印的方式制备有源层及源漏电极,从而得到一种垂直结构光晶体管,并获得了较好的光电性能,其响应率为~1500 A/W,探测率可达1.6×10^14 Jones.向有源层中掺杂一定比例的电子捕获材料PCBM,使有源层中光生空穴复合减小,光生电流增大,从而进一步提高其光探测性能.研究发现当掺杂5wt%电子捕获材料时,垂直结构光晶体管性能达到最优,响应率为~6000 A/W,探测率可达1.4×10^15 Jones.

关键词：喷墨打印垂直结构晶体管超短沟道电子捕获光晶体管

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

一种HVT结构MOSFET的理论分析及仿真

一种HVT结构MOSFET的理论分析及仿真

引用

作者：彭辰曦电子科技大学

学位级别：硕士

随着晶体管尺寸的不断缩小,摩尔定律的前进愈发困难,预计现有的Fin FET结构将在3 nm工艺节点被GAAFET结构替代。而IRDS预测,GAAFET的沟道长度将在1.5 nm工艺节点缩小到极限,其沟道长度将被缩小至9.6 nm。本人所在课题组提出了一种新型... 详细信息

随着晶体管尺寸的不断缩小,摩尔定律的前进愈发困难,预计现有的Fin FET结构将在3 nm工艺节点被GAAFET结构替代。而IRDS预测,GAAFET的沟道长度将在1.5 nm工艺节点缩小到极限,其沟道长度将被缩小至9.6 nm。本人所在课题组提出了一种新型垂直结构异质矩形槽栅场效应晶体管（Hetro-junction Vertical Tranch Field-effect Transistor,HVTFET）,其工作原理不同于Fin FET和GAAFET所使用的全耗尽原理。HVTFET的重掺杂沟道区和轻掺杂漏区可以有效抑制短沟道效应,使HVTFET可以突破GAAFET的最小沟道长度继续缩小。本文所做的具体工作如下所述:一、本文介绍了HVTFET的基本结构和工作原理。HVTFET作为一种垂直结构器件,它使用外延生长自掺杂工艺制作重掺杂沟道区和轻掺杂漏区,这与全耗尽原理所要求的轻掺杂甚至不掺杂的沟道区完全不同。HVTFET的优点是沟道长度只由外延层厚度决定,不依赖光刻精度,且外延生长自掺杂工艺可以有效避免杂质浓度随机涨落现象;其重掺杂沟道区和轻掺杂漏区有效地抑制了短沟道效应和高场效应;HVTFET的栅极不用从四面包围沟道区,可以灵活地调整器件的宽长比,节省芯片面积。二、使用TCAD软件对HVTFET进行三维建模,通过仿真提取HVTFET的多组特性参数,用于分析HVTFET工作性能。本文设置了六组结构参数,测试这六组参数独立变化时对器件的影响,并根据仿真结果总结了HVTFET在尺寸缩小时的优化方法。三、对Fin FET和GAAFET器件进行三维建模和仿真,对比它们与HVTFET在相同尺寸下的性能表现。本文对沟道长度20 nm、16 nm、12 nm、8 nm和4 nm的Fin FET、GAAFET和HVTFET进行仿真和优化。仿真结果显示,Fin FET和GAAFET分别在沟道长度缩小至8 nm和4 nm后,器件无法正常工作。而HVTFET在沟道长度为4 nm时,依然具有良好的工作性能。其DIBL值和SS分别为31.7 m V/V和93.8 m V/dec,均满足器件正常工作的要求。

关键词：垂直结构晶体管重掺杂沟道区漏致势垒降低效应亚阈值斜率 TCAD仿真

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：