检索结果-南通市图书馆

作者：甘文华中科技大学

学位级别：硕士

垂直磁化膜在用作高密度存储介质时,它具有两个很突出的优点:垂直磁化膜的退磁场随着记录密度的提高而减小;可以通过增加膜厚来克服颗粒尺寸减小带来的热不稳定性问题。这些优点使它在高密度存储介质中的应用越来越广泛,并逐渐占有很重... 详细信息

垂直磁化膜在用作高密度存储介质时,它具有两个很突出的优点:垂直磁化膜的退磁场随着记录密度的提高而减小;可以通过增加膜厚来克服颗粒尺寸减小带来的热不稳定性问题。这些优点使它在高密度存储介质中的应用越来越广泛,并逐渐占有很重要的地位。目前虽然已有垂直存储产品面市,但是其记录密度仍与理论上预测的记录密度相距甚远。如何使产品的记录密度进一步向理论极限值靠近,记录介质—垂直磁化膜的制备成了很重要的一个环节。微磁有限元模拟计算方法为垂直磁化膜的制备和优化提供了一种重要的研究途径,可以观察到通常实验无法观测的细节。通过灵活地改变垂直磁化膜微观几何参数、材料参数和仿真环境,可以研究微观几何结构或材料参数对垂直磁化膜磁化过程的影响,最终指导垂直磁化膜的制备,提高研究效率。本文中,垂直磁化膜磁化过程的模拟分为三部分。第一部分:建立了符合垂直磁化膜实体特点的模拟计算模型,研究了符合垂直磁化膜特点的颗粒模型以及Voronoi模型的两种算法。考虑到软件实现条件的限制,最终以很理想的Voronoi六棱柱模型作为垂直磁化膜几何模型,根据不同的微观结构建立了连续型和隔离型两种模型。结合这两种几何模型特点,采用灵活性较好的有限元单元四面体进行三维划分。第二部分:主要研究了模拟磁化过程的微磁有限元方法。采用两种方法进行有限元计算:Laudau自由能最小化方法和动态Laudau-Lifshitz方程时间积分法。在求解能量最小化以及对动态Laudau-Lifshitz方程进行时间积分时,针对第一部分划分的有限单元网格采用有限元方法进行数值求解。第三部分:建立了并行微磁有限元仿真计算平台Magpar,采用该平台对第一部分中的两种不同垂直磁化膜模型进行了模拟研究与分析。通过模拟发现:在这两种模型中,当六棱柱的颗粒表面直径与柱面高度之比δ变小时,成核场Hn均有向x轴负向移动的现象;同时,颗粒直径小的模型在磁化翻转时容易形成较大的翻转簇,且分布较规则。通过对两种模型磁滞回线的比较,隔离型模型的矫顽力和剩磁较连续型具有显著的提高。

关键词：垂直磁化膜垂直磁化膜颗粒模型有限元网格微磁有限元计算模拟

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日本筑波大学成功制备出HDD记录介质钴铁氧体垂直磁化膜

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现代材料动态 2014年第8期 10-11页

作者：杨晓婵

日本筑波大学喜多英治教授等人的研究小组和高能加速器研究机构（KEK）、北海道大学合作，成功制备出具有垂直磁各向异性的HDD用记录介质材料CoxFe3-xO4单晶薄膜，新材料性能可与目前使用的CoCrPt合金媲美。由于原料不使用价格昂贵的铂... 详细信息

日本筑波大学喜多英治教授等人的研究小组和高能加速器研究机构（KEK）、北海道大学合作，成功制备出具有垂直磁各向异性的HDD用记录介质材料CoxFe3-xO4单晶薄膜，新材料性能可与目前使用的CoCrPt合金媲美。由于原料不使用价格昂贵的铂，成膜方法采用的是生产CoCrPt合金薄膜用的量产性优异的磁控溅射法（MS），因此成本可大幅下降。今后将与HDD生产企业共同探讨新材料作为记录介质的最佳性能等问题，进一步提高实用性方面的磁性能。

关键词：北海道大学记录介质 HDD 垂直磁化膜钴铁氧体制备日本垂直磁各向异性

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Co—Cr膜成分,微结构和垂直磁化间的关系

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薄膜科学与技术 1993年第4期6卷 271-276页

作者：武庆兰潘国宏

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阳极氧化铝底层对SmTbCo薄膜磁性能与结构影响的研究

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无机材料学报 2009年第3期24卷 595-598页

作者：晋芳李佐宜鄢俊兵林更琪中国地质大学机械与电子信息学院武汉430074 华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

采用两次阳极氧化法制备了孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,并在其上用磁控溅射法制备了SmTbCo垂直磁化膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,加入阳极氧化铝底层后可以将SmTbCo薄膜的矫顽力从370kA/m提高到530kA/m,并且随着氧化铝底层孔... 详细信息

采用两次阳极氧化法制备了孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,并在其上用磁控溅射法制备了SmTbCo垂直磁化膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,加入阳极氧化铝底层后可以将SmTbCo薄膜的矫顽力从370kA/m提高到530kA/m,并且随着氧化铝底层孔洞直径的减小,上层SmTbCo磁性薄膜的矫顽力与剩磁矩形比随之增大.由薄膜断面的扫描电镜(SEM)照片可以看出,阳极氧化铝底层由于其自组织效应所形成规则密集的六角边形多孔结构能够明显促使上层的SmTbCo磁性薄膜生成柱状结构.这一柱状结构提高了薄膜的矫顽力,从而拓宽了SmTbCo薄膜材料在超高密度垂直磁记录中的应用.

关键词：多孔阳极氧化铝垂直磁化膜稀土-过渡金属(RE-TM) SmTbCo/AAO薄膜

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Cr底层对DyCo薄膜磁性能与结构影响研究

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功能材料 2007年第12期38卷 1984-1986页

作者：晋芳李佐宜程伟明鄢俊兵林更琪谢长生华中科技大学计算机学院华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074

采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜。振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m。薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱... 详细信息

采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜。振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m。薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱导上层的DyCo薄膜形成柱状结构。这一柱状结构导致了薄膜矫顽力的提高。

关键词：垂直磁化膜稀土-过渡金属(RE—TM) DyCo/Cr薄膜矫顽力

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磁控溅射制备Cu底层的实验研究

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材料导报 2007年第4期21卷 138-139,143页

作者：张迪程伟明林更其杨晓非华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

使用射频磁控溅射方法在载玻片上制备Cu薄膜，并通过调整其溅射参数来改变Cu薄膜的内部结构。实验结果表明：当基的片加热温度为100～150℃、薄膜厚度为405nm、溅射功率为150～300W时，所制得的沿（111）面择优生长的Cu薄膜的Ⅰ（111）... 详细信息

使用射频磁控溅射方法在载玻片上制备Cu薄膜，并通过调整其溅射参数来改变Cu薄膜的内部结构。实验结果表明：当基的片加热温度为100～150℃、薄膜厚度为405nm、溅射功率为150～300W时，所制得的沿（111）面择优生长的Cu薄膜的Ⅰ（111）／Ⅰ（200）均大于15，可作为SmCo5垂直磁化薄膜的衬底层。

关键词：射频磁控溅射 SmCo5 垂直磁化膜 Cu薄膜

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MnGa薄膜的反常霍尔效应及测试研究

MnGa薄膜的反常霍尔效应及测试研究

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作者：田进军华中科技大学

学位级别：硕士

近年来,垂直磁各向异性薄膜成为国内外相关研究人员研究的热点之一,寻找一种具有垂直磁化薄膜的材料尤为重要。MnGa薄膜以其具备单轴磁晶各向异性、自旋极率高、阻尼系数小和饱和磁化强度可调制等特殊优点具有巨大的潜在应用价值,譬如... 详细信息

近年来,垂直磁各向异性薄膜成为国内外相关研究人员研究的热点之一,寻找一种具有垂直磁化薄膜的材料尤为重要。MnGa薄膜以其具备单轴磁晶各向异性、自旋极率高、阻尼系数小和饱和磁化强度可调制等特殊优点具有巨大的潜在应用价值,譬如制备自旋转扭矩随机存储器,垂直磁性介质等。反常霍尔效应是研究垂直磁化薄膜最重要和最直接的工具。因此,研究MnGa薄膜的反常霍尔效应是非常必要的。本论文以MnGa单层膜为核心,利用射频磁控溅射制备了一系列Mn含量不同的沉积在MgO基片上的MnGa薄膜样品,在最新MnGa薄膜研究结果(近藤效应)的基础上开展研究工作。反常霍尔效应和近藤效应都与材料的自旋轨道耦合和杂质自旋等因素密切相关,在低温条件下,同时讨论了近藤效应和电子弱反局域化对反常霍尔效应电阻率影响,并对两个效应的关系作了简单的理论分析。最后,从应用角度出发,初步研究了MnGa/Fe和MnGa/Fe(t)/Cr多层膜的反常霍尔效应,对得到的实验结果进行了相应的分析和解释。此外,本文还详细介绍了反常霍尔效应测试系统的硬件结构和软件开发,对数据处理公式进行了简要推导,同时还对测试系统的误差进行了分析并且从软件设计上作了修正。研究结果表明:(1)退火温度为500℃并且保持1h,薄膜的反常霍尔效应最强,即表明薄膜的电磁输运特性最好,该退火温度使薄膜的晶粒尺寸较小和表面粗糙度较小。(2)与温度相关的长轴电阻率存在极小值,先随温度从室温下降到近藤温度点(60K左右)而减小,最后随着温度降低而增大,然而,反常霍尔效应电阻率变化与长轴电阻率变化刚好相反。(3)在低温段近藤效应对反常霍尔效应具有削弱的作用。(4)在本文溅射的参数下制备的MnGa多层薄膜,溅射在Si/SiO2上的薄膜性能比溅射在MgO的要好。

关键词： MnGa薄膜反常霍尔效应近藤效应电子反弱局域化霍尔测试系统垂直磁化膜

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