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主题

  • 1 篇 坩埚锥角
  • 1 篇 gaas单晶
  • 1 篇 数字模拟

机构

  • 1 篇 北京有色金属研究...

作者

  • 1 篇 涂凡
  • 1 篇 苏小平
  • 1 篇 王思爱
  • 1 篇 丁国强
  • 1 篇 张峰燚

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=坩埚锥角"
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数字模拟法研究坩埚锥角对VGF法GaAs单晶生长的影响
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稀有金属 2011年 第4期35卷 525-530页
作者： 王思爱 苏小平 张峰燚 丁国强 涂凡 北京有色金属研究总院 北京国晶辉红外光学科技有限公司北京100088
坩埚锥角是诱发VGF法GaAs单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一,应用数值模拟的方法对其进行了研究与探讨,研究发现,在晶体生长的放肩阶段,坩埚锥角为60°,90°,120°3种情况下,晶体生长的固液界面均凹向熔体,随坩埚锥角α的增大,接触角θ... 详细信息
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