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一、引言为了调制或放大信号,几乎所有的真空微电子器件都需要用到带门栅的场致发射体。然而,要获取高支取电流和好的栅控特性,除了采用低功函数材料制作尖端并使尖端足够小之外,另一方面就是要使门栅尽可能地靠近尖端,以降低栅控电压,提高跨导。本文介绍了一种制备带门栅场发射阵列的自对准工艺,详细叙述了工艺制备过程,并给出了制得样品的扫描电镜照片。

关键词：场致发射栅极调制器工艺场致发射阵列

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残气对活性Mo场致发射阴极阵列发射特性的影响

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光电子技术 1998年第4期18卷 301-303页

作者：王晓耘戴丽英

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掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究

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真空科学与技术 1997年第5期17卷 340-344页

作者：赵宏卫汪琛黄仲平王保平童林夙南京电子器件研究所东南大学电子研究所南京210096

提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点... 详细信息

提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点，成功制备了T形结构的多晶硅边缘场发射阵列（FEA）；本方法对于制备类似结构的边缘场发射器件有意义。在此基础上建立了三极管几何模型，最后采用有限差分法对该三极管模型进行了静电分析。

关键词：场致发射阵列边缘场致发射多晶硅平板显示器

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超长钨柱阵列场发射体导电衬底的改进及低电容门控的考虑

超长钨柱阵列场发射体导电衬底的改进及低电容门控的考虑

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中国电子学会真空电子学分会第十届年会

作者：刘光诒张力先朱长纯刘金声崔玉德林彰达中国科学院电子学研究所西安交通大学电子系北京无线电测量研究所中国科学院半导体研究所中国科学院表面物理实验室

采用离子束表面清净,随后原位离子束溅射沉积过渡层及金属Ni膜的双离子束沉积法,在超长钨阵列场发射体一侧抛光表面上成功地制备出了粘附良好、镜面光滑,能耐受热冲击的衬底,不仅可供制备各类引线,而且为制备低电容门极提供了必需的可... 详细信息

采用离子束表面清净,随后原位离子束溅射沉积过渡层及金属Ni膜的双离子束沉积法,在超长钨阵列场发射体一侧抛光表面上成功地制备出了粘附良好、镜面光滑,能耐受热冲击的衬底,不仅可供制备各类引线,而且为制备低电容门极提供了必需的可刻图衬底。本文除介绍该衬底的制备与分析方法外,还给出了二种实现低电容门控的基本结构

关键词：衬底场致发射溅射离子束场致发射阵列

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