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激光脉冲能量对四面体非晶碳薄膜的结构及血液相容性的影响

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功能材料 2008年第3期39卷 490-493页

作者：张麟潘仕荣刘毅黄展云陈弟虎中山大学光电材料与技术国家重点实验室物理科学与工程技术学院广东广州510275 中山大学附属一院人工心脏研究室广东广州510080 深圳大学物理科学学院广东深圳518060

采用脉冲激光方法制备了sp^3／sp^2不同比率的四面体非晶碳薄膜。利用拉曼光谱、紫外可见光谱等材料表征方法，研究了脉冲激光能量对四面体非晶碳薄膜的微结构及血液相容性的影响。结果表明：脉冲激光能量显著影响四面体非晶碳薄膜中sp^... 详细信息

采用脉冲激光方法制备了sp^3／sp^2不同比率的四面体非晶碳薄膜。利用拉曼光谱、紫外可见光谱等材料表征方法，研究了脉冲激光能量对四面体非晶碳薄膜的微结构及血液相容性的影响。结果表明：脉冲激光能量显著影响四面体非晶碳薄膜中sp^3／sp^2的比率，调控单脉冲激光能量范围为150-250mJ，可使薄膜的光学带隙从1．41～2．44eV发生变化。血小板粘附实验和动态凝血实验表明制得的薄膜具有优良的血液相容性。分析了四面体非晶碳薄膜的抗凝血机理。

关键词：四面体非晶碳薄膜血液相容性脉冲激光沉积血小板粘附

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过滤阴极真空电弧法制备四面体非晶碳薄膜

功能材料与器件学报 2003年第2期9卷 118-122页

作者：韩杰才朱嘉琦孟松鹤哈尔滨工业大学复合材料研究所哈尔滨150001

利用离面双弯曲过滤阴极真空电弧沉积系统,在Φ200mm单晶硅片上制备四面体非晶碳薄膜。利用Dectek3型表面轮廓仪检验膜厚均匀性(小于5%),并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)、X射线光电子谱(XPS)以及... 详细信息

利用离面双弯曲过滤阴极真空电弧沉积系统,在Φ200mm单晶硅片上制备四面体非晶碳薄膜。利用Dectek3型表面轮廓仪检验膜厚均匀性(小于5%),并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)、X射线光电子谱(XPS)以及纳米压痕(Nano-Indenter)仪器测试薄膜的性能和结构。结果表明:试验制备的薄膜是四面体非晶碳薄膜,其中sp3键含量高达80%以上,薄膜表面纯净,几乎没有大颗粒的污染,表面粗糙度(Rq)小于0.3nm(取样面积1μm2),薄膜硬度可达50GPa,杨氏弹性模量高于550GPa。

关键词：四面体非晶碳薄膜过滤阴极真空电弧拉曼光谱 X射线光电子谱纳米压入仪制备

基片偏压对ta-C薄膜结构和摩擦因数的影响

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润滑与密封 2012年第10期37卷 10-15页

作者：韩亮张涛刘德连何亮西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

利用磁过滤阴极电弧技术,通过改变基片负偏压(0～500 V)制备四面体非晶碳(ta-C)薄膜,研究基片负偏压对ta-C薄膜结构和摩擦因数的影响。研究表明,基片负偏压对ta-C薄膜的sp3键含量有很大影响,当负偏压为200 V时,ta-C薄膜的sp3键含量为85... 详细信息

利用磁过滤阴极电弧技术,通过改变基片负偏压(0～500 V)制备四面体非晶碳(ta-C)薄膜,研究基片负偏压对ta-C薄膜结构和摩擦因数的影响。研究表明,基片负偏压对ta-C薄膜的sp3键含量有很大影响,当负偏压为200 V时,ta-C薄膜的sp3键含量为85%。在0～200 V范围内随着基片偏压的增大,表面粗糙度逐渐减小,在负偏压为200 V时,薄膜表面粗糙度最小,为0.18 nm左右;当负偏压超过200 V后,由于薄膜中石墨相增多,薄膜表面粗糙度将增大。随着基片偏压的逐渐增大,由于薄膜表面粗糙度的减小和在摩擦中石墨相自润滑层的形成,薄膜的摩擦因数大大降低,耐磨性提高。

关键词：四面体非晶碳薄膜基片偏压摩擦因数

基于LabVIEW的碳基薄膜制备自动控制系统开发研究

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现代电子技术 2015年第2期38卷 111-114页

作者：安书董毕鹏赵海天赵玉清西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室陕西西安710049 西安交通大学城市学院计算机科学与信息管理系陕西西安710018 广州钢铁集团广东广州510381

基于Lab VIEW图形化编程软件和PCI1711多功能卡,设计开发了用于真空等离子镀膜机的自动控制系统,实现了对四面体非晶碳薄膜制备工艺的自动控制。该系统共分为5个模块:镀膜机各设备的电源控制(70路)、模/数转换(32路)、数模转换(32路)、... 详细信息

基于Lab VIEW图形化编程软件和PCI1711多功能卡,设计开发了用于真空等离子镀膜机的自动控制系统,实现了对四面体非晶碳薄膜制备工艺的自动控制。该系统共分为5个模块:镀膜机各设备的电源控制(70路)、模/数转换(32路)、数模转换(32路)、PWM输出(6路)、机间通信(采用RS 485总线)。对电源的控制通过电磁继电器实现;数/模转换通过开关量输出接口控制D/A转换器予以实现;模数转换通过多路模拟开关芯片进行选通后送到数据采集卡的模拟量输入端予以实现;通过RS 485总线实现对复合真空计、涡轮分子泵、气体质量流量计等的控制与数据获取。实验表明,该控制系统具有对真空度、离子束表面改性、真空磁过滤多弧镀膜的实时监测与控制功能,实现了薄膜制备的计算机控制。

关键词：四面体非晶碳薄膜真空磁过滤多弧离子束表面改性

衬底温度对氧化镧掺杂非晶碳薄膜的结构及血液相容性能的影响

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中华生物医学工程杂志 2014年第5期20卷 362-365页

作者：孙治华陈国钦唐兴奎张麟广州市番禺区中心医院内分泌科 511400 华南理工大学材料科学与工程学院

目的研究不同衬底温度对氧化镧掺杂非晶碳薄膜中sp2／sp3的相对比率及其抗凝血性能的影响。方法采用脉冲激光沉积方法，通过改变沉积时衬底的温度制备sp2／sp3不同比率的氧化镧掺杂非晶碳薄膜。利用扫描电子显微镜、拉曼光谱等材料表征... 详细信息

目的研究不同衬底温度对氧化镧掺杂非晶碳薄膜中sp2／sp3的相对比率及其抗凝血性能的影响。方法采用脉冲激光沉积方法，通过改变沉积时衬底的温度制备sp2／sp3不同比率的氧化镧掺杂非晶碳薄膜。利用扫描电子显微镜、拉曼光谱等材料表征方法，研究衬底温度对氧化镧掺杂非晶碳薄膜的微结构、形貌及亲水性的影响。利用血小板黏附实验观察血小板的黏附数量及形态。结果成功制备sp2／sp3不同比率的氧化镧掺杂非晶碳薄膜。各非晶碳薄膜膜面光滑，呈网络状结构。随衬底温度从室温增加到400℃，非晶碳中的ID／IG比率逐渐从1．05增大到2．47；薄膜材料表面能变化较小，但与纤维蛋白原的界面自由能从21．05（dyn/cm）降低到9．76（dyn／cm）。各样品血小板的聚集程度很小，呈球状，伪足较少，加热温度为300℃时沉积的样品抗凝血性能最优。结论衬底温度能调控氧化镧掺杂非晶碳薄膜中sp2／sp3的相对比率，从而影响薄膜的表面自由能及界面自由能，进而影响薄膜的血液相容性能。

关键词：衬底温度氧化镧四面体非晶碳薄膜结构血液相容性