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三元合金Ga_(0.52)In_(0.48)P的喇曼散射谱

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发光学报 2001年第2期22卷 107-110页

作者：高玉琳吕毅军郑健生李志锋蔡炜颖王晓光厦门大学物理系福建厦门361005 中国科学院上海技术物理研究所上海200083

采用室温下微区Raman散射方法 ,观测到了GaInP2 的LO双模行为和禁戒的TO模 ,由于晶格有序导致晶体对称性从Td 降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中 ,除观测到了二... 详细信息

采用室温下微区Raman散射方法 ,观测到了GaInP2 的LO双模行为和禁戒的TO模 ,由于晶格有序导致晶体对称性从Td 降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中 ,除观测到了二级Raman散射峰LO1+LO2 以外 ,还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷比b/a的分析表明 ,随着晶格有序度的增加 ,b/a值减小。这是因为 :一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的 ,另一方面 ,还可能有LO1模和LO2 模分裂的贡献。在实验上 ,可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。

关键词： Ⅲ-Ⅴ族半导体喇曼散射谱有序度

KBr:Pb^(2+)单晶中辐射致色心的激光喇曼散射谱

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中国激光 1992年第1期19卷 57-59,66页

作者：王应宗王德华陕西师范大学西安710062

本文报道在液氮温度下掺铅溴化钾单晶经大剂量X射线辐照后的喇曼散射实验结果。五个新的喇曼峰被辨认为X射线诱导的色心的局域振动。

关键词：激光光谱喇曼散射谱辐射色心

非对称耦合量子阱ZnCdSe/ZnSe的喇曼散射谱与非线性光学特性

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激光杂志 2003年第4期24卷 36-37页

作者：王文军张山彪聊城大学物理系山东聊城252059

采用荧光光谱和喇曼散射谱对非对称Ⅱ—Ⅵ族耦合多量子阱Zn1 -xCdxSe/ZnSe的结构进行了表征 ,并对它的非线性光学特性进行了研究。实验中观察到了比较明显的量子阱荧光峰 :在喇曼散射谱中观察到了分别对应于与ZnCdSe窄阱和宽阱的一级限... 详细信息

采用荧光光谱和喇曼散射谱对非对称Ⅱ—Ⅵ族耦合多量子阱Zn1 -xCdxSe/ZnSe的结构进行了表征 ,并对它的非线性光学特性进行了研究。实验中观察到了比较明显的量子阱荧光峰 :在喇曼散射谱中观察到了分别对应于与ZnCdSe窄阱和宽阱的一级限制光学模LO1 (LowWell)和LO1 (WideWell) ,及对应于ZnSe/GaAs界面的声子和等离子体的耦合模。实验发现二次谐波信号的强度随着阱间耦合的增强而增强 ,说明非对称量子阱 (AQW)的耦合效应存在一阈值。

关键词：非对称量子阱阱间耦合喇曼散射谱二次谐波产生 ZnCdSe/ZnSe 非线性光学特性

不同条件下细胞色素C喇曼散射谱及偏振特性的研究

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光散射学报 1989年第2期1卷 38-42页

作者：曹毅胡英

维普期刊数据库评论

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光学塑料、光学陶瓷

中国光学 1999年第5期13卷 88-89页

TQ174.758.23 99053410半导陶瓷的红外吸收谱和喇曼散射谱=Infrared absorptionand Raman scattering spectra of semiconductingceramics[刊,中]/胡绪洲,杨爱明,胡晓春（云南大学物理系.云南,昆明（650091））//半导体学报.—1998,19（... 详细信息

关键词：光学塑料半导陶瓷傅里叶红外吸收红外吸收谱喇曼散射谱云南大学半导体光学陶瓷注射成型工艺物理系

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光电功能材料

中国光学 2002年第5期16卷 100-101页

O471 2002053926掺杂超晶格的等离子激光与纵光学声子的耦合模=Coupling modes between plasmon and longitudinaloptical phonon for doped superlattice[刊,中]/程兴奎(山东大学物理与微电子学院.山东,济南(250100)),王文新,周均铭,黄绮(中科院物理所.北京(100080))//量子电子学报.—2001,18(6).—548-550测量出掺杂超晶格的喇曼散射谱,观察到喇曼位移的两个散射峰。理论分析认为。

关键词：光电功能材料掺杂超晶格量子电子学理论分析纵光学声子等离子激光喇曼散射谱大学物理山东喇曼位移

VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究

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光电子技术 2004年第4期24卷 230-233页

作者：张丽珠张晓丹赵颖朱锋魏长春高艳涛耿新华熊绍珍天津机电职业技术学院天津300131 南开大学光电子.电子薄膜器件与技术研究所天津300071

用光发射谱 (OES)和喇曼散射谱 (Raman)研究了VHF PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表明 :随功率增加 ,对应各基团峰的强度增大 ;结合喇曼的测试结果 ,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜的晶化程度 ;纯化器可以降低制... 详细信息

用光发射谱 (OES)和喇曼散射谱 (Raman)研究了VHF PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表明 :随功率增加 ,对应各基团峰的强度增大 ;结合喇曼的测试结果 ,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜的晶化程度 ;纯化器可以降低制备薄膜中的氧含量 ,Ra man测试结果表明相应的晶化率低。

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积光发射谱喇曼散射谱

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薄膜光学光学薄膜参数测试

中国光学 2005年第2期 67-67页

O484．5 2005021309 VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究= Study on silicon thin film deposited by VHF-PECVD using OES online monitor[刊,中]／张丽珠(天津机电职业技术学院．天津(300131)),张晓丹…//光电子技术．-2004,24 (4)．-230-233 用光发射谱(OES)和喇曼散射谱(Raman)研究了 VHF-PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表明,随功率增加,对应各基团峰的强度增大;结合喇曼的测试结果,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜的晶化程度;纯化器可以降低制备薄膜中的氧含量,Ra- man测试结果表明相应的晶化率低。图7参4(杨妹清)

关键词：光学薄膜测试结果薄膜光学光发射谱硅薄膜喇曼散射谱光电子技术结构特性功率增加参数测试