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苏氨酸不同分子构型太赫兹吸收峰的量子化学指认

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光谱学与光谱分析 2020年第7期40卷 2054-2058页

作者：李伟燕芳王志春刘成毫内蒙古科技大学信息工程学院内蒙古包头014010

与红外、紫外和拉曼光谱相比,太赫兹光谱能量低,在待测物质中不会出现有害光致电离现象,伴随太赫兹技术的不断成熟,太赫兹波已经成为常用的无损检测用波。很多生物大分子在高频光波探测下具有指纹性,太赫兹时域光谱技术是对生物大分子... 详细信息

与红外、紫外和拉曼光谱相比,太赫兹光谱能量低,在待测物质中不会出现有害光致电离现象,伴随太赫兹技术的不断成熟,太赫兹波已经成为常用的无损检测用波。很多生物大分子在高频光波探测下具有指纹性,太赫兹时域光谱技术是对生物大分子无损检测的最佳手段。同时,不同生物分子在太赫兹吸收谱中呈现出各不相同的吸收峰,获得待测物质的太赫兹吸收谱后,与标准谱进行对照可以为待测物质做出定性辨识。在此基础上,结合最小二乘法、支持向量机等数据处理技术还可以实现基于太赫兹时域光谱对待测物质的定量分析。量子化学分析方法应用了量子力学的基本原理和方法,其中电子分析理论从电子角度出发,在分析大分子或原子个数众多的体系时近似误差较小,并且密度泛函理论不依赖实验数据和先验知识的支撑。通过量子化学计算方法计算氨基酸分子的太赫兹吸收谱,可以为氨基酸分子的太赫兹吸收峰匹配分子振动模式,对氨基酸定性分析有一定的参考性,并为实验获取的样品太赫兹时域光谱提供理论支撑,在实验获得太赫兹吸收谱的基础上进行量子化学计算,能验证实验结果的准确性。首先利用太赫兹时域光谱系统获取进口苏氨酸样品的太赫兹吸收谱,其次分别构建苏氨酸样品在实物中以两性离子形式存在的单分子、二聚体和晶胞三种构型,并利用量子化学计算方法完成了每种构型的结构优化,最后计算三种苏氨酸分子构型的太赫兹吸收谱。结果表明,单分子构型和二聚体构型的太赫兹计算谱与实验谱差异较大,但在高频段计算谱与实验谱的吸收峰峰位基本吻合,而较为全面反映分子间氢键及范德华力作用的晶胞构型计算谱与实验谱则较为吻合。同时表明,与样品结构较为一致的、保持苏氨酸物理性质的最小结构为晶胞。

关键词：太赫兹吸收谱苏氨酸量子化学吸收峰

一种Rb蒸气对窄线宽780nm激光吸收率和吸收峰的测量方法

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光电子．激光 2012年第11期23卷 2168-2173页

作者：李志永谭荣清徐程李琳黄伟中国科学院电子学研究所高功率气体激光技术部北京100190 中国科学院研究生院北京100049

为了消除Rb蒸气室窗口内表面未镀膜引起的吸收率测量误差,本文提出采用差分吸收的方法准确测量高气压缓冲气体下Rb蒸气对780nm激光的吸收率,参考光源为787nm单管半导体激光器(LD)。吸收峰的测量,则通过观察780nm激光通过Rb蒸气室后激光... 详细信息

为了消除Rb蒸气室窗口内表面未镀膜引起的吸收率测量误差,本文提出采用差分吸收的方法准确测量高气压缓冲气体下Rb蒸气对780nm激光的吸收率,参考光源为787nm单管半导体激光器(LD)。吸收峰的测量,则通过观察780nm激光通过Rb蒸气室后激光光谱出现的凹陷确定。采用本文方法对充有252.5kPa He气和50.5kPa CH4缓冲气体的Rb蒸气的吸收率和吸收峰进行了测量,验证了该方法具有较高的测量精度。

关键词：半导体激光泵浦碱金属蒸气激光(DPAL) Rb蒸气激光吸收率差分吸收吸收峰

原生CVD ZnS 6.2μm处吸收峰的消除及机理分析

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人工晶体学报 2010年第2期39卷 440-443,448页

作者：付利刚张福昌魏乃光赵永田王学武吕反修北京科技大学材料科学与工程学院北京100083 北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技有限公司北京100088

原生CVD ZnS的特征之一是由于内部与S空位相关的Zn-H络合物的存在而在6.2μm处形成吸收峰。相对较低的沉积温度和较高的沉积压力以及Zn/H2S是产生这一问题的主要原因。通过改进实验参数(沉积温度、沉积压力、Zn/H2S),能够制备出与经过HI... 详细信息

原生CVD ZnS的特征之一是由于内部与S空位相关的Zn-H络合物的存在而在6.2μm处形成吸收峰。相对较低的沉积温度和较高的沉积压力以及Zn/H2S是产生这一问题的主要原因。通过改进实验参数(沉积温度、沉积压力、Zn/H2S),能够制备出与经过HIP处理过的ZnS一样的无Zn-H络合物的原生ZnS。本文依据Zn-H络合物产生的原因对沉积温度、压力等作用机理进行了分析,总结出进一步提高CVD ZnS质量的方法。

关键词：原生CVD ZnS Zn-H络合物吸收峰

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透波层厚度对结构吸波材料吸收峰的影响

功能材料 2015年第13期46卷 13045-13047页

作者：王春齐陈辉杜作娟黄小忠中南大学航空航天学院长沙410073

采用弓形法测试反射率,研究透波层的厚度对结构吸波复合材料吸收峰的影响.结果显示,在4-18GHz范围内,厚度对其吸波性能具有显著影响：透波层厚度为0.95mm 时,结构吸波材料的吸收峰值最高,达-22.6dB;其吸收峰值先随透波层厚度的增加而增... 详细信息

采用弓形法测试反射率,研究透波层的厚度对结构吸波复合材料吸收峰的影响.结果显示,在4-18GHz范围内,厚度对其吸波性能具有显著影响：透波层厚度为0.95mm 时,结构吸波材料的吸收峰值最高,达-22.6dB;其吸收峰值先随透波层厚度的增加而增强,而后逐渐减弱,透波层厚度对吸收峰值的影响可用二次多项式描述;吸收峰的位置随透波层的厚度增加向低频方向漂移,其漂移位移与透波层厚度线性相关,满足一次线性方程.

关键词：结构吸波材料透波层厚度吸收峰

中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究

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红外研究(A辑) 1987年第5期6卷 363-368页

作者：祁明维施天生蔡培新白国仁谢雷呜高集金李石岭中国科学院上海冶金研究所中国科学院原子能研究所

本文用傅里叶变换红外吸收低温（10K）光谱研究中子辐照氢气区熔硅单晶的Si-H吸收峰。发现比室温光谱有更多的与氢有关的吸收峰,观察到1980cm-1吸收峰的精细结构。确定1839cm-1与817cm-1吸收峰的相关性,观察到低温峰有比室温更明确的退... 详细信息

本文用傅里叶变换红外吸收低温（10K）光谱研究中子辐照氢气区熔硅单晶的Si-H吸收峰。发现比室温光谱有更多的与氢有关的吸收峰,观察到1980cm-1吸收峰的精细结构。确定1839cm-1与817cm-1吸收峰的相关性,观察到低温峰有比室温更明确的退火行为。对一些吸收峰的组态进行了讨论。

关键词：吸收峰相关性中子辐照硅单晶 Si 低温

YBa2Cu3O7-δ中Cu-O伸缩振动的红外吸收峰

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低温物理学报 1993年第5期15卷 345-349页

作者：蔡培新陈建民顾为芳中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所上海 200050

测量了c轴高度定向的YBa;Cu;O;高T;超导薄膜经300～750℃退火后的红外反射光谱和不同掺Zn量的YBa;Cu;Zn;O;块状材料的红外吸收光谱。根据这些光谱中Cu-O吸收峰的变化,证实了在YBa;Cu;O;体系的红外光谱中,630cm;、590cm;、和550cm;三个... 详细信息

测量了c轴高度定向的YBa;Cu;O;高T;超导薄膜经300～750℃退火后的红外反射光谱和不同掺Zn量的YBa;Cu;Zn;O;块状材料的红外吸收光谱。根据这些光谱中Cu-O吸收峰的变化,证实了在YBa;Cu;O;体系的红外光谱中,630cm;、590cm;、和550cm;三个吸收峰分别对应的Cu-O伸缩振动模,以及与氧缺位的关系。并讨论了二维电子气屏蔽对吸收峰的影响。

关键词：薄膜样品伸缩振动 Cu-O YBa2Cu3O 穿透深度超导态红外吸收红外吸收光谱正交相四方相载流子浓度载流子密度吸收峰半导体性

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基于吸收峰加权的岩矿光谱匹配方法研究

岩矿测试 2011年第5期30卷 584-589页

作者：黄婷婷韦志辉修连存吴泽彬南京理工大学计算机科学与技术学院江苏南京210094 南京中地仪器有限公司江苏南京210016

基于高光谱图像的矿物识别主要依赖于矿物的特征光谱曲线,但由于矿物普遍存在的同质多象和类质同象的现象,常常造成矿物识别误差。在矿物的光谱曲线描述中,吸收位置是一个非常重要的特征,它较好地反映了矿物的单个诊断性特征。文章在利... 详细信息

基于高光谱图像的矿物识别主要依赖于矿物的特征光谱曲线,但由于矿物普遍存在的同质多象和类质同象的现象,常常造成矿物识别误差。在矿物的光谱曲线描述中,吸收位置是一个非常重要的特征,它较好地反映了矿物的单个诊断性特征。文章在利用完全波形特征的基础上,加强了单个诊断性特征,提出了一种基于吸收峰加权的预处理技术。利用该技术并结合PMS光谱库(南京地质矿产研究所研制)中的部分数据,从矿物光谱相异性进行区分实验,由于该技术利用了完整的矿物特征信息并突出了重要信息,对矿物有更为全面细致的描述,同时融合了去包络算法,有效地抑制了噪声的影响,与以往主流技术相比提高了矿物识别准确度,拉大了相异矿物间的差异,对研究岩石的内部结构和矿物的种类将有较大贡献。

关键词：光谱匹配光谱库包络线去除吸收峰预处理

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红外光谱吸收峰的剥离和模拟

光谱实验室 2000年第4期17卷 396-399页

作者：卢嘉春黄萍陈广宇许启初西北核技术研究所西安市69信箱17分箱710024

本文运用计算机模拟技术对红外谱图进行吸收峰的剥离和模拟 ,用 VB语言编制了吸收峰的剥离程序 ,并用实验谱图对所编程序进行了检测。得到了从谱图直接读峰和模拟所得峰位一致的结果 ,且模拟谱可以得到更为详尽的吸收峰信息 ,如弱强度... 详细信息

本文运用计算机模拟技术对红外谱图进行吸收峰的剥离和模拟 ,用 VB语言编制了吸收峰的剥离程序 ,并用实验谱图对所编程序进行了检测。得到了从谱图直接读峰和模拟所得峰位一致的结果 ,且模拟谱可以得到更为详尽的吸收峰信息 ,如弱强度吸收峰及重叠峰等。验证了剥离程序的可靠性。

关键词：红外谱图模拟剥离 VB语言吸收峰计算机技术

芳杂环基苯基酮双重电子吸收峰结构基础的判别

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中国科学:化学 1985年第6期 483-493页

作者：魏玮岳振洁戴萃辰蒋明谦中国科学院化学研究所中国科学院化学研究所北京

为了判别芳杂环基苯基酮电子光谱中双重峰的结构基础,文中对（Ⅰ）(Ⅱ)（Ⅲ）三组六个三岔同系列的同系递变进行了研究,结果表明,所有这些系列的同系直线都分别在双重峰处通过。根据同系直线的相对位置及其通过双峰的长波点或短波点,即... 详细信息

为了判别芳杂环基苯基酮电子光谱中双重峰的结构基础,文中对（Ⅰ）(Ⅱ)（Ⅲ）三组六个三岔同系列的同系递变进行了研究,结果表明,所有这些系列的同系直线都分别在双重峰处通过。根据同系直线的相对位置及其通过双峰的长波点或短波点,即可判断各峰所属的基干体系,这就为确定双峰的结构基础提供了一种可靠的定量方法。并用同系直线间的相似三角形法,计算了各组三岔化合物中与羰基直接相连的各种芳杂环的当量△N,表明这些基团都只起代基作用。质谱实验结果,芳杂环羰基碎片的丰度都大于苯羰基碎片,而杂环基的碎片则较苯基的小,这表明杂环与羰基的共轭效应较苯基强,这与杂环羰基体系较苯环羰基体系有较长的电子吸收峰是一致的。

关键词：吸收峰分子离子峰化合物苯基芳基芳杂环电子轻子