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微波学报 2023年第6期39卷 80-84页

作者：廖一龙张浩南京电子技术研究所南京210039 南京美辰微电子有限公司南京210039

基于同相耦合拓扑结构,分析并设计了一款双核压控振荡器(VCO)。该电路通过将两个相同VCO核的输出同相相连,实现了在不降低谐振腔Q值和输出信号幅度的前提下,将谐振腔的有效电感值减小一半,从而降低了输出信号的相位噪声。该芯片采用TPS ... 详细信息

基于同相耦合拓扑结构,分析并设计了一款双核压控振荡器(VCO)。该电路通过将两个相同VCO核的输出同相相连,实现了在不降低谐振腔Q值和输出信号幅度的前提下,将谐振腔的有效电感值减小一半,从而降低了输出信号的相位噪声。该芯片采用TPS 65 nm RFSOI CMOS工艺制造,包括焊盘在内的芯片面积为1.04 mm~2。测试结果表明,该VCO可以在8.600~12.148 GHz (34.2%)的宽频带范围内连续工作,并在8.841 GHz处测试的相位噪声为-108.63 dBc/Hz@1 MHz。当电源电压为1.2 V且不考虑测试缓冲器时,该双核VCO消耗电流为9.2~11.1 m A,对应含调谐范围的优值(FOM_T)为-183.39~-187.13 d Bc/Hz。

关键词：双核压控振荡器同相耦合拓扑结构低相噪宽频带

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