检索结果-南通市图书馆

微纳电子技术 2017年第10期54卷 715-719页

作者：江自超刘玉岭王辰伟张凯河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130

针对抛光垫的使用寿命对铜膜平均去除速率一致性的影响进行研究,同时采用实时表面形貌控制(RTPC)技术,对抛光过程中,铜膜表面形貌进行实时监控。实验结果表明:抛光垫的使用寿命对铜膜化学机械抛光(CMP)平均去除速率影响很大,使用前期(... 详细信息

针对抛光垫的使用寿命对铜膜平均去除速率一致性的影响进行研究,同时采用实时表面形貌控制(RTPC)技术,对抛光过程中,铜膜表面形貌进行实时监控。实验结果表明:抛光垫的使用寿命对铜膜化学机械抛光(CMP)平均去除速率影响很大,使用前期(抛光垫使用时间Tt≤500 pcs),铜膜平均去除速率稳定,粗抛一致性良好(片内非均匀性(WIWNU)为3.37%),粗抛后剩余膜厚范围小于60 nm。使用后期(Tt>500 pcs),粗抛速率一致性较差,粗抛后剩余膜厚范围大于100 nm。抛光垫修整能有效恢复抛光垫表面状态,采用在线同步修整技术,可以延长抛光垫使用寿命到750 pcs以上。但是过长的修整时间不能保证铜膜良好的平均去除速率一致性,也会加大抛光垫磨损,降低使用寿命。

关键词：抛光垫使用寿命实时表面形貌控制(RTPC)技术平均去除速率一致性同步在线修整

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