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OEIC台面腐蚀工艺研究

固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 241-244页

作者：范超栗锐陈堂胜杨立杰冯欧冯忠陈辰焦世龙叶玉堂电子科技大学光电信息学院成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问... 详细信息

深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问题,可以完全满足后续工艺的要求。

关键词：腐蚀自停止光电集成电路台面工艺

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一种高压大电流半导体放电管的研究

重庆邮电大学学报（自然科学版） 2013年第5期25卷 634-638页

作者：唐政维向导张盼盼重庆邮电大学光电工程学院重庆400065

针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃... 详细信息

针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃钝化和钛镍银多层金属化等工艺,提高了放电管的启动保护电压和最大浪涌电流,其最大浪涌电流达到6 kA,比设计值5 kA提高了20%。

关键词：高压大电流半导体放电管镓扩散台面工艺玻璃钝化

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高能电子辐照与开关晶体管

科技通报 1986年第2期 44-45页

作者：张秀淼贺国根鲁虔杭州大学杭州半导体厂

晶体管的开关特性,与半导体中少子寿命有关,提高晶体管开关速度的传统工艺方法是借助于高温扩散在芯片中引入诸如金、铂等深能级杂质作为复合中心。但是在三重扩散台面工艺的高反压大功率晶体管中,要求把少子寿命控制在微秒数量级,这在... 详细信息

晶体管的开关特性,与半导体中少子寿命有关,提高晶体管开关速度的传统工艺方法是借助于高温扩散在芯片中引入诸如金、铂等深能级杂质作为复合中心。但是在三重扩散台面工艺的高反压大功率晶体管中,要求把少子寿命控制在微秒数量级,这在工艺上是很难准确控制的。用高能电子辐照控制硅中少子寿命是一种很有前途的先进方法。最近我们采用电子辐照提高反压功率开关晶体管开关速度工艺技术,从选择合适的硅单晶着手,采用三重扩散台面工艺、电子辐照和后处理工艺相结合。解决了工艺的相容性,参

关键词：功率开关晶体管反压开关速度台面工艺少子寿命非平衡载流子寿命电子辐照

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环形保护结的平面高反压管

半导体技术 1985年第3期 5-7页

作者：扬振亚江苏省吴县仪表元件厂

本文介绍采用环形保护结试制的npn型硅高反压中功率平面管的设计和制做工艺.管子的可靠性和稳定性比采用台面工艺优越,工艺手段简单,便于批量生产,平面管的电参数达到了设计要求,已提供用户试用.

关键词：反压中功率台面工艺工艺手段批量生产成批生产平面工艺保护环

黑龙江省发现的细石核与周边地区同类器物的比较研究

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黑河学刊 2001年第1期 66-70页

作者：邹向前李会泉黑龙江省龙江县文物管理所

研究东北亚、西北美史前文化联系的新成果不断涌现,研究者从考古学、古地质学、古人类学、古生物学、遗传学、民族学、民俗学等不同学科,不同角度,证实这种文化联系的实在性及其发展变化过程.由于黑龙江省所处的独特地理位置,研究其在... 详细信息

研究东北亚、西北美史前文化联系的新成果不断涌现,研究者从考古学、古地质学、古人类学、古生物学、遗传学、民族学、民俗学等不同学科,不同角度,证实这种文化联系的实在性及其发展变化过程.由于黑龙江省所处的独特地理位置,研究其在这种文化联系中的位置、作用、发展、变化显得尤为重要.目前,作为亚美史前文化联系重要标志的细石核在黑龙江省众多的遗存中发现.笔者就黑龙江省发现的细石核及与周边地区同类器物进行比较,以求对此问题的研究有所裨益.

关键词：石核下川楔形虎头梁细石器文化细石叶台面工艺遗址黑龙江省器物周边地区周围

长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管

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光通信研究 1986年第2期 1-5页

作者：李平姜涌罗风光王素琴赵先明

采用液相外延法和台面工艺制作了具有中间带隙“梯度层”的倍增区与吸收区分离的长波长InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管(简称SAGM-APD)已经获得初步成功。量子效率67％;0.9V_B时的暗电流<100nA;过剩噪声因子F=5;最大倍增因子M=25;上... 详细信息

采用液相外延法和台面工艺制作了具有中间带隙“梯度层”的倍增区与吸收区分离的长波长InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管(简称SAGM-APD)已经获得初步成功。量子效率67％;0.9V_B时的暗电流<100nA;过剩噪声因子F=5;最大倍增因子M=25;上升和下降时间各为300ps。结果表明,这种新型材料制作的雪崩光电二极管在性能上优于Ge-APD。

关键词：雪崩光电二极管台面工艺倍增因子量子效率暗电流梯度层液相外延器件研究光敏面响应度

平面工艺芯片二极管MUR460的封装优化方案

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中国新通信 2020年第14期22卷 223-223页

作者：朱伟英常州银河电器有限公司

二极管的芯片生产工艺有台面工艺和平面工艺两种,平面二极管芯片由于是在外延硅材料上通过高温生成保护膜及聚酰亚胺保护层,不同于台面工艺芯片的PN结纵向结构,平面工艺二极管的PN结在一个近似的平面内,文章通过对原批量化生产工艺中出... 详细信息

二极管的芯片生产工艺有台面工艺和平面工艺两种,平面二极管芯片由于是在外延硅材料上通过高温生成保护膜及聚酰亚胺保护层,不同于台面工艺芯片的PN结纵向结构,平面工艺二极管的PN结在一个近似的平面内,文章通过对原批量化生产工艺中出现的不良品分析,提出特殊的封装工艺,来提高产品的可靠性能。

关键词：台面工艺平面工艺反型层