检索结果-南通市图书馆

红外与激光工程 2018年第S1期47卷 99-104页

作者：马丁许金通刘福浩张燕李向阳中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049

带外响应是紫外焦平面探测器的一个重要参数。作为一种宽禁带半导体材料，AIGaN基紫外探测器在紫外探测领域中具有十分优秀的带外响应性能及带外抑制能力。报道了一种640×8元可见盲紫外焦平面探测器，其光谱响应范围为345～363．5nm。... 详细信息

带外响应是紫外焦平面探测器的一个重要参数。作为一种宽禁带半导体材料，AIGaN基紫外探测器在紫外探测领域中具有十分优秀的带外响应性能及带外抑制能力。报道了一种640×8元可见盲紫外焦平面探测器，其光谱响应范围为345～363．5nm。为了表征该焦平面探测器在宽光谱范围内的带外响应性能，使用单色仪对该器件进行了光谱扫描，扫描光谱范围涵盖了从紫外波段到近红外波段的光谱范围。其结果表示，该紫外焦平面探测器具有优秀的带外响应性能，在300～1160nm光谱范围内，光谱带外响应比率仅为1．14％。

关键词：带外响应紫外焦平面探测器可见盲

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于钙钛矿滤光层的可见盲型近红外光探测器

基于钙钛矿滤光层的可见盲型近红外光探测器

引用

作者：许昆兰州大学

学位级别：硕士

可见盲型近红外光探测器是一种在近红外光区域具备窄光谱吸收的光敏器件,旨在解决传统近红外探测器在明亮环境下探测精度受可见光影响的问题,其在科学研究、监控等方面具有广泛的应用。本文通过结合有机近红外光敏二极管与钙钛矿材料滤... 详细信息

可见盲型近红外光探测器是一种在近红外光区域具备窄光谱吸收的光敏器件,旨在解决传统近红外探测器在明亮环境下探测精度受可见光影响的问题,其在科学研究、监控等方面具有广泛的应用。本文通过结合有机近红外光敏二极管与钙钛矿材料滤光层来制备与研究可见盲型近红外光探测器。本文选取基于PbPc/C异质结的光敏二极管作为近红外光探测部分,但此类器件在可见光-近红外区域均有明显的光响应存在。由于钙钛矿材料在可见光区域超高的光吸收能力,引入钙钛矿滤光层可以有效吸收入射光中可见部分的能量,将整个器件的光响应限制在近红外光区域。首先研究了钙钛矿薄膜在不同沟道长度与入射光波长下的光响应性能,其光响应度达到10 mA/W数量级,展现出300%以上的外量子效率,且在可见光区域的光响应远远大于近红外区域。接着对反向加光时器件光响应能力进行研究与分析。同时,制备并优化了基于PbPc/C异质结的光敏二极管,没有引入钙钛矿滤光层的器件光响应度为10000 mA/W,引入钙钛矿滤光层之后的器件光响应度在可见光区域减少到10mA/W,而近红外区域只减少到80 mA/W,实现了可见盲近红外探测的设想。本文通过结合PbPc/C异质结与钙钛矿材料在光敏区域上的特点,制备可见盲型近红外光探测器,取得了优良的实验效果,通过实验与分析优化,为进一步研究指明方向。

关键词：可见盲钙钛矿滤光层近红外探测器

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

MSM型氮化镓紫外探测器研究

引用

光电子技术 2009年第1期29卷 11-13页

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉郑惟彬董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103... 详细信息

以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析。

关键词：紫外探测器可见盲宽带隙

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于硫系玻璃基底的钙钛矿光电探测器研究

基于硫系玻璃基底的钙钛矿光电探测器研究

引用

作者：张馨壬长春理工大学

学位级别：硕士

光电探测器是一种利用光电效应实现光电信号转换的元件,普遍应用于工业勘查、气象监测、图像传感等各个方面。特别是针对近红外波段的光电探测器,在各种新兴光电领域中有着巨大的应用潜力。目前传统光电探测器由于制备工艺复杂昂贵且机... 详细信息

光电探测器是一种利用光电效应实现光电信号转换的元件,普遍应用于工业勘查、气象监测、图像传感等各个方面。特别是针对近红外波段的光电探测器,在各种新兴光电领域中有着巨大的应用潜力。目前传统光电探测器由于制备工艺复杂昂贵且机械柔性相对较差,在实际应用中受到了许多限制。而新型半导体材料钙钛矿因其价格低廉、合成简单、柔性兼容等材料特性,和载流子迁移率高、缺陷态密度低、带隙可调等性能优势成为倍受期待的光电材料。在近红外探测的研究进程中,为了隔绝大气中的可见光波段对目标信号造成的影响,可见盲近红外光电探测器成为近年来的热点领域,为了避免外加滤光片的高成本和复杂结构,能够过滤可见光的滤光层材料开始投入研究。同时,铅基钙钛矿材料受带隙所限导致的近红外波段无响应,也使拓宽钙钛矿材料的光谱响应范围成为研究重点。本文从屏蔽可见光的近红外探测出发,基于新型红外透镜材料和窄带隙锡铅钙钛矿材料进行了结构设计、器件制备和性能表征,主要内容可分为以下两部分工作:第一,本文选用有机-无机杂化锡铅钙钛矿材料,以新型透红外材料硫系玻璃Ge28Se60Sb12为滤光基底,设计了基于硫系玻璃的光电导型可见盲近红外钙钛矿光电探测器,响应范围780 nm-1000 nm,实现了+5 v偏压下在875 nm处67.5%的EQE,响应度为0.48 A W-1,比探测率可达7.47×1011 Jones,并成功探测室内不同距离下的火焰信号。第二,为了更好地匹配实际应用需求,设计基于硫系玻璃的光电二极管型可见盲近红外钙钛矿光电探测器,该结构器件光谱响应范围为800 nm-1020 nm,零偏压下可以在910 nm处实现23%的EQE峰值,响应度为169 mA W-1,比探测率最大为1.93×10～9Jones。同时对近红外光快速实时响应,响应速度上升时间为18.47μs。在氮气储存环境下,活性层的长期稳定性保持超过六十天,未封装的器件在存储八十天后仍能保持初始响应度的97%,同时可在空气中实现平稳灵敏的长时间响应。最后,将基于硫系玻璃的光电二极管型可见盲近红外钙钛矿光电探测器应用于心率监测系统,成功实现了心率信号监测应用。

关键词：硫系玻璃钙钛矿材料光电探测器可见盲近红外

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

紫外光敏宽禁带半导体材料的设计与制备

紫外光敏宽禁带半导体材料的设计与制备

引用

作者：张婧琳浙江大学

学位级别：硕士

紫外探测技术在许多领域有着重要的应用。小分子有机半导体材料由于其相对低廉的成本、良好的可加工性以及结构上的可设计性,作为无机半导体材料的有益的补充,在紫外光探测领域的研究正受到越来越多的重视。本论文以咔唑、芴为核心功... 详细信息

紫外探测技术在许多领域有着重要的应用。小分子有机半导体材料由于其相对低廉的成本、良好的可加工性以及结构上的可设计性,作为无机半导体材料的有益的补充,在紫外光探测领域的研究正受到越来越多的重视。本论文以咔唑、芴为核心功能基元,结合三苯胺、联苯等辅助功能基元,设计、制备了具有较高的热稳定性、适宜的能带结构和较高的迁移率的有机半导体材料：3,6-二(1,1’：3’,1”-三苯基-5’-基)-9-(2-乙基)己基咔唑(PCP)、2-(1,1’：3’,1”-三苯基-5’-基)-9,9-二(4-二苯胺基苯基)芴(FP)。以PCP (FP)为给体、二(4-(4-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)二苯基硅(NSN)为受体,构筑的以PCP/NSN双层复合膜为活性层的平面异质结型有机紫外探测原型器件,显示出了对可见盲紫外光信号的较高的探测能力。发现了阴极材料的变化对器件响应光谱的影响。以基于PCP的原型器件(ITO/PEDOT:PSS/PCP/NSN/LiF/阴极)为例,当阴极材料由A1(13nm)变为A1(9nm)/Ag(30nm)双金属时,器件对ITO侧入射信号响应范围由300-380nm变为300-400nm,对阴极侧入射信号响应范围由210-380nm变为230-400nm。

关键词：有机半导体分子设计宽禁带可见盲紫外探测

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN MSM型紫外探测器

GaN MSM型紫外探测器

引用

2007年全国微波毫米波会议

作者：姜文海陈辰李忠辉周建军董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近10。通过击穿单侧肖特基结对另... 详细信息

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近10。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行了测试,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了分析。

关键词：紫外探测器可见盲宽带隙

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：