检索结果-南通市图书馆

大学物理 1993年第6期12卷 37-38页

作者：陶景光廖兆曙华中理工大学光学系武汉430074

本文根据人眼对方向判别的敏感，提出用叠橱（Ｍｏｉｒｅ）条纹的转向来调整光束的平行性，相对精度△ｆ'/ｆ'高于０．０３％

关键词：光束平行性调整叠栅转向

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氧化镓基叠栅MOSCAP性能研究

氧化镓基叠栅MOSCAP性能研究

作者：赵淑婷西安电子科技大学

学位级别：硕士

由于氧化镓(GaO)材料优良的材料特性,近年来在功率器件和光电探测器等方面被越来越多的人所研究,使其逐渐成为替代传统硅基、锗基和第二代Ⅲ-Ⅳ半导体的优选材料。氧化镓禁带宽度最高可达5.0 e V,衡量功率器件的参数巴利加优值(εμE)高... 详细信息

由于氧化镓(GaO)材料优良的材料特性,近年来在功率器件和光电探测器等方面被越来越多的人所研究,使其逐渐成为替代传统硅基、锗基和第二代Ⅲ-Ⅳ半导体的优选材料。氧化镓禁带宽度最高可达5.0 e V,衡量功率器件的参数巴利加优值(εμE)高达3440,理论击穿场强可达到8MV/cm,但是当氧化镓与栅氧材料的导带带偏和价带带偏不足时,以及氧化镓材料和栅氧化层接触界面和氧化层内部存在的非理想电荷,都会导致器件漏电流增大,进而影响MOSFET器件的击穿特性。针对上述问题,本文研究了氧化镓基叠栅MOS电容,本文的具体工作内容如下:1.基于氧化镓基MOSCAP的理论基础,设计了双层高k介质栅氧化层氧化镓基MOS电容,XRD测试说明衬底为单晶氧化镓,栅氧为非晶材料;PL测试发现衬底在氧气退火前后的发光中心分别为375 nm和387 nm,这两个峰都对应着跟氧空位相关的缺陷;AFM测试结果表明衬底和栅氧化层都比较平整,粗糙度在0.5 nm左右;XPS测试结果得到的GaO,Hf O和AlO的禁带宽度分别为4.8 e V,4.57 e V和7.40e V,Hf O和AlO的导带带偏△E分别为1.5 e V和1.9 e V,价带带偏△E分别为-0.9e V和0.7 e V,所以根据氧化铝导带和价带带偏均为正的特性,提出了叠栅Hf O/AlOMOS结构。2.研究了Hf O/GaO和AlO/GaOMOS电容的电学特性,C-V结果显示:Hf O和AlOGaO-MOS电容界面态分别为0.49×10e Vcm和1.35×10e Vcm,说明前者跟氧化镓有更好的界面特性,以及发现Hf O中的陷阱电荷(6.2×10cm)、等效固定电荷(3.1×10cm)都是更小的;I-V测试表明Hf O/GaOMOS电容在低场时满足肖特基发射和F-P发射的,高场时满足F-N隧穿和TAT隧穿。同时不同预处理下的叠栅Hf O/AlO-MOS电容C-V结果显示:对照组、UV/O处理、HCl处理、NHOH处理的样品界面态密度基本在2×10e Vcm到2×10e Vcm之间,综合对比不同预处理对非理想电荷的整体作用,发现NHOH预处理的样品对MOS电容非理想电荷的改善是最好的,相比于对照组的样品,它对近界面陷阱电荷,氧化层等效电荷和界面态的改善作用分别为11%,1.5%和-26%,以及发现减少叠栅介质的厚度,界面态从8.52×10evcm降到4.11×10evcm;正向和负向I-V测试表明不同预处理的电容尽管电场机制满足的范围不同,但在低电场时满足发射机制,在稍高电场时满足隧穿机制,NHOH预处理的漏电流密度是最小的,UV/O预处理的样品稳定性是最好的。3.制备了叠栅的Hf O/Si OMOS电容样品,发现氧气退火对近界面陷阱有一定程度的改善,氧化层近界面陷阱大约降低67%;运用仿真软件建造了器件模型,分析了近界面陷阱电荷,界面陷阱电荷和氧化层固定电荷对C-V曲线的影响,模拟分析了各种非理想电荷对C-V曲线的影响,当氧化层中的陷阱电荷距离界面越近时,它对C-V曲线的影响就会越严重,而浅能级近界面陷阱的捕获和释放相对于深能级是更加容易的,并且分析发现界面陷阱呈现指数分布时更接近理论分析结果,而氧化层固定电荷由于其在氧化层中的位置固定,主要是会引起C-V曲线和理想的C-V曲线存在电压差值。

关键词：氧化镓叠栅陷阱电荷界面态漏电机制

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晶体叠栅的电子显微镜观察及透明片模拟

宁夏工学院学报（自然科学版） 1996年第4期8卷 1-3页

作者：李龙李杰宁夏大学物理系宁夏大学地理系

本文用电子显微镜观察了ＭｏＳ２晶体的叠栅，并通过透明片对晶体栅的模拟，对电子显微像进行定性了识别．

关键词：晶体叠栅模拟电子显微镜二硫化钼透明片

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Flash memory中的叠栅腐蚀工艺

电子与封装 2002年第5期2卷 11-14,31页

作者：莫科伟肖军韩隽无锡微电子科研中心二室江苏无锡214035

本文主要介绍了 Intel 式 Flash memory 单元结构的叠栅自对准腐蚀工艺和有关的叠栅腐蚀原理,分析了 Flash 叠栅自对准腐蚀对 Flash 性能的重要性。

关键词： Flash Memory 腐蚀工艺叠栅

任意切趾函数光纤光栅的传输特性及综合问题的研究

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任意切趾函数光纤光栅的传输特性及综合问题的研究

作者：张玉唯燕山大学

学位级别：硕士

随着光纤通信与光纤传感的飞速发展,光纤光栅在光纤传感、光纤通信和光信息处理等领域的应用愈加广泛,光纤光栅具有体积小、耦合性好、波长选择特性好、易与光纤系统连接、低插入损耗、成本低等优点。目前,光纤光栅已经成为最具代表性... 详细信息

随着光纤通信与光纤传感的飞速发展,光纤光栅在光纤传感、光纤通信和光信息处理等领域的应用愈加广泛,光纤光栅具有体积小、耦合性好、波长选择特性好、易与光纤系统连接、低插入损耗、成本低等优点。目前,光纤光栅已经成为最具代表性、最有发展前景的光纤无源器件之一,因此,光纤光栅特性的理论研究也受到了极大关注,光纤光栅光谱特性及其综合问题的研究具有非常重要的实际意义。本文首先介绍了光纤光栅的历史、发展和应用,重点对光纤光栅的分析方法与综合问题的研究现状进行了综述。然后在麦克斯韦方程组基础上对模式耦合理论的耦合模方程进行了理论推导,利用模式耦合理论对光纤布拉格光栅进行了分析,得到了描述光纤布拉格光栅特性的耦合模方程。其次,对光纤布拉格光栅耦合模方程进行了归一化处理,得到易于数值求解的耦合模方程。应用四阶龙格-库塔法数值求解光纤布拉格光栅的耦合模方程,完成了任意切趾函数光纤布拉格光栅的特性分析算法,编写了C语言程序,对不同类型的光纤布拉格光栅进行了模拟仿真,得到了相应的光谱特性和时延特性,并对结果进行了分析比较。最后,提出了基于叠栅的光纤布拉格光栅综合问题的解决方法,结合叠栅的反射谱特性与层剥离光纤光栅综合算法,应用高斯切趾函数对光纤光栅进行综合,编写了算法程序,通过两个实例,讨论了该综合算法的光谱特性误差。

关键词：光纤布拉格光栅耦合模理论光栅综合叠栅

一次编程(OTP)存储器的数据保持特性工艺研究

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电子器件 2007年第2期30卷 395-397页

作者：房世林李月影何永华东南大学集成电路学院南京210096 华润上华科技有限公司江苏无锡214061

对0.5μm叠柵一次编程(OTP)存储器工艺进行研究,通过选择介质(ONO)工艺条件,选择合适单元尺寸,增加(SIN)保护,优化单元侧面工艺等,使得存储单元在250℃高温24h加速老化后写入阈电压漂移小于10%,嵌入式OTP产品(64k*8位)可靠性评估存储器... 详细信息

对0.5μm叠柵一次编程(OTP)存储器工艺进行研究,通过选择介质(ONO)工艺条件,选择合适单元尺寸,增加(SIN)保护,优化单元侧面工艺等,使得存储单元在250℃高温24h加速老化后写入阈电压漂移小于10%,嵌入式OTP产品(64k*8位)可靠性评估存储器的数据保持能力大于十年.

关键词：叠柵 OTP 数据保持嵌入式

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碲镉汞晶体辐射损伤的分析电镜研究

无机材料学报 1986年第4期 309-312页

作者：宋祥云温树林中国科学院上海硅酸盐研究所

用分析电子显微镜观察了碲镉汞晶体的显微结构。发现在大剂量电子辐射下,显微结构有较强的损伤。进一步用 X线能谱分析和高分辨电子显微术研究表明,大剂量电子辐射引起了碲镉汞晶体的超结构、叠栅、无序化和 Hg 含量减少。

关键词：辐射损伤超结构叠栅无序化碲镉汞晶体

7.9/70/30PLZT陶瓷中的极性微区和超结构

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中国科学:数学 1988年第12期 1310-1314页

作者：宋祥云温树林殷之文中国科学院上海硅酸盐研究所

利用高分辨电子显微技术和电子衍射,对7.9/70/30PLZT透明铁电陶瓷的显微结构进行了研究。结果表明,在立方α相中存在着一定量的相对定向的极性微区,这些微区的结构正是经极化后呈铁电性的β相的正交结构。在高分辨电子显微镜照片上显现... 详细信息

利用高分辨电子显微技术和电子衍射,对7.9/70/30PLZT透明铁电陶瓷的显微结构进行了研究。结果表明,在立方α相中存在着一定量的相对定向的极性微区,这些微区的结构正是经极化后呈铁电性的β相的正交结构。在高分辨电子显微镜照片上显现的干涉条纹微区（Moire Pattern）是正交极性微区和立方α相基体这两种结构发生叠栅的结果。同时在这一材料的个别区域发现了沿方向的2×d的超结构存在,研究结果认为,这一超结构的形成是由于点缺陷的存在而产生的结构自我调整在{111}面发生滑移或旋转的结果。

关键词：铁电性极性微区叠栅电子衍射