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机构

  • 1 篇 哈尔滨工业大学

作者

  • 1 篇 高强
  • 1 篇 滕咏哮
  • 1 篇 张乾
  • 1 篇 徐殿国

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  • 1 篇 中文
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考虑器件工作温度影响的Si C功率MOSFET建模
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中国电机工程学报 2020年 第3期40卷 932-941页
作者： 滕咏哮 高强 张乾 徐殿国 哈尔滨工业大学电气工程系
提出一种基于MATLAB/Simulink的SiC功率MOSFET全工作区变温度参数建模方法。在Si基横向双扩散MOSFET模型的基础上,采用与温度相关的电流源和电压源补偿器件漏极电流和阈值电压的变化。通过补充实验拓展SiC功率MOSFET的饱和区工作特性曲... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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